Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор K50EH5 ( IKW50N65H5 )(650V,80A) , TO247 оригінал демонтаж б/в
141,00 ₴
5 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
5 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор K50EH5 (IKW50N65H5) 650 В, 80 А з антипаралельним діодом у корпусі TO-247. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT TRENCHSTOP 5 H5 з діодом RAPID 1 |
| Напруга Vce | 650 В |
| Струм IC при 25 °C | 80 А (обмежено виводами) |
| Струм IC при 100 °C | 56 А |
| Імпульсний струм колектора | 150 А |
| Vce(sat) при 25 °C, IC = 50 А | 1,65 В тип., 2,10 В макс. |
| Заряд затвора QG | 120 нКл |
| Потужність Ptot при 25 °C | 305 Вт |
| Температура переходу Tvj | -40…+175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
K50EH5 – маркування IGBT-транзистора Infineon IKW50N65H5 серії TRENCHSTOP 5 H5 в корпусі PG-TO247-3 з антипаралельним швидким діодом RAPID 1. Напруга колектор-емітер Vce – 650 В при VGE = 0 В, IC = 0,2 мА. Струм колектора IC – 80 А при TC = 25 °C (обмежено виводами) і 56 А при TC = 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) типово 1,65 В, максимум 2,10 В при VGE = 15 В, IC = 50 А, Tvj = 25 °C. Заряд затвора QG – 120 нКл при VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В. Потужність розсіювання Ptot – 305 Вт при TC = 25 °C.
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте з datasheet напругу Vce, струм IC при TC = 100 °C, Vce(sat), заряд затвора QG, наявність вбудованого діода та корпус TO-247. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Сонячні інвертори
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
- Зварювальні перетворювачі
- Перетворювачі із середньою і високою частотою комутації
Чим замінити IKW50N65H5?
Заміну підбирайте за datasheet: корпус TO-247, Vce не нижче 650 В, вбудований діод, порівнянні IC при TC = 100 °C, Vce(sat) і заряд затвора QG. Готових підтверджених аналогів у нашому каталозі для цієї деталі немає.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Що означає маркування K50EH5?
Це маркування на корпусі IGBT Infineon IKW50N65H5, воно вказано в datasheet виробника.
Чи є в IKW50N65H5 вбудований діод?
Так, це IGBT з антипаралельним швидким діодом RAPID 1. Його пряма напруга VF типово 1,45 В, максимум 1,80 В при VGE = 0 В, IF = 27 А, Tvj = 25 °C.
Документація виробника: IKW50N65H5 Datasheet, Rev. 2.1.
Eoff не наведено: значення в datasheet неможливо надійно привʼязати до умов вимірювання.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha and Omega Semiconductor (AOS) |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (Product Summary) | 60 А |
| Vce(sat) typ | 1.85 В при Ic=60 А |
| Vge(th) typ | 5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3288 пФ |
| Час спаду tf | 16 нс |
| Стійкість до КЗ tsc | 10 мкс |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.3 °C/Вт |
| Діапазон Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Зворотно-провідний IGBT (soft switching) |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Потужність Ptot (25 °C) | 365 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.6 В |
| Заряд затвора Qg | 60.7 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 25 А, 25 °C) | 1.5 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.