Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор F20N50SE ( WGF20N50SE ) оригінал, TO220F

216,20 ₴

16 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

16 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

F20N50SE ( WGF20N50SE ) – N-канальний польовий транзистор Wild Goose у корпусі TO-220F, на 500 В і 20 А при 25 °C. Оригінал.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипMOSFET N-канал
ВиробникWild Goose
Напруга Vds500 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)20 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)12,9 А
Rds(on) (Vgs 10 В, Id 10 А)0,23 Ом (макс.)
Vgs(th)2,5–4,5 В
Заряд затвора Qg50 нКл (тип.), 65 нКл (макс.)
Вхідна ємність Ciss3420 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd (Tc 25 °C)38,5 Вт
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220F
СтанОригінал
Опис

F20N50SE (WGF20N50SE) – N-канальний MOSFET виробництва Wild Goose у корпусі TO-220F. Напруга Vds – 500 В (при Vgs 0 В, Id 250 мкА). Струм стоку Id – 20 А при Tc 25 °C і 12,9 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – не більше 0,23 Ом при Vgs 10 В, Id 10 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2,5–4,5 В. Заряд затвора Qg – 50 нКл (тип.), 65 нКл (макс.) при Vds 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 3420 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 38,5 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Розпіновка TO-220F: 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік.

Стан: оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте канал (потрібен N), напругу Vds не нижче 500 В, струм Id при Tc 100 °C та Rds(on) при Vgs 10 В, а також корпус і розпіновку. Заміна в іншому корпусі потребує перевірки монтажу та тепловідведення. Відправляємо Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Імпульсні перетворювачі з низькими внутрішніми ємностями
  • Схеми з розширеною областю безпечної роботи (SOA)
Часто питають
Чим замінити F20N50SE?

Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з Vds не нижче 500 В і Id при Tc 100 °C не нижче 12,9 А. Rds(on) порівнюйте при Vgs 10 В. Взаємозамінність перевіряйте самостійно за datasheet.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Що означає WGF20N50SE у назві?

Це інше позначення тієї самої деталі Wild Goose. Datasheet наведений на WGF20N50SE.

Яка розпіновка корпусу TO-220F?

Виводи за datasheet: 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік.

Datasheet

Документація виробника: WGF20N50SE (Wild Goose).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

WGF20N50SE (Wild Goose) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds500 В
Струм Id (Tc 25 °C)16.5 А
Струм Id (Tc 100 °C)9.9 А
Rds(on)0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А
Vgs(th)3.0–5.0 В
Потужність розсіювання205 Вт
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)202 А
Струм Id (100 °C)143 А
Rds(on)3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А
Vgs(th)2–4 В при Id 250 мкА
Qg103.6 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd271 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220
ВиробникIPS
СтанОригінал

Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220

В наявності

69,56 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникHUAYI
Тип каналуN (режим збагачення)
Напруга Vds80 В (TC 25 °C)
Струм стоку Id200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C)
Rds(on)2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА)
Заряд затвора Qg197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Вхідна ємність Ciss8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd345 Вт (TC 25 °C)
Tj max175 °C
КорпусTO-220FB-3L
СтанОригінал

Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247

В наявності

129,72 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds950 В при Vgs 0 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)10 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)6.3 А
Опір Rds(on) (тип.)0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА
Потужність розсіювання Pd230 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
ВиробникSTMicroelectronics
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.