Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор WXD G20T65D оригінал , TO220F
253,80 ₴
46 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
46 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
G20T65D – оригінальний IGBT-транзистор WXD з вбудованим діодом у корпусі TO-220F. За даташитом DHG20T65D: 650 В, 18 А.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 36 А |
| Струм Ic при 100 °C | 18 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,8 В (тип.) |
| Вбудований діод | так |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | WXD |
| Стан | Оригінал |
G20T65D – IGBT-транзистор WXD з вбудованим діодом у корпусі TO-220F. Точного даташиту на G20T65D не знайшли, тому параметри наведено за даташитом найближчої схожої деталі DHG20T65D (WXDH): напруга колектор–емітер Vces 650 В, струм колектора Ic 36 А при TC = 25 °C і 18 А при TC = 100 °C, імпульсний струм Icm 54 А. Напруга насичення Vce(sat) типово 1,8 В (макс. 2,4 В) при VGE = 15 В, IC = 18 А. Порогова напруга Vge(th) від 4,5 до 7 В, напруга затвор–емітер ±20 В. Заряд затвора Qg типово 59 нКл, вхідна ємність Cies типово 1095 пФ. Розсіювана потужність Pd 26 Вт (TC = 25 °C), тепловий опір перехід–корпус 4,8 °C/Вт, температура переходу від -55 до +150 °C. Діод: прямий струм 18 А при TC = 100 °C, пряма напруга типово 1,4 В при IF = 10 А, час відновлення trr типово 47 нс.
Оригінал, не демонтаж. Заміну підбирайте за корпусом TO-220F і розпіновкою, з напругою не нижче 650 В, струмом не нижче 18 А при 100 °C і з вбудованим діодом. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- керування двигунами
- коректори коефіцієнта потужності (PFC)
- ДБЖ
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити G20T65D?
Шукайте IGBT у корпусі TO-220F з вбудованим діодом, напругою колектор–емітер не нижче 650 В і струмом не нижче 18 А при TC = 100 °C. Параметри G20T65D наведено за даташитом DHG20T65D, тому перед заміною звірте їх зі схемою.
Як перевірити IGBT мультиметром?
Перевірте, що між затвором, колектором і емітером немає короткого замикання, а вбудований діод веде струм в одному напрямку. Повну перевірку роблять у схемі.
Звідки параметри G20T65D?
Точного даташиту на G20T65D не знайшли. Параметри наведено за даташитом найближчої схожої деталі – DHG20T65D (WXDH) у корпусі TO-220F. Точний збіг усіх значень не гарантуємо.
Найближчий datasheet: DHG20T65D (WXDH).
Точного даташиту на G20T65D не знайдено. Найближчий схожий даташит – DHG20T65D (WXDH).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.