Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HUAYI G045N03 ( HYG045N03 , HYG045N03LA1D ) оригінал(заміна для FTD045N03NA ), D-PAK
107,16 ₴
12 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
12 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
G045N03 – N-канальний польовий транзистор HUAYI у корпусі D-PAK для комутації навантаження. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Виробник | HUAYI |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 30 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 80 А (Tc 25 °C), 56 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 290 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 3.8 мОм (тип.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Qg | 47 нКл (тип.) при Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2156 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 57 Вт (Tc 25 °C) |
| Стан | Оригінал |
G045N03 (HYG045N03, HYG045N03LA1D) – N-канальний MOSFET виробництва HUAYI у корпусі D-PAK (TO-252-2L). Напруга Vds – 30 В при Tc 25 °C. Струм стоку Id – 80 А при Tc 25 °C і 56 А при Tc 100 °C, імпульсний струм Idm – 290 А при Tc 25 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 3.8 мОм (тип.) при Vgs 10 В і Id 20 А, максимум 4.5 мОм; при Vgs 4,5 В – 5.1 мОм (тип.). Заряд затвора Qg – 47 нКл (тип.) при Vgs 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 2156 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 57 Вт при Tc 25 °C. Вбудований діод є.
Товар оригінальний, не демонтаж. Для заміни дивіться на тип каналу, корпус, Vds, Id, Rds(on) при тому самому Vgs і заряд затвора Qg: від нього залежить навантаження на драйвер. G045N03 може замінити FTD045N03NA; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Комутація навантаження
- Захист літієвих акумуляторів
Чим замінити G045N03?
Шукайте N-канальний MOSFET у D-PAK з Vds не нижче 30 В, струмом і Rds(on) не гіршими за G045N03 при тому самому Vgs. Порівнюйте з datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи може G045N03 замінити FTD045N03NA?
Так, G045N03 може замінити FTD045N03NA. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Який опір каналу при керуванні 4,5 В?
5.1 мОм (тип.) при Vgs 4,5 В і Id 20 А; максимум 6.0 мОм. При Vgs 10 В – 3.8 мОм (тип.).
Документація виробника: HYG045N03LA1D (HUAYI).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.