Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247A |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор RJH65T14 оригінал, TO247
282,00 ₴
7 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
7 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
RJH65T14 – IGBT-транзистор Renesas на 650 В зі вбудованим швидким діодом, оригінал. Оптимізований для індукційного нагріву.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247A |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Корпус | TO-247A |
| Напруга Vces | 650 В |
| Напруга Vges | 30 В (максимум) |
| Струм Ic | 100 А при Tc = 25 °C; 50 А при Tc = 100 °C |
| Імпульсний струм | 180 А (обмежений областю безпечної роботи) |
| Vce(sat) | 1,45 В (тип.), 1,75 В (макс.) при Ic = 50 А, Vge = 15 В, Tc = 25 °C |
| Vge(off) | 4–7 В при Vce = 10 В, Ic = 1 мА, Tc = 25 °C |
| Потужність Pc | 250 Вт |
| Температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | так, швидкий (fast recovery) |
| Струм діода Idf | 40 А при Tc = 25 °C; 20 А при Tc = 100 °C |
| Vecf діода | 1,2 В (тип.), 1,6 В (макс.) при If = 20 А |
| trr діода | 250 нс при If = 20 А, dIf/dt = 300 А/мкс |
| Заряд затвора Qg | 80 нК при Vge = 15 В, Vce = 300 В, Ic = 50 А |
| Вхідна ємність Cies | 1750 пФ при Vce = 25 В, Vge = 0, f = 1 МГц |
| Eoff | 1,2 мДж (25 °C), 1,45 мДж (150 °C) при Vcc = 400 В, Vge = 15 В, Ic = 50 А, Rg = 10 Ом |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0,6 °C/Вт |
| Стан | Оригінал |
RJH65T14 (у документації Renesas – RJH65T14DPQ-A0) – IGBT-транзистор у корпусі TO-247A, оригінал. Напруга колектор-емітер Vces – 650 В, напруга затвор-емітер Vges – до 30 В. Струм колектора Ic – 100 А при Tc = 25 °C і 50 А при Tc = 100 °C, імпульсний – 180 А (обмежений областю безпечної роботи). Vce(sat) – 1,45 В типово, 1,75 В максимум при Ic = 50 А, Vge = 15 В, Tc = 25 °C. Вбудований швидкий діод: струм 40 А при Tc = 25 °C і 20 А при Tc = 100 °C, trr – 250 нс при If = 20 А, dIf/dt = 300 А/мкс. Розсіювана потужність – 250 Вт, максимальна температура переходу – 175 °C, заряд затвора Qg – 80 нК при Vge = 15 В, Vce = 300 В, Ic = 50 А.
Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, Ic при Tc = 100 °C, Vce(sat), наявність діода і заряд затвора Qg: якщо він удвічі більший, перевірте драйвер. Корпус і розпіновка мають збігатися. Значення взяті з datasheet Renesas R07DS1256EJ0110 Rev.1.10. Відправляємо Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Нагрівання індукцією (Induction Heating), оптимізовано для схем зі струмовим резонансом (current resonance)
Чим замінити RJH65T14?
Потрібен IGBT з Vces не нижче 650 В, з Ic при Tc = 100 °C близьким до 50 А або більшим, з вбудованим швидким діодом і в тому самому корпусі. Порівнюйте також Vce(sat) і Qg.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Для чого призначений RJH65T14?
За даними Renesas, він оптимізований для нагрівання індукцією в схемах зі струмовим резонансом.
Який струм діода в RJH65T14?
Вбудований швидкий діод: 40 А при Tc = 25 °C і 20 А при Tc = 100 °C, trr – 250 нс при If = 20 А, dIf/dt = 300 А/мкс.
Документація виробника: R07DS1256EJ0110 Rev.1.10, RJH65T14DPQ-A0, 650V - 50A - IGBT.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.