Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор FDP8860 оригінал, TO220

99,64 ₴

20 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

20 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

FDP8860 – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) на 30 В у корпусі TO-220, оригінал. Підходить для DC-DC перетворювачів і автомобільних систем старт-стартер / генератор.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Виробникonsemi (Fairchild Semiconductor)
ТипMOSFET, N-канал
Напруга Vds (Tc 25 °C)30 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C, VGS = 10 В)80 А (обмеження корпусу), 219 А (обмеження кремнію)
Опір Rds(on)1,9 мОм тип., 2,5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 80 А)
Опір Rds(on) при 4,5 В2,9 мОм макс. (VGS = 4,5 В, ID = 80 А)
Напруга Vgs(th)1–2,5 В, тип. 1,6 В (VGS = VDS, ID = 250 мкА)
Температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220
Вхідна ємність Ciss9200 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц)
СтанОригінал
Опис

FDP8860 – N-канальний польовий транзистор onsemi (Fairchild Semiconductor), технологія PowerTrench, діод з низьким Qrr. Напруга стік–витік Vds – 30 В при Tc 25 °C. Струм стоку Id при Tc 25 °C і VGS = 10 В – 80 А (обмеження корпусу) і 219 А (обмеження кремнію). Опір відкритого каналу Rds(on) – 1,9 мОм типово і 2,5 мОм максимум (VGS = 10 В, ID = 80 А); при VGS = 4,5 В – 2,9 мОм максимум (ID = 80 А). Порогова напруга Vgs(th) – 1–2,5 В, типово 1,6 В (VGS = VDS, ID = 250 мкА). Максимальна температура переходу Tj – 175 °C. Корпус TO-220AB. Вхідна ємність Ciss типово 9200 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц).

Стан: оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте з вашою деталлю канал (N), Vds не нижче, струм Id, Rds(on) не вище при тому ж Vgs і корпус TO-220 з тією ж розпіновкою. Якщо керуєте затвором від 4,5 В, дивіться саме значення Rds(on) при цій напрузі. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • DC-DC перетворювачі із синхронним або звичайним ШІМ-керуванням.
  • Системи старт-стартер / генератор автомобіля.
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим замінити FDP8860?

Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з тією ж розпіновкою. Vds має бути не нижче 30 В, Rds(on) не вищий за 2,5 мОм (VGS = 10 В, ID = 80 А), а струм Id порівнянний. Порівнюйте цифри при однакових умовах вимірювання.

Як перевірити FDP8860 мультиметром?

Вимкніть деталь з плати. У режимі перевірки діодів між стоком і витоком транзистор поводиться як діод, а між затвором і іншими виводами струму бути не повинно. Перед перевіркою розрядіть затвор, торкнувшись до виводів.

Чому в даташиті два значення струму Id?

80 А – обмеження корпусу, 219 А – обмеження кремнієвого кристала (Tc 25 °C, VGS = 10 В). У схемі орієнтуйтеся на менше значення, тобто на обмеження корпусу.

Datasheet

Документація виробника: FDP8860 (onsemi).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

FDP8860 (onsemi) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)202 А
Струм Id (100 °C)143 А
Rds(on)3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А
Vgs(th)2–4 В при Id 250 мкА
Qg103.6 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd271 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220
ВиробникIPS
СтанОригінал

Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220

В наявності

69,56 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникHUAYI
Тип каналуN (режим збагачення)
Напруга Vds80 В (TC 25 °C)
Струм стоку Id200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C)
Rds(on)2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА)
Заряд затвора Qg197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Вхідна ємність Ciss8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd345 Вт (TC 25 °C)
Tj max175 °C
КорпусTO-220FB-3L
СтанОригінал

Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипN-канальний MOSFET (CoolMOS)
V(BR)DSS500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА)
Струм Id16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C)
Qg66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А)
Вхідна ємність Ciss1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Ptot160 Вт (Tc 25 °C)
Vgs±20 В
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdss500 В
Струм стоку Id (DC)15 А (Ta 25 °C)
Опір Rds(on)0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА)
Потужність Pd50 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Температура каналу Tch150 °C
Напруга Vgss±30 В
КорпусTO-220F
ВиробникToshiba
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.