Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | LQFP48 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема EG8020 оригінал , LQFP48
305,50 ₴
7 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
7 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
EG8020 – SPWM-контролер EG Micro для інверторів з чистою синусоїдою. Оригінал, корпус LQFP48.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | LQFP48 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | EG Micro |
| Корпус | LQFP48 |
| Напруга живлення VDD | 2,7–5,5 В (типово 5 В; TA = 25 °C, кварц 4 МГц) |
| Максимальна напруга живлення | 7 В (абсолютний максимум) |
| Споживаний струм | 30 мА (типово, VDD = 5 В) |
| Вихідна частота | 50 / 60 Гц (вибір виводом FRQSEL) |
| Частота ШІМ | 20 кГц |
| Мертвий час | 300 нс / 500 нс / 1 мкс / 1,5 мкс |
| Інтерфейс | UART |
| Тактовий кварц | 4 МГц |
| Стан | Оригінал |
EG8020 – SPWM-контролер інвертора з чистою синусоїдою виробництва EG Micro. Напруга живлення VDD – 2,7–5,5 В (типово 5 В; TA = 25 °C, кварц 4 МГц), абсолютний максимум – 7 В. Споживаний струм – 30 мА типово (максимум 50 мА при VDD = 5 В). Вихідна частота – 50 / 60 Гц, вибір виводом FRQSEL. Частота ШІМ – 20 кГц (несуча SPWM для ключів MOSFET / IGBT). Мертвий час вибирається виводами DT0, DT1: 300 нс / 500 нс / 1 мкс / 1,5 мкс. Є багатофазний режим із зсувом фаз 0 / 120 ° (вибір виводом Phase_SEL) та інтерфейс UART. Тактовий кварц – 4 МГц на виводах OSC_IN / OSC_OUT.
Це оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, звіряйте корпус LQFP48, розпіновку та схему вмикання за datasheet. За даними виробника пов’язані мікросхеми – EG1160 та EG1611; перед встановленням порівнюйте їх з datasheet.
Де застосовують
- Інвертори постійного струму в змінний (чиста синусоїда) 12 / 24 / 48 В → 220 В, приклади до 1 кВт
- Системи безперебійного живлення (UPS)
Чим замінити EG8020?
За даними виробника, пов’язані мікросхеми – EG1160 та EG1611. Перед заміною порівняйте корпус, розпіновку та схему вмикання за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Для інверторів якої напруги підходить EG8020?
У документі наведено приклади інверторів 12 / 24 / 48 В → 220 В до 1 кВт з чистою синусоїдою. Мікросхема керує ключами MOSFET / IGBT, силових ключів у ній немає.
Який кварц потрібен для EG8020?
Тактовий кварц на 4 МГц, його підключають до виводів OSC_IN / OSC_OUT.
Документація виробника: EG8020 (EG Micro).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор SS8550C (2SC8550) , sot23
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Корпус | SOT-23 |
| Напруга колектор–емітер Vceo | –25 В (Ic –2 мА, Ib 0, Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | –40 В (Ic –100 мкА, Ie 0) |
| Напруга емітер–база Vebo | –6 В (Ie –100 мкА, Ic 0) |
| Струм колектора Ic | –1.5 А (постійний, Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 0.3 Вт (Ta 25 °C, SOT-23) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 120–400 (Vce –1 В, Ic –100 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | –0.5 В макс. (Ic –800 мА, Ib –80 мА) |
| Гранична частота fT | 100 МГц мін. (Vce –10 В, Ic –50 мА, f 30 МГц) |
| Виробник | Galaxy Microelectronics |
Схожі товари
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.