Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS30N20 оригінал, TO220
188,00 ₴
17 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
17 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
CS30N20 – N-канальний польовий транзистор CR Micro у корпусі TO-220, оригінал. Для імпульсних перемикачів в адаптерах і зарядних пристроях.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Тип каналу | N-канал, VDMOSFET |
| Напруга Vds | 200 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 30 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 18.9 А |
| Опір Rds(on) | 70 мОм типово, макс. 80 мОм (VGS = 10 В, ID = 15 А) |
| Заряд затвора Qg | 38 нКл типово (VDD = 100 В, ID = 30 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1945 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 150 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є (VSD макс. 1.5 В при IS = 30 А; trr типово 230 нс) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
CS30N20 – N-канальний VDMOSFET виробництва CR Micro із самовирівнюваним планарним затвором, швидким перемиканням і 100% тестом на лавинну енергію, корпус TO-220. Параметри нижче – за документом на CS30N20A8R (TO-220AB). Напруга Vds – 200 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА). Струм стоку Id – 30 А при Tc 25 °C і 18.9 А при Tc 100 °C. Rds(on) типово 70 мОм, максимум 80 мОм (VGS = 10 В, ID = 15 А). Заряд затвора Qg типово 38 нКл (VDD = 100 В, ID = 30 А, VGS = 10 В), Vgs(th) 2.0–4.0 В. Вхідна ємність Ciss типово 1945 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Pd – 150 Вт при Tc 25 °C, температура переходу до 150 °C. Вбудований діод є: VSD максимум 1.5 В при IS = 30 А, trr типово 230 нс.
Це оригінал, не демонтаж. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня. Для заміни дивіться на канал N, корпус TO-220, Vds не нижче 200 В, Id і Rds(on) при тих самих умовах; при більшому Qg перевірте драйвер.
Де застосовують
- Імпульсні перемикачі в адаптерах та зарядних пристроях
Чим замінити CS30N20?
Підбирайте N-канальний MOSFET у TO-220 з Vds не менше 200 В, Id не менше 30 А при Tc 25 °C і Rds(on) не вище 70 мОм (VGS = 10 В). Порівнюйте за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи є в CS30N20 вбудований діод?
Так. VSD максимум 1.5 В при IS = 30 А, VGS = 0 В; trr типово 230 нс.
Для яких схем підходить CS30N20?
За документом – для імпульсних перемикачів в адаптерах та зарядних пристроях.
Документація виробника: CS30N20A8R (CR Micro).
Параметри взято з документа на CS30N20A8R (TO-220AB): у номері товару суфікса немає, звірте за маркуванням.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.