Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRSM027N08N4 ( 027N08N4 ) оригінал, DFN5*6
69,56 ₴
53 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
53 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
CRSM027N08N4 (маркування 027N08N4) – N-канальний MOSFET CR Micro у корпусі DFN5x6, оригінал. Для синхронного випрямлення, BMS та UPS.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Виробник | CR Micro |
| Напруга Vds | 80 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 189 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 120 А |
| Опір Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 50 А) | 2,5 мОм тип., 3,0 мОм макс. |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,2–3,8 В |
| Заряд затвора Qg | 76 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5520 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd (TC = 25 °C) | 156 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Стан | Оригінал |
CRSM027N08N4 – N-канальний польовий транзистор виробництва CR Micro, серія SkyMOS4, корпус DFN5x6 (clip). На корпусі маркування 027N08N4. Напруга стік–витік Vds – 80 В. Струм стоку Id – 189 А при TC = 25 °C і 120 А при TC = 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 2,5 мОм типово і 3,0 мОм максимум при VGS = 10 В, ID = 50 А, Tj 25 °C. Порогова напруга Vgs(th) – 2,2–3,8 В (типово 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА. Вхідна ємність Ciss типово 5520 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 156 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C.
Заряд затвора Qg – 76 нКл при VGS = 10 В, VDS = 40 В, ID = 50 А: це потрібно враховувати при виборі драйвера. Вбудований діод має Vsd типово 0,8 В при ISD = 50 А і trr 49 нс при IF = 50 А, dI/dt = 100 А/мкс. Це оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте канал, Vds, Id, Rds(on) при тому самому Vgs, Qg і корпус DFN5x6 з тією самою розпіновкою.
Де застосовують
- Синхронне випрямлення в AC/DC швидких зарядних пристроях
- Керування акумуляторами (BMS)
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
Чим замінити CRSM027N08N4?
Шукайте N-канальний MOSFET у DFN5x6 з Vds не нижче 80 В, Id не менше 189 А при 25 °C і Rds(on) не вищим за 3,0 мОм при VGS = 10 В. Порівнюйте datasheet самостійно, особливо заряд затвора (76 нКл) і розпіновку.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи підходить CRSM027N08N4 для BMS та UPS?
У datasheet серед застосувань названо керування акумуляторами (BMS), джерела безперебійного живлення (UPS) і синхронне випрямлення в AC/DC швидких зарядних пристроях.
На що звернути увагу при керуванні затвором?
Порогова напруга Vgs(th) – 2,2–3,8 В, а Rds(on) наведено при VGS = 10 В. Заряд затвора Qg – 76 нКл при VGS = 10 В, VDS = 40 В, ID = 50 А.
Документація виробника: CRSM027N08N4 (CR Micro).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.