Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор H40R1353 ( IHW40N135R3 ) , TO247
126,90 ₴
Немає в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Немає в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор H40R1353 (IHW40N135R3) у корпусі TO-247 з вбудованим діодом для м’якої комутації. Нова деталь.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vce | 1350 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А (Tc 25 °C, обмежено Tvj max) |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А (Tc 100 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,65 В (Vge 15 В, Ic 40 А, Tvj 25 °C, типове) |
| Порогова напруга затвора Vge(th) | 5,8 В (Ic 1 мА, Vce = Vge, типове) |
| Заряд затвора Qg | 365 нКл (Vcc 1080 В, Ic 40 А, Vge 15 В) |
| Час спаду tf | 43 нс (Tvj 25 °C, Vcc 600 В, Ic 40 А, Vge 0/15 В, Rg 7,5 Ом) |
| Вбудований діод | так, монолітний, для м’якої комутації |
| Пряма напруга діода Vf | 1,65 В (If 40 А, Vge 0 В, Tvj 25 °C, типове) |
| Потужність розсіювання Ptot | 429 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tvj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
H40R1353 (у назві вказано також IHW40N135R3) – IGBT-транзистор Infineon Technologies у корпусі TO-247. Напруга колектор–емітер Vce 1350 В. Струм колектора Ic 80 А при Tc 25 °C (обмежено Tvj max) і 40 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) типово 1,65 В (Vge 15 В, Ic 40 А, Tvj 25 °C). Заряд затвора Qg 365 нКл (Vcc 1080 В, Ic 40 А, Vge 15 В). Усередині є монолітний діод для м'якої комутації, Vf типово 1,65 В (If 40 А, Vge 0 В, Tvj 25 °C). Потужність розсіювання Ptot 429 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу Tvj 175 °C. Параметри за даташитом IHW40N135R3 (Infineon Technologies).
Нова деталь, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівняйте напругу Vce, струм Ic при Tc 100 °C, наявність вбудованого діода та корпус: вони мають бути не гірші за наведені вище. Заряд затвора Qg потрібен, щоб перевірити, чи впорається ваш драйвер. Відправляємо Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Індукційні плити (нагрівання)
- Інверторні мікрохвильові печі
- Резонансні перетворювачі
- Схеми з м'яким перемиканням
Це нова деталь чи демонтаж?
Нова деталь, не демонтаж.
Чим замінити H40R1353?
У назві вказано IHW40N135R3. Інші заміни підбирайте самостійно за datasheet: Vce не нижче 1350 В, Ic при Tc 100 °C не нижче 40 А, вбудований діод, корпус TO-247.
Як перевірити IGBT перед встановленням?
Мультиметром у режимі перевірки діодів перевірте вбудований діод і відсутність пробою між виводами. Колектор–емітер у закритому стані має бути без провідності.
Для яких схем призначений цей IGBT?
Вбудований діод розрахований на м'яку комутацію, тому транзистор використовують в індукційних плитах, інверторних мікрохвильових печах і резонансних перетворювачах.
Документація виробника: IHW40N135R3 (Infineon Technologies).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.