Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TOLL |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HUAYI HYG006N04 ( G006N04 , HYG006N04LS1TA ) оригінал(40V/600A), TOLL
138,65 ₴
20 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
20 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
HYG006N04 (G006N04, HYG006N04LS1TA) – N-канальний MOSFET HUAYI на 40 В і 600 А у корпусі TOLL. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TOLL |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Позначення | HYG006N04 |
| Маркування | G006N04 |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TOLL |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 600 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 424 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 80 А) | 0.45 мОм тип., 0.60 мОм макс. |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 428 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 15400 пФ (Vds 25 В, f 300 кГц) |
| Стан | Оригінал |
HYG006N04 (маркування G006N04, також HYG006N04LS1TA) – N-канальний MOSFET HUAYI у корпусі TOLL. Напруга стік–витік Vds – 40 В при Vgs 0 В, Tj 25 °C. Струм стоку Id – 600 А при Tc 25 °C і 424 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0.45 мОм типово і 0.60 мОм максимум при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; при Vgs 4.5 В типово 0.61 мОм. Розсіювана потужність – 428 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Вхідна ємність Ciss типово 15400 пФ (Vds 25 В, f 300 кГц).
Товар оригінальний, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал, Vds, Id, Rds(on) при Vgs 10 В та заряд затвора Qg (230 нКл при Vds 32 В, Vgs 10 В, Id 80 А). Корпус TOLL і розпіновка мають збігатися, інакше деталь не встане на плату без переробки. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Комутаційні схеми
- Керування живленням інверторних систем
- Керування батареями (BMS)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити HYG006N04?
Шукайте N-канальний транзистор у корпусі TOLL з Vds не нижче 40 В, Id не менше 600 А при Tc 25 °C і Rds(on) не вище 0.60 мОм при Vgs 10 В. Розпіновку корпусу звіряйте з datasheet.
Чи підходить для керування батареями (BMS)?
Керування батареями (BMS) входить у застосування цієї деталі. Для таких схем важливий низький опір каналу: Rds(on) – 0.45 мОм типово при Vgs 10 В, Id 80 А.
Чи можна керувати затвором напругою 4.5 В?
Rds(on) при Vgs 4.5 В – 0.61 мОм типово і 0.75 мОм максимум при Id 80 А, Tc 25 °C. Порогова напруга Vgs(th) – 1.8 В при Id 250 мкА.
Документація виробника: HYG006N04LS1TA (HUAYI).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.