Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор H30PR5 ( IHW30N135R5 ) оригінал демонтаж б/в , TO-247
164,50 ₴
3 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
3 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
H30PR5 (IHW30N135R5) – IGBT-транзистор Infineon з вбудованим діодом для індукційних плит і мікрохвильових печей. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Модель | IHW30N135R5 |
| Напруга Vces | 1350 В (Tvj = 25 °C) |
| Струм Ic | 60 А (Tc = 25 °C); 30 А (Tc = 100 °C) |
| Vce(sat), типово | 1.65 В (VGE = 15 В, Ic = 30 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 330 Вт (Tc = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1810 пФ |
| Вбудований діод | так |
| Температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
H30PR5 – це IGBT-транзистор Infineon, маркування відповідає моделі IHW30N135R5 у корпусі TO-247. Це зворотно-провідний IGBT з монолітним діодом з малою прямою напругою. Напруга колектор–емітер Vces – 1350 В при Tvj = 25 °C. Струм колектора Ic – 60 А при Tc = 25 °C (обмежений Tvj max) і 30 А при Tc = 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) типово 1.65 В при VGE = 15 В, Ic = 30 А, Tvj = 25 °C. Вхідна ємність Cies типово 1810 пФ. Потужність розсіювання – 330 Вт при Tc = 25 °C. Максимальна температура переходу – 175 °C.
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Щоб підібрати заміну, порівняйте Vces, Ic при Tc = 100 °C, Vce(sat), наявність вбудованого діода та корпус, а також заряд затвора Qg: типово 235 нКл при VCC = 1080 В, Ic = 30 А, VGE = 15 В. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Індукційні плити
- Мікрохвильові печі
- Резонансні перемикальні схеми (серія Resonant Switching)
Чим замінити H30PR5?
Потрібен IGBT у корпусі TO-247 з тим самим або вищим Vces (1350 В), з вбудованим діодом і не меншим струмом при Tc = 100 °C (30 А). Перед заміною порівняйте datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів.
Чи підходить H30PR5 для мікрохвильової печі?
Так, виробник вказує мікрохвильові печі, індукційні плити та резонансні перемикальні схеми серії Resonant Switching як сфери застосування.
Чи є в H30PR5 вбудований діод?
Так, діод монолітний з малою прямою напругою (зворотно-провідний IGBT). Пряма напруга діода типово 1.85 В при IF = 30 А, VGE = 0 В, Tvj = 25 °C.
Документація виробника: IHW30N135R5 (Infineon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.