Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор FDP8896 оригінал, TO220

216,20 ₴

8 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

8 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

FDP8896 – N-канальний польовий транзистор onsemi (Fairchild) PowerTrench у корпусі TO-220, на 30 В і 92 А. Оригінал.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипMOSFET N-канал
Виробникonsemi (Fairchild Semiconductor)
Напруга Vds30 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C, Vgs 10 В)92 А
Rds(on) (Vgs 10 В, Id 35 А)5,0 мОм (тип.), 5,9 мОм (макс.)
Rds(on) (Vgs 4,5 В, Id 35 А)6,0 мОм (тип.), 7,0 мОм (макс.)
Vgs(th)1,2–2,5 В
Заряд затвора Qg48 нКл (тип.), 67 нКл (макс.)
Вхідна ємність Ciss2525 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц)
Pd80 Вт
Tj макс.175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал
Опис

FDP8896 – N-канальний MOSFET onsemi (Fairchild Semiconductor), технологія PowerTrench, корпус TO-220AB. Напруга Vds – 30 В (при Vgs 0 В, Id 250 мкА). Струм стоку Id – 92 А при Tc 25 °C і Vgs 10 В. Опір відкритого каналу Rds(on) при Vgs 10 В, Id 35 А – 5,0 мОм (тип.), 5,9 мОм (макс.); при Vgs 4,5 В, Id 35 А – 6,0 мОм (тип.), 7,0 мОм (макс.). Порогова напруга Vgs(th) – 1,2–2,5 В. Заряд затвора Qg – 48 нКл (тип.), 67 нКл (макс.) при Vgs 0–10 В, Vdd 15 В, Id 35 А. Вхідна ємність Ciss типово 2525 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 80 Вт, максимальна температура переходу – 175 °C.

Стан: оригінал, не демонтаж. Для заміни порівнюйте канал (потрібен N), напругу Vds, струм Id, Rds(on) при Vgs 10 В і корпус TO-220. Заряд затвора порівнюйте за datasheet: від нього залежить драйвер. Відправляємо Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • DC/DC перетворювачі
  • Синхронні та звичайні ШІМ-контролери
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
TTP95N68A канал N = N, Vds 68 ≥ 30, Id(25 °C) 95 ≥ 0.8×92=73.6, Rds(on) Vgs 10 В max 7.5 ≤ 1.3×5.9=7.67 мОм, корпус TO-220 = TO-220 Vds значно вище, перевірте керування затвором Купити
FIR60N06P канал N = N, Vds 60 ≥ 30, Id(25 °C) 80 ≥ 0.8×92=73.6, Rds(on) Vgs 10 В max 7.2 ≤ 1.3×5.9=7.67 мОм, корпус TO-220 = TO-220 Vds вище, перевірте керування затвором Купити
PDP8974 канал N = N, Vds 80 ≥ 30, Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×92=73.6, Rds(on) Vgs 10 В max 3.9 ≤ 1.3×5.9=7.67 мОм, корпус TO-220 = TO-220 перевірте заряд затвора за datasheet Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Чим замінити FDP8896?

Підходить N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vds не нижче 30 В, струмом Id близьким до 92 А і Rds(on) при Vgs 10 В близьким до 5,9 мОм. Варіанти з нашого каталогу є в таблиці аналогів. Взаємозамінність перевіряйте самостійно за datasheet.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи можна керувати FDP8896 логічним рівнем?

У datasheet Rds(on) наведено при Vgs 4,5 В: 6,0 мОм (тип.), 7,0 мОм (макс.) при Id 35 А. Порогова напруга Vgs(th) – 1,2–2,5 В.

Яка максимальна температура переходу?

175 °C, діапазон -55…175 °C.

Datasheet

Документація виробника: FDP8896 (onsemi).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

FDP8896 (onsemi) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247

В наявності

100,11 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал
ВиробникFairchild Semiconductor
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (25 °C)24 А
Струм стоку Id (100 °C)15.2 А
Rds(on)0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А)
Заряд затвора Qg90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)202 А
Струм Id (100 °C)143 А
Rds(on)3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А
Vgs(th)2–4 В при Id 250 мкА
Qg103.6 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd271 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220
ВиробникIPS
СтанОригінал

Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220

В наявності

69,56 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникHUAYI
Тип каналуN (режим збагачення)
Напруга Vds80 В (TC 25 °C)
Струм стоку Id200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C)
Rds(on)2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА)
Заряд затвора Qg197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Вхідна ємність Ciss8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd345 Вт (TC 25 °C)
Tj max175 °C
КорпусTO-220FB-3L
СтанОригінал

Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247

В наявності

129,72 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds950 В при Vgs 0 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)10 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)6.3 А
Опір Rds(on) (тип.)0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА
Потужність розсіювання Pd230 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
ВиробникSTMicroelectronics
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.