Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OST60N65HSX ( OST60N65HSXF ) оригінал (заміна для OST60N65HX ) , TO247
292,34 ₴
30 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
30 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
OST60N65HSX (OST60N65HSXF) – оригінальний IGBT-транзистор Oriental Semiconductor з вбудованим діодом у корпусі TO-247. Може замінити OST60N65HX.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | OST60N65HSX |
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Vce(sat) | 1.5 В тип. (Vge 15 В, Ic 60 А, Tvj 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 366 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 5607 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є, швидкий і м’який |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
OST60N65HSX (OST60N65HSXF) – IGBT-транзистор виробництва Oriental Semiconductor у корпусі TO-247 зі швидким і м’яким антипаралельним діодом. Напруга колектор–емітер Vces – 650 В (мінімум, Tvj 25 °C). Струм колектора Ic – 80 А при Tc 25 °C і 60 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1.5 В типово, максимум 1.75 В (Vge 15 В, Ic 60 А, Tvj 25 °C); при 175 °C – 1.8 В. Потужність розсіювання Pd – 366 Вт при Tc 25 °C і 182 Вт при 100 °C, діапазон температур –55…175 °C. Qg – 107 нКл (Vge 15 В, Vcc 520 В, Ic 60 А). Вхідна ємність Cies типово 5607 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц).
Оригінал, не демонтаж. OST60N65HSX може замінити OST60N65HX; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Якщо підбираєте іншу заміну, порівнюйте Vces, Ic при 100 °C, Vce(sat) за однакових умов, наявність вбудованого діода та розпіновку корпусу TO-247. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Індукційні перетворювачі
- ДБЖ (Uninterruptible power supplies)
- Перетворювачі середніх і високих частот перемикання
Чим замінити OST60N65HSX?
Підбирайте IGBT у корпусі TO-247 з вбудованим діодом: Vces не нижче, Ic при 100 °C не менше, Vce(sat) за однакових умов вимірювання. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Як перевірити IGBT мультиметром?
Між затвором та іншими виводами не має бути зв'язку, а вбудований діод колектор–емітер має проводити лише в одному напрямку.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи може OST60N65HSX замінити OST60N65HX?
Так, OST60N65HSX може замінити OST60N65HX. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Документація виробника: OST60N65HSXF V1.0 (Oriental Semiconductor).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор OST75N65HSM оригінал (заміна для OST75N65HM , OST75N65HSX , OST75N65HN , OST75N65HMF ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic | 90 А при Tc 25 °C, 75 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм | 300 А при Tc 25 °C |
| Vce(sat) | 1.4 В (тип.), 1.8 В (макс.) при Vge 15 В, Ic 75 А |
| Заряд затвора Qg | 201 нКл при Vge 15 В, Vcc 520 В, Ic 75 А |
| Вхідна ємність Cies | 8165 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Потужність Pd | 405 Вт при Tc 25 °C |
| Tj max | 175 °C |
| Вбудований діод | є, швидкий м’який антипаралельний |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.