Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-263-6L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HUAYI G028N10 ( HYG028N10 , HYG028N10NS1B6 ) оригінал, TO263-6
94,00 ₴
24 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
24 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
HYG028N10NS1B6 (G028N10) – N-канальний MOSFET HUAYI у корпусі TO263-6 на 100 В. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-263-6L |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Позначення | HYG028N10NS1B6 |
| Маркування | G028N10 |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-263-6L |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 230 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 162 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 50 А) | 2.4 мОм тип., 3.1 мОм макс. |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 300 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 10320 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
HYG028N10NS1B6 (маркування G028N10, також HYG028N10) – N-канальний MOSFET HUAYI у корпусі TO263-6. Напруга стік–витік Vds – 100 В при Vgs 0 В, Tj 25 °C. Струм стоку Id – 230 А при Tc 25 °C і 162 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 2.4 мОм типово і 3.1 мОм максимум при Vgs 10 В, Id 50 А, Tc 25 °C. Розсіювана потужність – 300 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Вхідна ємність Ciss типово 10320 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц).
Товар оригінальний, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал, Vds, Id, Rds(on) при Vgs 10 В та заряд затвора Qg (176 нКл при Vds 80 В, Vgs 10 В, Id 50 А). Корпус TO263-6 і розпіновка мають збігатися, інакше деталь не встане на плату без переробки. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Комутаційні схеми живлення
- Джерела безперебійного живлення
- Керування двигунами
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити HYG028N10NS1B6?
Шукайте N-канальний транзистор у корпусі TO263-6 з Vds не нижче 100 В, Id не менше 230 А при Tc 25 °C і Rds(on) не вище 3.1 мОм при Vgs 10 В. Розпіновку корпусу звіряйте з datasheet.
Які ще позначення має ця деталь?
Маркування G028N10, також зустрічається HYG028N10. Повна назва – HYG028N10NS1B6.
Яка напруга керування затвором?
Rds(on) наведено при Vgs 10 В. Порогова напруга Vgs(th) – 3 В при Id 250 мкА, максимальна напруга затвор–витік Vgs – ±20 В.
Документація виробника: HYG028N10NS1B6 (HUAYI).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 140 А (розрахунково) |
| Rds(on) | 2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 155 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.