Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусD2PAK
СтанОригінал

Транзистор STB42N65M5 ( 42N65M5 ) оригінал, D2PAK

216,20 ₴

14 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

14 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

STB42N65M5 (42N65M5) – N-канальний польовий транзистор STMicroelectronics у корпусі D2PAK для імпульсних джерел живлення. Оригінал.

ПараметрЗначення
КорпусD2PAK

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипMOSFET N-канал
Напруга Vds650 В
Струм Id (25 °C)33 А
Струм Id (100 °C)20.8 А
Rds(on) тип. / макс.70 / 79 мОм (VGS = 10 В, ID = 16.5 А)
Заряд затвора Qg98 нКл
Вхідна ємність Ciss4650 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц)
Потужність Pd190 Вт (TC = 25 °C)
Tj max150 °C
КорпусD2PAK
СтанОригінал
Опис

STB42N65M5 – N-канальний MOSFET серії MDmesh M5 виробництва STMicroelectronics у корпусі D2PAK. Напруга стік–витік Vds – 650 В (при ID = 1 мА, VGS = 0 В). Струм стоку Id – 33 А при TC = 25 °C і 20.8 А при TC = 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 70 мОм типовий, 79 мОм максимальний (при VGS = 10 В, ID = 16.5 А). Заряд затвора Qg – 98 нКл (при VDD = 520 В, ID = 33 А, VGS = 0–10 В). Вхідна ємність Ciss типово 4650 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 190 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу Tj – 150 °C. Вбудований діод між стоком і витоком є.

Стан: оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте канал, Vds, Id, Rds(on), заряд затвора і корпус: драйвер затвора має впоратися з Qg. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Імпульсні перетворювачі та джерела живлення (Switching applications)
  • MDmesh M5: дуже низький Rds(on), для схем з високою потужністю та ККД
Часто питають
Чим замінити STB42N65M5?

Підбирайте деталь з тим самим каналом (N-канал), не нижчою напругою Vds, не меншим струмом Id, не вищим Rds(on) і в тому самому корпусі D2PAK. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Як перевірити STB42N65M5 перед монтажем?

Мультиметром у режимі перевірки діодів: затвор не повинен мати зв'язку зі стоком і витоком.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Що означає M5 у назві серії?

STB42N65M5 належить до серії MDmesh M5: за даними виробника, вона відрізняється дуже низьким Rds(on) і розрахована на схеми з високою потужністю та ККД.

Datasheet

Документація виробника: STB42N65M5 (STMicroelectronics).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

STB42N65M5 (STMicroelectronics) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi (Fairchild)
Тип каналуN (UniFET)
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id16 А (температура не вказана)
Rds(on)0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А)
Vgs(th)3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Trench Gate
Напруга Vdss250 В
Струм Id25 (Tc 25 °C)50 А
Rds(on)60 мОм (макс.) при Vgs 10 В
Vgs(th)3.0–5.0 В при Id 1 мА
Заряд затвора Qg(on)78 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання400 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )

В наявності

109,98 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss60 В
Струм Id (25 °C)200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А)
Струм Id (100 °C)140 А (розрахунково)
Rds(on)2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А
Vgs(th)2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА
Qg155 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
Pd300 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-220
ВиробникRuichips
СтанОригінал

Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247

В наявності

129,72 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds950 В при Vgs 0 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)10 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)6.3 А
Опір Rds(on) (тип.)0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА
Потужність розсіювання Pd230 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
ВиробникSTMicroelectronics
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.