Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор ST24N60M2 ( STP24N60M2 , 24N60M2 ) оригінал (Заміна для SPP24N60C3 , 24N60C3 , IXTP24N65X2 , IXTP24N50 ), TO220

203,04 ₴

6 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

6 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

ST24N60M2 (STP24N60M2, 24N60M2) – N-канальний польовий транзистор STMicroelectronics у корпусі TO-220, оригінал. Для комутаційних застосувань, LLC та резонансних перетворювачів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
Тип каналуN (MDmesh M2, захист Зенера)
Напруга Vds600 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)18 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)12 А
Опір Rds(on)168 мОм типово, макс. 190 мОм (VGS = 10 В, ID = 9 А)
Заряд затвора Qg29 нКл (VDD = 400 В, ID = 17 А, VGS 0–10 В)
Вхідна ємність Ciss1060 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2–4 В (типово 3 В)
Потужність Pd (Tc 25 °C)150 Вт
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал
Опис

ST24N60M2 (також STP24N60M2, 24N60M2) – N-канальний MOSFET STMicroelectronics серії MDmesh M2 із захистом Зенера, корпус TO-220. Напруга Vds – 600 В. Струм стоку Id – 18 А при Tc 25 °C і 12 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) типово 168 мОм, максимум 190 мОм (VGS = 10 В, ID = 9 А). Заряд затвора Qg – 29 нКл (VDD = 400 В, ID = 17 А, VGS 0–10 В), порогова напруга Vgs(th) 2–4 В (типово 3 В). Вхідна ємність Ciss типово 1060 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 150 Вт при Tc 25 °C, температура переходу до 150 °C.

Це оригінал, не демонтаж. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня. ST24N60M2 може замінити SPP24N60C3, 24N60C3, IXTP24N65X2 та IXTP24N50, але зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Для заміни самої деталі дивіться на канал N, корпус TO-220, Vds не нижче 600 В, Id і Rds(on) при тих самих умовах.

Де застосовують

  • Комутаційні застосування
  • LLC та резонансні перетворювачі
Часто питають
Чим замінити ST24N60M2?

Підбирайте N-канальний MOSFET у TO-220 з Vds не менше 600 В, Id не менше 18 А при Tc 25 °C і Rds(on) не вище 168 мОм (VGS = 10 В). Порівнюйте за datasheet.

Що може замінити ST24N60M2?

ST24N60M2 може замінити SPP24N60C3, 24N60C3, IXTP24N65X2 та IXTP24N50. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Для яких схем підходить ST24N60M2?

За даними документа – для комутаційних застосувань, LLC та резонансних перетворювачів. Затвор має захист Зенера.

Datasheet

Документація виробника: DS9377 Rev 6.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN (CoolMOS P7)
Напруга Vds600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max
Струм стоку Id48 А (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)30 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА)
Заряд затвора Qg67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В)
Вхідна ємність Ciss2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц)
Потужність Pd164 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds600 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність Pd272 Вт при Tc 25 °C
Вхідна ємність Ciss2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Вбудований діодє: Vsd макс. 1.5 В
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220

В наявності

117,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В
Струм Id (25 °C)210 А
Струм Id (100 °C)148 А
Rds(on)2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А
Vgs(th)1.3–2.5 В при Id 250 мкА
Заряд затвора Qg239 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання310 Вт
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипN-канальний MOSFET (CoolMOS)
V(BR)DSS500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА)
Струм Id16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C)
Qg66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А)
Вхідна ємність Ciss1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Ptot160 Вт (Tc 25 °C)
Vgs±20 В
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.