Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

Параметр	Значення
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

Транзистор CS4145 оригінал, TO220

216,20 ₴

6 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

6 в наявності

Написати в Telegram Написати у Viber

Порівняти

Додати в обране

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія: Польові транзистори

CS4145 – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) на 60 В, 84 А при Tc 25 °C, у корпусі TO-220. Стан: оригінал.

Параметр	Значення
Корпус	TO-220

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Характеристики Опис Аналоги та заміни Часто питають Datasheet Доставка й оплата Відгуки

Додаткова інформація

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Напруга Vds	60 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА)
Струм стоку Id (Tc 25 °C)	84 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)	60 А
Rds(on)	8.5 мОм типово, Vgs 10 В, Id 42 А (макс. 10 мОм)
Заряд затвора Qg	82 нКл типово
Вхідна ємність Ciss	5785 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Vgs(th)	2–4 В
Vgs	±20 В
Потужність Pd (Tc 25 °C)	200 Вт
Tj макс.	175 °C
Корпус	TO-220
Виробник	Huajing Microelectronics
Стан	Оригінал

Опис

CS4145 – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) виробництва Huajing Microelectronics у корпусі TO-220AB. Напруга стік–витік Vds – 60 В (при Vgs 0 В, Id 250 мкА). Струм стоку Id – 84 А при Tc 25 °C і 60 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – типово 8.5 мОм при Vgs 10 В, Id 42 А (максимум 10 мОм). Заряд затвора Qg – типово 82 нКл. Вхідна ємність Ciss типово 5785 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В, напруга затвор–витік до ±20 В, потужність розсіювання 200 Вт при Tc 25 °C, температура переходу до 175 °C.

Стан деталі – оригінал. Виводи: 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал (N), Vds не нижче 60 В, струм стоку, Rds(on) при Vgs 10 В і корпус із розпіновкою. Параметри наведено за даташитом CS4145A8H (Huajing Microelectronics). У каталозі є кілька транзисторів у TO-220, які проходять це порівняння.

Де застосовують

Джерела безперебійного живлення (UPS)
Керування DC-двигунами
Підсилювачі класу D

Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель	Чому підходить	Примітка
FIR60N06P	канал N = N, Vds 60 ≥ 60, Id(25 °C) 80 ≥ 0.8×84=67.2, Rds(on) Vgs 10 В typ 6.2 ≤ 1.3×8.5=11.1 мОм, корпус TO-220 = TO-220	Qg вище: 90 нКл проти 82 нКл, перевірте драйвер затвора	Купити
TTP95N68A	канал N = N, Vds 68 ≥ 60, Id(25 °C) 95 ≥ 0.8×84=67.2, Rds(on) Vgs 10 В typ 6.5 ≤ 1.3×8.5=11.1 мОм, корпус TO-220 = TO-220	Напруга 68 В вища за 60 В; порівняйте розпіновку за даташитом	Купити
S60N12R	канал N = N, Vds 60 ≥ 60, Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×84=67.2, Rds(on) Vgs 10 В typ 4.5 ≤ 1.3×8.5=11.1 мОм, корпус TO-220 = TO-220	Qg 86 нКл проти 82 нКл	Купити
RU6199R	канал N = N, Vds 60 ≥ 60, Id(25 °C) 200 ≥ 0.8×84=67.2, Rds(on) Vgs 10 В typ 2.8 ≤ 1.3×8.5=11.1 мОм, корпус TO-220 = TO-220	Qg 155 нКл проти 82 нКл, перевірте драйвер затвора	Купити
IRFB3206	канал N = N, Vds 60 ≥ 60, Id(25 °C) 210 ≥ 0.8×84=67.2, Rds(on) Vgs 10 В typ 2.4 ≤ 1.3×8.5=11.1 мОм, корпус TO-220 = TO-220	Демонтаж; Qg 120 нКл проти 82 нКл, перевірте драйвер затвора	Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим замінити CS4145?

У каталозі є N-канальні транзистори в TO-220, які проходять порівняння: Vds не нижче 60 В, Id при 25 °C не нижче 0.8 × 84 А, Rds(on) при Vgs 10 В не вище 1.3 × 8.5 мОм. Вони перелічені в таблиці аналогів. Перед покупкою порівняйте їхні даташити зі схемою.

Як перевірити польовий транзистор мультиметром?

У режимі перевірки діодів прозвоніть вбудований діод між стоком і витоком: він веде себе як діод в один бік. Затвор має бути ізольований від інших виводів. Прозвонка накоротко між виводами означає пробій.

Який опір відкритого каналу в CS4145?

Типово 8.5 мОм при Vgs 10 В і Id 42 А, максимум 10 мОм. Для повного відкриття подавайте на затвор 10 В, а не поріг Vgs(th) 2–4 В.

Datasheet

Документація виробника: CS4145A8H (Huajing Microelectronics).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

CS4145A8H (Huajing Microelectronics) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F

В наявності

104,81 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Напруга Vds	500 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id	12 А (Tc 25 °C)
Rds(on)	0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А)
Vgs(th)	2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg	48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А)
Вхідна ємність Ciss	2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	40 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-220F
Виробник	OSEN
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P

В наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Напруга Vds	600 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id	20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C
Rds(on)	0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Vgs(th)	2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність Pd	272 Вт при Tc 25 °C
Вхідна ємність Ciss	2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Вбудований діод	є: Vsd макс. 1.5 В
Корпус	TO-3P
Стан	Оригінал

HY4008P транзистор TO220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220

В наявності

69,56 ₴

Параметр	Значення
Виробник	HUAYI
Тип каналу	N (режим збагачення)
Напруга Vds	80 В (TC 25 °C)
Струм стоку Id	200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C)
Rds(on)	2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Vgs(th)	2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА)
Заряд затвора Qg	197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Вхідна ємність Ciss	8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	345 Вт (TC 25 °C)
Tj max	175 °C
Корпус	TO-220FB-3L
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220

В наявності

117,50 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vdss	40 В
Струм Id (25 °C)	210 А
Струм Id (100 °C)	148 А
Rds(on)	2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А
Vgs(th)	1.3–2.5 В при Id 250 мкА
Заряд затвора Qg	239 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss	10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання	310 Вт
Макс. температура переходу	175 °C
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

Відгуки (0)

Оцінено в 0 з 5

0 відгуків на цей товар

Оцінено в 5 з 5

Оцінено в 4 з 5

Оцінено в 3 з 5

Оцінено в 2 з 5

Оцінено в 1 з 5

Відгуки

Очистити фільтри

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.