Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор Magna MDP15N60G оригінал, TO220

90,24 ₴

Немає в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Немає в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

MDP15N60G – N-канальний польовий транзистор MagnaChip у корпусі TO-220 на 600 В, 15 А при Tc 25 °C. Оригінал.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds600 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА)
Струм Id (25 °C)15 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В)
Струм Id (100 °C)9.5 А
Rds(on)0.40 Ом (макс.), 0.34 Ом (тип.) при Vgs 10 В, Id 7.5 А
Vgs(th)від 3.0 до 5.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Qg49.0 нКл (тип.; Vds 480 В, Id 15 А, Vgs 10 В)
Потужність Pd231.4 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Вбудований діодє (Vsd макс. 1.4 В при Is 15 А)
КорпусTO-220
ВиробникMagnaChip
СтанОригінал
Опис

MDP15N60G – N-канальний MOSFET виробника MagnaChip у корпусі TO-220. Напруга стік–витік Vds – 600 В при Vgs 0 В, Id 250 мкА. Струм стоку Id – 15 А при Tc 25 °C, Vgs 10 В і 9.5 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0.40 Ом (макс.), 0.34 Ом (тип.) при Vgs 10 В, Id 7.5 А. Порогова напруга Vgs(th) – від 3.0 до 5.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА. Заряд затвора Qg – 49.0 нКл (тип.) при Vds 480 В, Id 15 А, Vgs 10 В. Потужність розсіювання – 231.4 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Вбудований діод є: Vsd до 1.4 В при Is 15 А.

Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівняйте тип каналу, Vds, Id, Rds(on) при Vgs 10 В, заряд затвора Qg і розпіновку корпусу TO-220. Якщо у заміни Qg помітно більший, перевірте, чи впорається драйвер затвора. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Джерела живлення (SMPS)
  • PFC
  • Швидке комутування великих струмів
  • Загальне застосування
Часто питають
Чим замінити MDP15N60G?

Підбирайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з тим самим або вищим Vds, струмом Id не нижче потрібного та близьким Rds(on) при Vgs 10 В. Перед заміною порівняйте datasheet.

Яка в MDP15N60G напруга й струм?

Vds 600 В при Vgs 0 В, Id 250 мкА; Id 15 А при Tc 25 °C і 9.5 А при Tc 100 °C.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи є в MDP15N60G вбудований діод?

Так, вбудований діод є: Vsd до 1.4 В при Is 15 А.

Datasheet

Документація виробника: MDP15N60G (MagnaChip).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

MDP15N60G (MagnaChip) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F

В наявності

104,81 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id12 А (Tc 25 °C)
Rds(on)0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А)
Вхідна ємність Ciss2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd40 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникOSEN
СтанОригінал

Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, режим збагачення
Напруга Vds650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА)
Струм стоку Id38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В)
Опір Rds(on) макс.99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C)
Заряд затвора Qg103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2–5 В (Id 250 мкА)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)

В наявності

71,44 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN (HEXFET)
Напруга Vds60 В
Струм стоку Id210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А)
Струм стоку Id (100 °C)150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В)
Rds(on)2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА)
Заряд затвора Qg120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss6540 пФ
Потужність Pd300 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-220
ВиробникInfineon (International Rectifier)
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247

В наявності

129,72 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds950 В при Vgs 0 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)10 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)6.3 А
Опір Rds(on) (тип.)0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА
Потужність розсіювання Pd230 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
ВиробникSTMicroelectronics
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.