Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор VND14NV04 ( VND14 NV04 ) оригінал, TO252
160,27 ₴
18 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
18 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
VND14NV04 – захищений (smart) N-канальний MOSFET OMNIFET II у корпусі TO-252 (DPAK). Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Захищений N-канальний MOSFET, OMNIFET II |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга обмеження Vclamp | 40–55 В (тип. 45 В), VIN = 0 В, ID = 7 А |
| Струм обмеження Ilim | 12–24 А (тип. 18 А), VIN = 5 В, VDS = 13 В |
| Поріг входу VIN(th) | 0,5–2,5 В, VDS = VIN, ID = 1 мА |
| Потужність Ptot | 74 Вт, TC = 25 °C |
| Теплове відключення Tjsh | 150–200 °C (тип. 175 °C), VIN = 5 В |
| Енергія лавини Eas | 400 мДж, Tj = 25 °C (старт), VDD = 24 В, L = 24 мГн |
| Стан | Оригінал |
VND14NV04 (VND14 NV04) – захищений N-канальний MOSFET серії OMNIFET II виробництва STMicroelectronics у корпусі TO-252 (DPAK). У кристал вбудовані обмеження струму, тепловий захист і обмеження напруги стоку. Напруга обмеження Vclamp – 40–55 В (тип. 45 В) при VIN = 0 В, ID = 7 А. Струм обмеження Ilim – 12–24 А (тип. 18 А) при VIN = 5 В, VDS = 13 В. Поріг входу VIN(th) – 0,5–2,5 В при VDS = VIN, ID = 1 мА. Потужність розсіювання Ptot – 74 Вт при TC = 25 °C. Тепловий захист спрацьовує при 150–200 °C (тип. 175 °C), VIN = 5 В.
Це оригінал, не демонтаж. Звичайний MOSFET не має обмеження струму й теплового відключення, тому в схемі, де вони використовуються, його ставити не можна. За даними виробника прямі заміни – VNB14NV04, VND14NV04-1, VNS14NV04; перед заміною порівняйте корпус і цоколівку за datasheet. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Заміна звичайних силових MOSFET у застосуваннях постійного струму до 50 кГц
- Вбудовані тепловий захист, лінійне обмеження струму, захист від перенапруги, діагностика через вхідний вивід
Чим замінити VND14NV04?
За даними виробника, прямі заміни – VNB14NV04, VND14NV04-1 і VNS14NV04. Перед заміною порівняйте корпус і цоколівку за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим VND14NV04 відрізняється від звичайного MOSFET?
У ньому вбудовані обмеження струму, тепловий захист і обмеження напруги стоку. Струм обмеження – 12–24 А при VIN = 5 В, VDS = 13 В.
Яка напруга на вході відкриває канал?
Поріг входу VIN(th) – 0,5–2,5 В при VDS = VIN, ID = 1 мА.
Документація виробника: VND14NV04 (Doc ID 7393 Rev 9).
Опір Rds(on) у документі подано неоднозначно, тому в картці його немає.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.