Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3306 ( FB3306 ) оригінал, TO220
125,96 ₴
50 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
50 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IRFB3306 (FB3306) – N-канальний польовий транзистор HEXFET Infineon (International Rectifier) у корпусі TO-220. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний HEXFET MOSFET |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм Id (TC=25 °C, корпус) | 120 А |
| Струм Id (TC=25 °C, кристал) | 160 А |
| Струм Id (TC=100 °C) | 110 А |
| Rds(on) | 3,3 мОм (тип.), 4,2 мОм (макс.) при VGS=10 В, ID=75 А |
| Заряд затвора Qg | 85 нКл (тип.), 120 нКл (макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4520 пФ |
| Потужність Pd (TC=25 °C) | 230 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon Technologies (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал |
IRFB3306 (FB3306) – N-канальний HEXFET MOSFET Infineon Technologies (International Rectifier) у корпусі TO-220AB. Напруга стік–витік 60 В. Струм стоку 120 А при TC=25 °C і VGS=10 В (обмеження корпусу та виводів), 160 А за обмеженням кристала; при TC=100 °C – 110 А. Опір відкритого каналу Rds(on) 3,3 мОм (тип.) і 4,2 мОм (макс.) при VGS=10 В, ID=75 А, TJ=25 °C. Заряд затвора Qg 85 нКл (тип.) і 120 нКл (макс.) при ID=75 А, VDS=30 В, VGS=10 В. Вхідна ємність Ciss типово 4520 пФ. Розсіювана потужність 230 Вт при TC=25 °C, робочий діапазон температур від -55 до +175 °C. Виробник вказує покращену стійкість діода до dV/dt і dI/dt та лавинну стійкість.
Стан: оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте напругу, струм, Rds(on) при однаковому Vgs, заряд затвора і корпус. Виробник рекомендує пряму заміну IRFB3306PBFXKMA1. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Синхронне випрямлення у SMPS
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
- Високошвидкісне силове перемикання
- Жорстко комутовані та високочастотні схеми
Чим замінити IRFB3306?
За даними DigiKey, рекомендована виробником заміна – IRFB3306PBFXKMA1. Інші варіанти порівнюйте за напругою, струмом, Rds(on) при однаковому Vgs і корпусом TO-220.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Як перевірити MOSFET IRFB3306?
Справний транзистор не проводить між стоком і витоком, доки на затвор не подано напругу відкриття. Порогова напруга Vgs(th) 2,0–4,0 В при VDS=VGS, ID=150 мкА. Провідність між виводами без керування означає пробій.
Який струм витримує IRFB3306?
Обмеження корпусу та виводів – 120 А при TC=25 °C і VGS=10 В. Обмеження кристала – 160 А при тих самих умовах, при TC=100 °C – 110 А.
Документація виробника: IRFB3306PbF / IRFS3306PbF / IRFSL3306PbF, HEXFET Power MOSFET.
Параметри наведено за datasheet виробника Infineon (International Rectifier); datasheet спільний для IRFB/IRFS/IRFSL3306, значення взято для корпусу TO-220.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.