Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ST STP26N60M2 ( 26N60M2 ) оригінал, TO220
282,00 ₴
6 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
6 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
STP26N60M2 (26N60M2) – N-канальний польовий транзистор STMicroelectronics серії MDmesh M2 у корпусі TO-220, оригінал. Для імпульсних перетворювачів і джерел живлення.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (MDmesh M2) |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 13 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм Idm | 80 А |
| Опір Rds(on) | 140 мОм тип., макс. 165 мОм (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 В тип., 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 34 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 1360 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs | ±25 В |
| Потужність Pd | 169 Вт при Tc 25 °C |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
STP26N60M2 (маркування 26N60M2) – N-канальний MOSFET серії MDmesh M2 виробництва STMicroelectronics у корпусі TO-220. Напруга Vds 600 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА). Струм стоку Id 20 А при Tc 25 °C і 13 А при Tc 100 °C, імпульсний Idm 80 А. Опір Rds(on) 140 мОм типово, максимум 165 мОм (VGS = 10 В, ID = 10 А). Заряд затвора Qg 34 нКл типово (VDD = 480 В, ID = 20 А). Вхідна ємність Ciss типово 1360 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd 169 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу Tj 150 °C. Напруга затвор-витік Vgs ±25 В. Виробник заявляє дуже малий заряд затвора, 100 % випробування на лавинний режим і захист затвора стабілітроном.
Стан – оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал (N), Vds, Id, Rds(on) при Vgs 10 В і корпус TO-220: якщо Qg у заміни вдвічі більший, драйвер потрібно перевірити. Datasheet: DS14659 Rev 1 (STMicroelectronics). Відправка в день оплати або наступного дня Новою Поштою, магазин у Запоріжжі.
Де застосовують
- Імпульсні перетворювачі та джерела живлення високої ефективності.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити STP26N60M2?
Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vds не нижче 600 В, Id не менше 20 А при Tc 25 °C і Rds(on) не вище 140 мОм при Vgs 10 В. Якщо Qg у заміни вдвічі більший, перевірте драйвер затвора.
Яка напруга відкриття затвора?
Порогова напруга Vgs(th) типово 3 В, діапазон 2–4 В при VDS = VGS, ID = 250 мкА. Максимальна напруга затвор-витік Vgs ±25 В.
Чи є захист затвора?
За даними виробника, затвор захищений стабілітроном, а деталь проходить 100 % випробування на лавинний режим.
Документація виробника: DS14659 Rev 1.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.