Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор G15T60 ( IGP15N60T ) оригінал, TO220

133,48 ₴

2 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

2 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

G15T60 (IGP15N60T) – оригінальний IGBT-транзистор Infineon серії TRENCHSTOP на 600 В у корпусі TO-220. Для перетворювачів частоти та UPS.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
Напруга Vces600 В (Tj 25 °C)
Vce(sat)1.5 В (Vge 15 В, Ic 15 А, Tj 25 °C)
Vge(th)4.9 В (Ic 210 мкА)
Заряд затвора Qg87 нКл
Вхідна ємність Cies860 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd130 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал
Опис

G15T60 – це маркування IGBT-транзистора IGP15N60T виробництва Infineon (серія TRENCHSTOP) у корпусі TO-220. Напруга колектор–емітер Vces – 600 В при Tj 25 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1.5 В типово при Vge 15 В, Ic 15 А, Tj 25 °C і 1.9 В при Tj 175 °C. Порогова напруга затвора Vge(th) – 4.9 В типово (4.1–5.7 В; Ic 210 мкА). Заряд затвора Qg – 87 нКл (Vcc 480 В, Ic 15 А, Vge 15 В). Вхідна ємність Cies типово 860 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 130 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C.

Це оригінальна деталь, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівняйте корпус TO-220, Vces, струм колектора при 100 °C, Vce(sat) і заряд затвора Qg: від нього залежить навантаження на драйвер. Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Перетворювачі частоти
  • Джерела безперебійного живлення (UPS)
Часто питають
Що означає маркування G15T60?

G15T60 – це маркування на корпусі IGBT IGP15N60T від Infineon.

Чим замінити G15T60?

Порівняйте корпус TO-220, напругу Vces 600 В, струм колектора при 100 °C і Vce(sat) 1.5 В. Заряд затвора Qg у заміни має бути близьким до 87 нКл, інакше змініть режим драйвера.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Для чого застосовують IGP15N60T?

За даними виробника – у перетворювачах частоти та джерелах безперебійного живлення (UPS).

Datasheet

Документація виробника: IGP15N60T (Infineon).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

IGP15N60T (Infineon) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор FGA60N65SMD , TO-3P

В наявності

208,68 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникFairchild Semiconductor (onsemi)
Напруга Vces650 В
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Напруга насичення Vce(sat)1.9 В тип. / 2.5 В макс.
Заряд затвора Qg189 нКл тип. / 284 нКл макс.
Вбудований діодтак
Розсіювана потужність Pd600 Вт (Tc 25 °C)
КорпусTO-3P

IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга колектор–емітер Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)65 А
Струм колектора Ic (100 °C)40 А
Напруга насичення Vce(sat)1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C
Вбудований швидкий діодє
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-3P
Вхідна ємність Cies2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц)
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

258,50 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В (Tvj ≥25 °C)
Струм колектора Ic (25 °C)80 А
Струм колектора Ic (100 °C)50 А
Розсіювана потужність Pd (25 °C)275 Вт
Напруга насичення Vce(sat)1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C)
КорпусTO-247
Вбудований діодVrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс
Максимальна температура переходу Tj175 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.