Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор FGD4536 , D-PAK
58,75 ₴
12 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
12 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FGD4536 – IGBT-транзистор Fairchild Semiconductor на 360 В у корпусі D-PAK (TO-252) для плазмових телевізійних панелей (PDP). Вбудованого діода немає.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Корпус (докладно) | TO-252 (D-PAK), виводи G, C, E |
| Напруга Vces | 360 В (VGE = 0) |
| Імпульсний струм Icp | 220 А (TC = 25 °C, імпульс < 1 мс) |
| Vce(sat) | 1.59 В при IC = 50 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C |
| Vge(th) | 3.3 В (IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 47 нКл (VCE = 200 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1295 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Вбудований діод | немає |
FGD4536 – одиночний N-канальний IGBT Fairchild Semiconductor (trench) у корпусі TO-252 (D-PAK), виводи G, C, E. Напруга колектор–емітер Vces – 360 В (VGE = 0). Імпульсний струм колектора Icp – 220 А (TC = 25 °C, напівсинусоїда, D < 0,01, імпульс < 1 мс; обмежено Tj max). Напруга насичення Vce(sat) – 1.59 В при IC = 50 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C (макс. 1.8 В) і 1.66 В при TC = 125 °C. Порогова напруга Vge(th) – 3.3 В (діапазон 2.4–4.0 В). Заряд затвора Qg – 47 нКл при VCE = 200 В, IC = 20 А, VGE = 15 В. Вхідна ємність Cies типово 1295 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність – 125 Вт при TC = 25 °C (50 Вт при TC = 100 °C), максимальна температура переходу – 150 °C.
Вбудованого діода паралельно колектор–емітер у цього IGBT немає. Підбираючи заміну, дивіться на корпус D-PAK, розпіновку G, C, E, напругу 360 В, імпульсний струм, Vce(sat) і заряд затвора. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Телевізори з плазмовою панеллю (PDP) та побутова техніка, де потрібні низькі втрати провідності й перемикання.
Для чого призначений FGD4536?
Для телевізорів з плазмовою панеллю (PDP) та побутової техніки, де потрібні низькі втрати провідності й перемикання.
Чи є в FGD4536 вбудований діод?
Ні. На схемі виробу діода паралельно колектор–емітер немає.
Чим замінити FGD4536?
Потрібен N-канальний IGBT у корпусі D-PAK з Vces не нижче 360 В, тією ж розпіновкою G, C, E та не гіршим Vce(sat). Врахуйте, що діода в цієї деталі немає. Взаємозамінність перевіряйте за datasheet.
Яка напруга насичення в FGD4536?
1.59 В при IC = 50 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C (макс. 1.8 В); при TC = 125 °C – 1.66 В.
Документація виробника: FGD4536 (Fairchild Semiconductor).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.