Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

Транзистор PTF30N50EL оригінал, TO247 б/в

282,00 ₴

10 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

10 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

PTF30N50EL – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) 500 В, 30 А у корпусі TO-247. Оригінал, б/в.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал
Напруга Vds500 В
Струм Id30 А (Tc = 25 °C)
Опір Rds(on)150 мОм тип., 200 мОм макс. (Vgs = 10 В)
Потужність Pd333 Вт (Tc = 25 °C)
Заряд затвора Qg108 нКл
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

PTF30N50EL – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) у корпусі TO-247. За даташитом PTF30N50EL: напруга стік–витік Vds 500 В, напруга затвор–витік ±30 В. Струм стоку Id 30 А при Tc = 25 °C і 18 А при Tc = 100 °C, імпульсний Idm 120 А. Потужність розсіювання Pd 333 Вт (Tc = 25 °C), тепловий опір перехід–корпус 0,38 °C/Вт, температура переходу від –55 до +150 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) 150 мОм типово і не більше 200 мОм (Vgs = 10 В, Id = 15 А). Порогова напруга Vgs(th) від 2,5 до 4,5 В, заряд затвора Qg 108 нКл, вхідна ємність Ciss 4150 пФ. Вбудований діод має пряму напругу не більше 1,5 В при струмі 30 А.

За даташитом такі транзистори ставлять у драйвери безколекторних двигунів, зварювальні апарати й імпульсні блоки живлення. Деталь оригінальна, б/в. Заміну підбирайте за тим самим каналом (N) і корпусом TO-247: Vds не нижче 500 В, струм стоку не нижче 30 А, опір відкритого каналу не вищий. Перед монтажем звірте розпіновку з платою: за даташитом зліва направо G – затвор, D – стік, S – витік. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • драйвери безколекторних двигунів (BLDC)
  • зварювальні апарати
  • імпульсні блоки живлення
Часто питають
Це оригінальна деталь чи вживана?

Оригінал, б/в.

Чим замінити PTF30N50EL?

Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-247 з напругою стік–витік не нижче 500 В, струмом стоку не нижче 30 А і опором відкритого каналу не вищим за 200 мОм. Перед заміною звірте розпіновку й параметри з документацією на ваш пристрій.

Як перевірити польовий транзистор?

Тестером у режимі перевірки діодів перевірте, що між затвором і рештою виводів немає пробою, а канал стік–витік не «дзвонить» в обидва боки. Повну перевірку роблять у схемі або на тестері транзисторів.

Звідки параметри PTF30N50EL?

З даташиту PTF30N50EL (PIP), Rev. B.2017, корпус TO-247.

Datasheet

Документація виробника: PTF30N50EL (PIP).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

PTF30N50EL (PIP) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220

В наявності

69,56 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникHUAYI
Тип каналуN (режим збагачення)
Напруга Vds80 В (TC 25 °C)
Струм стоку Id200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C)
Rds(on)2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА)
Заряд затвора Qg197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Вхідна ємність Ciss8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd345 Вт (TC 25 °C)
Tj max175 °C
КорпусTO-220FB-3L
СтанОригінал

Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247

В наявності

96,35 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss80 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)200 А
Струм Id (100 °C)153 А
Rds(on)2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А
Vgs(th)2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА
Qg195 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd397 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-247
ВиробникHooyi (Huayi)
СтанОригінал

Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Trench Gate
Напруга Vdss250 В
Струм Id25 (Tc 25 °C)50 А
Rds(on)60 мОм (макс.) при Vgs 10 В
Vgs(th)3.0–5.0 В при Id 1 мА
Заряд затвора Qg(on)78 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання400 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdss500 В
Струм стоку Id (DC)15 А (Ta 25 °C)
Опір Rds(on)0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА)
Потужність Pd50 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Температура каналу Tch150 °C
Напруга Vgss±30 В
КорпусTO-220F
ВиробникToshiba
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.