Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор Magna 60R360P ( 60R360P7 , MMD60R360P, MMD60R360PRH ) , DPAK
107,16 ₴
7 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
7 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
60R360P (MMD60R360P, MMD60R360PRH) – N-канальний суперперехідний польовий транзистор MagnaChip у корпусі DPAK для PFC, імпульсних перетворювачів і адаптерів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Тип каналу | N (super junction) |
| Напруга Vds | 600 В (650 В при Tj max) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 11 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.95 А |
| Rds(on) | 0.35 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS 10 В, ID 3.8 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 В (VDS = VGS, ID 0.25 мА) |
| Заряд затвора Qg | 28 нКл (VGS 10 В, VDS 480 В, ID 11 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 890 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 83 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| trr | 375 нс (ISD 11 А, di/dt 100 А/мкс) |
| Vsd | 1.4 В макс. (ISD 11 А, VGS 0 В) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
60R360P (MMD60R360P) – N-канальний MOSFET виробництва MagnaChip за технологією super junction, корпус TO-252 (DPAK). Напруга Vds 600 В, 650 В при максимальній температурі переходу. Струм стоку Id 11 А при Tc 25 °C і 6.95 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) 0.35 Ом типово, 0.38 Ом максимум при VGS 10 В, ID 3.8 А. Порогова напруга Vgs(th) 2–4 В, типово 3 В. Заряд затвора Qg 28 нКл при VGS 10 В, VDS 480 В, ID 11 А. Вхідна ємність Ciss типово 890 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання 83 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу 150 °C. Час зворотного відновлення діода trr 375 нс при ISD 11 А, di/dt 100 А/мкс.
Маркування на корпусі – 60R360P. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал (потрібен N), Vds, Id, Rds(on) при VGS 10 В, заряд затвора і розпіновку в тому самому корпусі DPAK, а також datasheet обох деталей. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Каскади PFC у джерелах живлення, імпульсні перетворювачі, адаптери, керування двигунами, DC-DC
Які ще номери має ця деталь?
У назві вказано також 60R360P7, MMD60R360P і MMD60R360PRH.
Чи підходить для PFC і джерел живлення?
Так, основні застосування за документом – каскади PFC у джерелах живлення, імпульсні перетворювачі та адаптери.
Яка напруга відкриття затвора?
Порогова напруга Vgs(th) 2–4 В, типово 3 В при VDS = VGS, ID 0.25 мА.
На що звернути увагу при заміні?
На Vds 600 В, Id 11 А при Tc 25 °C, Rds(on) до 0.38 Ом при VGS 10 В і корпус DPAK. Взаємозамінність перевіряйте за datasheet.
Документація виробника: MMD60R360P (MagnaChip).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 202 А |
| Струм Id (100 °C) | 143 А |
| Rds(on) | 3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А |
| Vgs(th) | 2–4 В при Id 250 мкА |
| Qg | 103.6 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 271 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | IPS |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.