Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3PF |
| Стан | Оригінал |
Транзистор R6020ANZ оригінал , TO-3PF
345,92 ₴
8 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
8 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
R6020ANZ – оригінальний N-канальний польовий транзистор ROHM у корпусі TO-3PF на напругу 600 В. Призначений для комутації.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3PF |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (VGS=0 В, ID=1 мА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 20 А (Tc=25 °C), імпульсний 80 А |
| Опір Rds(on) | 0.17 Ом типово (ID=10 А, VGS=10 В), максимум 0.22 Ом |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.95–4.15 В (VDS=10 В, ID=1 мА) |
| Потужність розсіювання Pd | 120 Вт (Tc=25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2040 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Корпус | TO-3PF |
| Вбудований діод | є (VSD макс. 1.5 В при IS=20 А, VGS=0 В) |
| Стан | Оригінал |
R6020ANZ – N-канальний MOSFET виробництва ROHM у корпусі TO-3PF. За даташитом (R6020ANZ, 2011.10 Rev.A): напруга Vds 600 В при VGS=0 В, ID=1 мА; безперервний струм стоку Id 20 А при Tc=25 °C, імпульсний 80 А. Опір Rds(on) типово 0.17 Ом при ID=10 А, VGS=10 В, максимум 0.22 Ом. Порогова напруга Vgs(th) 2.95–4.15 В при VDS=10 В, ID=1 мА. Потужність розсіювання 120 Вт при Tc=25 °C, максимальна температура каналу 150 °C. Вбудований діод є: VSD максимум 1.5 В при IS=20 А, VGS=0 В.
Оригінал, не демонтаж. Для заміни шукайте N-канальний транзистор у корпусі TO-3PF з Vds не нижче 600 В, не меншим струмом Id і не вищим Rds(on). Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Комутація (Switching), 10 В-драйв, низький опір відкритого каналу, мала вхідна ємність, підвищений захист від ESD
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити R6020ANZ?
Підбирайте деталь з тим самим каналом і корпусом, з не меншою напругою Vds та близьким опором Rds(on). Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Якою напругою відкривати затвор?
Опір Rds(on) 0.17 Ом типово наведено при VGS=10 В, ID=10 А. Порогова напруга Vgs(th) 2.95–4.15 В при VDS=10 В, ID=1 мА.
Який струм стоку допускається?
Безперервний 20 А при Tc=25 °C, імпульсний 80 А.
Документація виробника: R6020ANZ (ROHM).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.