Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Magnachip MDP1932 ( MDP1932TH ) оригінал, TO220
216,20 ₴
6 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
6 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
MDP1932 (MDP1932TH) – N-канальний польовий транзистор Magnachip на 80 В у корпусі TO-220. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Magnachip |
| Тип | N-канал, trench |
| Напруга Vdss | 80 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id (обмеження корпусом) | 120 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Струм Id (обмеження кристалом) | 175 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Струм Id | 110 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 3,0 мОм типово, 3,4 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 50 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл (Vds 40 В, Id 50 А, Vgs 10 В, типово) |
| Вхідна ємність Ciss | 7.2 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Напруга Vgss | ±20 В |
| Потужність Pd | 209 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
MDP1932 (MDP1932TH) – одноканальний N-канальний польовий транзистор Magnachip за технологією trench у корпусі TO-220. Оригінал. Напруга стік-витік Vdss – 80 В (Ta 25 °C). Струм стоку Id – 120 А з обмеженням корпусом і 175 А з обмеженням кристалом (Tc 25 °C, Vgs 10 В), 110 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 3,0 мОм типово і 3,4 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 50 А, Tj 25 °C). Розсіювана потужність Pd – 209 Вт при Tc 25 °C. Напруга затвор-витік Vgss – ±20 В. Вхідна ємність Ciss типово 7.2 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц).
Виробник вказує застосування: синхронне випрямлення в серверних і загальних джерелах живлення. Заряд затвора Qg – 105 нКл (Vds 40 В, Id 50 А, Vgs 10 В, типово), тому драйвер має бути розрахований на такий заряд. Якщо підбираєте заміну, порівнюйте напругу, струм, опір каналу при Vgs 10 В і корпус TO-220. Доставка з Запоріжжя Новою Поштою, відправка в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Синхронне випрямлення в серверних і загальних джерелах живлення
Чим замінити MDP1932?
Шукайте N-канальний транзистор у TO-220 з Vdss не менше 80 В, з таким самим або кращим струмом при Tc 100 °C (у MDP1932 – 110 А) і Rds(on) не гірше за 3,4 мОм макс. при Vgs 10 В. Якщо у заміни більший заряд затвора, перевірте драйвер.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим MDP1932 відрізняється від MDP1932TH?
Це один транзистор: MDP1932TH – повне позначення, яке вказане в дужках у назві.
Чому в datasheet два значення струму стоку?
Для Tc 25 °C виробник наводить 175 А за обмеженням кристалом і 120 А за обмеженням корпусом. Для розрахунку беріть менше значення.
Документація виробника: MDP1932 Single N-channel Trench MOSFET 80V, 120A, 3.4 mOhm, Version 1.3.
Параметри наведено за datasheet виробника Magnachip (Version 1.3, Jun. 2021).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 140 А (розрахунково) |
| Rds(on) | 2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 155 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.