Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор 40N60NPFD ( SGT40N60NPFD ) оригінал , TO-3P
105,75 ₴
50 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
50 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор 40N60NPFD (SGT40N60NPFD) Silan Field Stop з вбудованим діодом у корпусі TO-3P. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silan |
| Тип | IGBT N-канал Field Stop з діодом |
| Напруга Vce | 600 В |
| Номінальний струм колектора | 40 А |
| Імпульсний струм Icm | 120 А |
| Vce(sat) typ | 1.8 В при Ic 40 А, Vge 15 В |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1850 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Час спаду tf | 105 нс |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | так, FRD |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
40N60NPFD (SGT40N60NPFD) – IGBT-транзистор Silan типу Field Stop з вбудованим швидким діодом у корпусі TO-3P. Напруга колектор-емітер Vce – 600 В, номінальний струм колектора – 40 А. Імпульсний струм Icm – 120 А. Напруга насичення Vce(sat) типово 1.8 В при Ic 40 А, Vge 15 В, максимум 2,7 В; при Tc 125 °C – 2.1 В. Заряд затвора Qg – 100 нКл (Vce 300 В, Ic 20 А, Vge 15 В). Вхідна ємність Cies типово 1850 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Енергія вимкнення Eoff – 0.68 мДж, час спаду tf – 105 нс (Vce 400 В, Ic 40 А, Rg 10 Ом, Vge 15 В, індуктивне навантаження). Пряма напруга діода Vfm – 1.9 В при If 20 А, Tc 25 °C, максимум 2,6 В. Максимальна температура переходу 150 °C.
Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте напругу Vce, струм колектора, Vce(sat), заряд затвора Qg, наявність діода та корпус TO-3P. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Індукційний нагрів
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
- Імпульсні джерела живлення (SMPS) і корекція коефіцієнта потужності (PFC)
Чим замінити 40N60NPFD?
Заміну підбирайте за datasheet: корпус TO-3P, Vce не нижче 600 В, вбудований діод, порівнянні Vce(sat) і заряд затвора Qg. Номер SGT40N60NPFD вказаний у назві як позначення цієї ж деталі.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи є в 40N60NPFD вбудований діод?
Так, літера D у позначенні означає вбудований швидкий діод FRD. Пряма напруга Vfm – 1.9 В при If 20 А і Tc 25 °C.
Для чого використовують 40N60NPFD?
За даними виробника – в індукційному нагріві, джерелах безперебійного живлення (UPS), імпульсних джерелах живлення (SMPS) і корекції коефіцієнта потужності (PFC).
Документація виробника: SGT40N60NPFDPN (Silan) Rev.1.4.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.