Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусD2PAK
СтанОригінал

Транзистор SKSS055N08N оригінал, TO263

216,20 ₴

12 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

12 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

SKSS055N08N – оригінальний N-канальний польовий транзистор CR Micro у корпусі TO-263 для керування двигунами, BMS та UPS.

ПараметрЗначення
КорпусD2PAK

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds85 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)120 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)86 А
Rds(on) (Vgs 10 В, Id 50 А)4,3 мОм (тип.), 5,2 мОм (макс.)
Порогова напруга Vgs(th)2–4 В
Заряд затвора Qg55 нКл
Вхідна ємність Ciss3086 пФ
Потужність Pd (Tc 25 °C)174 Вт
Макс. температура переходу150 °C
КорпусD2PAK
ВиробникCR Micro
СтанОригінал
Опис

SKSS055N08N – N-канальний MOSFET виробництва CR Micro (China Resources Microelectronics Chongqing), технологія SkyMOS1, корпус TO-263. Напруга Vds – 85 В. Струм стоку Id – 120 А при Tc 25 °C (обмеження корпусом, для кремнію – 135 А) і 86 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 4,3 мОм (тип.), 5,2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 50 А, Tj 25 °C. Заряд затвора Qg – 55 нКл при Vgs 10 В, Vds 40 В, Id 50 А. Вхідна ємність Ciss типово 3086 пФ. Потужність розсіювання – 174 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C.

Стан – оригінал, не демонтаж. Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА, максимальна напруга затвор-витік – ±20 В. Вбудований діод має час зворотного відновлення trr 60 нс при IF 20 А, dI/dt 500 А/мкс. Для заміни порівнюйте канал, Vds, Id, Rds(on) і корпус. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Керування двигунами та приводи
  • Системи керування акумуляторами (BMS)
  • Джерела безперебійного живлення (UPS)
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим замінити SKSS055N08N?

Підбирайте за каналом (N), Vds не нижче 85 В, Id і Rds(on) не гірше, у корпусі TO-263. Взаємозамінність перевіряйте самостійно за даташитом.

Чи підходить для керування двигуном?

Керування двигунами та приводи – одне із застосувань за документом. Rds(on) 4,3 мОм наведено при Vgs 10 В, тому перевірте, що ваш драйвер дає таку напругу на затворі.

Чому струм 120 А, а не більше?

120 А при Tc 25 °C – обмеження корпусом TO-263. Для самого кремнію в документі вказано 135 А.

Datasheet

Документація виробника: SKSS055N08N (CR Micro).

Статус виробництва в документі не вказано.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

SKSS055N08N (CR Micro) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi (Fairchild)
Тип каналуN (UniFET)
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id16 А (температура не вказана)
Rds(on)0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А)
Vgs(th)3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds600 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність Pd272 Вт при Tc 25 °C
Вхідна ємність Ciss2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Вбудований діодє: Vsd макс. 1.5 В
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Trench Gate
Напруга Vdss250 В
Струм Id25 (Tc 25 °C)50 А
Rds(on)60 мОм (макс.) при Vgs 10 В
Vgs(th)3.0–5.0 В при Id 1 мА
Заряд затвора Qg(on)78 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання400 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F

В наявності

107,16 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, режим збагачення
Напруга Vds600 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)12 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)7.6 А
Опір Rds(on) (тип.)0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникSilan
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.