Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор ST13N60M2 ( STF13N60M2 , 13N60M2 ) оригінал, TO220F

145,70 ₴

8 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

8 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

ST13N60M2 (STF13N60M2, 13N60M2) – оригінальний N-канальний MOSFET серії MDmesh M2 STMicroelectronics у корпусі TO-220F для імпульсних застосувань.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, MDmesh M2
Напруга Vds600 В
Струм стоку Id11 А (Tc 25 °C)
Опір Rds(on)350 мОм тип. / 380 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 5,5 А)
Поріг Vgs(th)2 / 3 / 4 В (мін. / тип. / макс.; Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg17 нКл тип. (Vdd 480 В, Id 11 А, Vgs 0–10 В)
Вхідна ємність Ciss580 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц)
Tj max150 °C
Час відновлення діода trr297 нс тип. (Isd 11 А, di/dt 100 А/мкс, Vdd 60 В)
КорпусTO-220F
ВиробникSTMicroelectronics
СтанОригінал
Опис

ST13N60M2 (STF13N60M2, 13N60M2) – N-канальний польовий транзистор серії MDmesh M2 виробництва STMicroelectronics у корпусі TO-220FP (TO-220F). Напруга Vds – 600 В. Струм стоку Id – 11 А при Tc 25 °C. Опір Rds(on) – 350 мОм типове і 380 мОм максимальне при Vgs 10 В, Id 5,5 А. Поріг Vgs(th) – 2 В мінімум, 3 В типове, 4 В максимум при Vds = Vgs, Id 250 мкА. Заряд затвора Qg – 17 нКл (типове) при Vdd 480 В, Id 11 А, Vgs 0–10 В. Вхідна ємність Ciss типово 580 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц). Tj max – 150 °C. Час відновлення діода trr – 297 нс (типове) при Isd 11 А, di/dt 100 А/мкс, Vdd 60 В.

Деталь оригінальна, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал, Vds, Id, Rds(on) при Vgs 10 В і корпус TO-220F. Параметри вказані за даташитом STF13N60M2 DS9369 Rev 5. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Імпульсні застосування
Часто питають
Чим замінити ST13N60M2?

Підбирайте N-канальний MOSFET у TO-220F з Vds не нижче 600 В, Rds(on) не гірше 380 мОм при Vgs 10 В. Порівнюйте значення за однакових умов вимірювання.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи те саме ST13N60M2 і STF13N60M2?

У назві товару вони вказані як позначення однієї деталі, разом із маркуванням 13N60M2. Параметри на сторінці взято з даташита STF13N60M2.

Яке керування затвором потрібне?

Поріг Vgs(th) – від 2 до 4 В при Id 250 мкА, Rds(on) нормується при Vgs 10 В. Заряд затвора Qg – 17 нКл (типове).

Datasheet

Документація виробника: STF13N60M2 DS9369 Rev 5.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

STF13N60M2 DS9369 Rev 5 Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В
Струм стоку Id (постійний)20 А при Ta 25 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Напруга відсічки Vgs(off)2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА
Заряд затвора Qg65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц)
Потужність Pd140 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура каналу Tch150 °C
Вбудований діодє: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.)
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds600 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність Pd272 Вт при Tc 25 °C
Вхідна ємність Ciss2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Вбудований діодє: Vsd макс. 1.5 В
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220

В наявності

70,97 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Super Trench
Напруга Vds85 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)160 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)112 А
Опір Rds(on) (тип.)3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм
Заряд затвора Qg105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd220 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220
ВиробникNCE Power
СтанОригінал

Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247

В наявності

129,72 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds950 В при Vgs 0 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)10 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)6.3 А
Опір Rds(on) (тип.)0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА
Потужність розсіювання Pd230 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
ВиробникSTMicroelectronics
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.