Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRST030N10N оригінал, TO220
63,45 ₴
34 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
34 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
CRST030N10N – оригінальний N-канальний польовий транзистор на 100 В у корпусі TO-220. Використовують у синхронному випрямленні, керуванні акумуляторами та ДБЖ.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 100 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Опір Rds(on) | 2,5 мОм typ., 3,0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 90 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,2–3,8 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 54 нКл (Vgs 10 В, Vds 50 В, Id 90 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 11355 пФ |
| Потужність Pd | 227 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
CRST030N10N – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) у корпусі TO-220. Напруга Vds – 100 В (мінімум при Vgs 0 В, Id 250 мкА). Опір відкритого каналу Rds(on) – типово 2,5 мОм, макс. 3,0 мОм при Vgs 10 В, Id 90 А, Tj 25 °C. Порогова напруга Vgs(th) – 2,2–3,8 В (типово 3 В) при Vds=Vgs, Id 250 мкА. Заряд затвора Qg – типово 54 нКл при Vgs 10 В, Vds 50 В, Id 90 А. Вхідна ємність Ciss типово 11355 пФ. Потужність розсіювання Pd – 227 Вт при Tc 25 °C. Напруга затвор–витік – до ±20 В, максимальна температура переходу – 150 °C. Вбудований діод: Vsd типово 0,9 В, макс. 1,4 В при Vgs 0 В, Isd 90 А; trr типово 101 нс при If 90 А, dI/dt 100 А/мкс.
Оригінал, не демонтаж. Для заміни підбирайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vds не менше 100 В, а Rds(on) і струм стоку – не гірші за наведені вище. Взаємозамінність перевіряйте самостійно за datasheet. Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Синхронне випрямлення в AC/DC швидких зарядних пристроях
- Керування акумуляторами (battery management)
- ДБЖ (UPS)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити CRST030N10N?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vds не менше 100 В і Rds(on) не гірше за 3,0 мОм при Vgs 10 В. Порівняйте також Qg і струм стоку в datasheet.
Чи підходить для синхронного випрямлення?
Так, ця деталь призначена для синхронного випрямлення в AC/DC швидких зарядних пристроях, а також для керування акумуляторами та ДБЖ.
Яка особливість CRST030N10N?
Малий опір каналу: типово 2,5 мОм при Vgs 10 В, Id 90 А. Заряд затвора Qg – 54 нКл при Vgs 10 В, Vds 50 В, Id 90 А.
Документація виробника: CRST030N10N (CRMICRO).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 140 А (розрахунково) |
| Rds(on) | 2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 155 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.