Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OSG55R380F ( OSG55R380FF ) оригінал, TO220F
164,50 ₴
8 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
8 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
OSG55R380F (OSG55R380FF) – оригінальний N-канальний MOSFET серії GreenMOS виробництва Oriental Semiconductor на 550 В у корпусі TO-220F.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал (GreenMOS) |
| Напруга Vds | 550 В (Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 11 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 7 А |
| Rds(on) | 380 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 5,5 А), 300 мОм тип. |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 12.5 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 549.3 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 28 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Vsd діода | 1.3 В макс. (Is 11 А) |
| trr діода | 199 нс тип. |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
OSG55R380F (OSG55R380FF) – N-канальний польовий транзистор серії GreenMOS виробництва Oriental Semiconductor у корпусі TO-220F. За даташитом OSG55R380FF (Oriental Semiconductor) напруга Vds – 550 В при Tj 25 °C. Струм стоку Id – 11 А при Tc 25 °C (розрахунок за максимальною температурою переходу) і 7 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – до 380 мОм при Vgs 10 В і Id 5,5 А, типово 300 мОм. Потужність розсіювання – 28 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Заряд затвора Qg – 12.5 нКл типово (Vgs 10 В, Vds 400 В, Id 6 А). Вхідна ємність Ciss типово 549.3 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц). Вбудований діод: Vsd до 1.3 В при Is 11 А, trr типово 199 нс.
У наявності оригінал. Для заміни порівнюйте напругу Vds, струм Id, Rds(on) і корпус TO-220F. Готових аналогів з перевіреними параметрами для цієї позиції в нашому каталозі немає, тому підбирайте деталь за даташитом.
Де застосовують
- Блоки живлення ПК, серверів і телеком
- LED-освітлення
- Зарядні пристрої для електромобілів
- Сонячні інвертори та ДБЖ
Чим замінити OSG55R380F?
Дивіться на N-канал, Vds не нижче 550 В, потрібний вам струм Id, Rds(on) не вище 380 мОм при Vgs 10 В і той самий корпус TO-220F. Остаточно порівнюйте з datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим відрізняються OSG55R380F і OSG55R380FF?
Обидва номери стоять у назві товару. Параметри в описі взято з документа виробника на OSG55R380FF.
Який струм витримує OSG55R380F?
Id 11 А при Tc 25 °C і 7 А при Tc 100 °C. У реальній схемі струм обмежують нагрів і радіатор.
Документація виробника: OSG55R380FF V2.0.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.