Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор BT40T60 ( BT40T60ANF , BT40T60ANFD , BT40T60BNF ) , TO-3P оригінал
235,00 ₴
3 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
3 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор BT40T60 (BT40T60ANF, BT40T60ANFD, BT40T60BNF) на 600 В, 40 А – для зварювальних апаратів, сонячних інверторів і ДБЖ. Оригінал, TO-3P.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм ICM | 120 А |
| Vce(sat) (40А/15В/25°C) | 1.9 В тип. / 2.4 В макс. |
| Пряма напруга діода Vf | 1.8 В тип. / 2.6 В макс. |
| Розсіювана потужність Ptot | 280 Вт |
| Робоча температура Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
BT40T60 (BT40T60ANF, BT40T60ANFD, BT40T60BNF) – IGBT-транзистор FS Trench з вбудованим зворотним діодом від Wuxi China Resources Huajing Microelectronics. Максимальна напруга колектор-емітер Vces – 600 В. Струм колектора Ic – 80 А при Tc=25 °C і 40 А при Tc=100 °C (імпульсний ICM – 120 А). Напруга насичення Vce(sat) – 1.9 В тип. / 2.4 В макс. при Ic=40 А, Vge=15 В, Tj=25 °C. Вбудований діод: пряма напруга Vf 1.8 В тип. / 2.6 В макс. при If=20 А, час відновлення trr 80 нс тип. Розсіювана потужність Ptot – 280 Вт при Tc=25 °C, робоча температура переходу Tj – від -55 до +150 °C. Корпус – TO-3P.
Товар – оригінал, не демонтаж. Перед відправкою перевіряємо маркування, цілісність виводів і корпуса. Серед транзисторів у наявності за параметрами (Vces не нижче 600 В, Ic при 100 °C не нижче 32 А, той самий корпус TO-3P, вбудований діод) підходять 50T65FD1 (SGT50T65FD1PN) і FGA60N65SMD – перед заміною звіряйте Vce(sat) і струм під вашу схему.
Де застосовують
- Зварювальне обладнання (Welding)
- Сонячні інвертори (Solar Inverter)
- ДБЖ (UPS)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| 50T65FD1 (SGT50T65FD1PN) | IGBT, той самий корпус TO-3P: Vces 650 В ≥ 600 В, Ic(100°C) 50 А ≥ 32 А (0.8×40), Vce(sat) порівнянне, діод є | Vce(sat) 2.2 В тип. виміряна при 50 А, а не при 40 А – під менший струм напруга насичення буде трохи нижчою | Купити |
| FGA60N65SMD | IGBT, той самий корпус TO-3P: Vces 650 В ≥ 600 В, Ic(100°C) 60 А ≥ 32 А (0.8×40), Vce(sat) порівнянне (1.9 В тип. при 60 А, збігається з BT40T60 при 40 А), діод є | стан (оригінал/демонтаж) у товарі не вказаний у назві – уточнюйте окремо | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити BT40T60?
Серед транзисторів у наявності за параметрами Vces, Ic при 100 °C і корпусом TO-3P підходять 50T65FD1 (SGT50T65FD1PN) і FGA60N65SMD – перевірте Vce(sat) під ваш робочий струм перед установкою.
Чому в назві товару три суфікси – ANF, ANFD, BNF?
Знайдений datasheet виданий для суфікса BT40T60ANFU; ANF, ANFD і BNF – ймовірно варіанти пакування чи відбору тієї самої 600В/40А серії, окремого документа саме на ці суфікси не знайдено.
Як перевірити IGBT перед монтажем?
Мультиметром у режимі діода перевірте перехід колектор-емітер і затвор-емітер на відсутність пробою чи КЗ, звірте маркування з написом на корпусі.
Чи підходить BT40T60 для зварювального апарата?
Так, за даними виробника деталь призначена саме для зварювального обладнання, сонячних інверторів і ДБЖ.
Документація виробника: BT40T60ANFU, Silicon FS Trench IGBT, Huajing Microelectronics.
Знайдений datasheet виданий для суфікса BT40T60ANFU; на суфікси ANF, ANFD, BNF із назви товару окремого документа не знайдено – параметри наведені для тієї самої 600В/40А серії за найближчим доступним джерелом.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Діод 1N4148
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay |
| Корпус | DO-35 (DO-204AH) |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 100 В (Tamb 25 °C) |
| Зворотна напруга Vr | 75 В (Tamb 25 °C) |
| Постійний прямий струм If | 300 мА (l = 4 мм, Tamb 25 °C) |
| Повторюваний імпульсний прямий струм Ifrm | 500 мА (Tamb 25 °C) |
| Середній прямий струм If(av) | 150 мА (Vr = 0) |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 1 В (If = 10 мА, Tamb 25 °C) |
| Зворотний струм Ir (макс.) | 25 нА (Vr = 20 В, Tamb 25 °C) |
| Час відновлення trr (макс.) | 4 нс (If = 10 мА, Vr = 6 В, iR = 0,1 x Ir, RL = 100 Ом) |
| Ємність Cd (макс.) | 4 пФ (Vr = 0 В, f = 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Ptot | 500 мВт (Tamb 25 °C) |
| Температура переходу Tj (макс.) | 175 °C |
Мікросхема LNK626PG оригінал ( заміна для LNK624PG , LNK625PG ), DIP7
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | LinkSwitch-CV |
| Напруга пробою MOSFET (Drain, абс. максимум) | 725 В |
| Частота перемикання (TJ = 25 °C) | 100 кГц |
| Макс. коефіцієнт заповнення (TJ = 25 °C) | 54 % |
| Піковий струм стоку, абс. максимум | 720 (1080) мА |
| Вихідна потужність, адаптер (230 В AC ±15 %, 5 В, +50 °C) | 10,5 Вт |
| Вихідна потужність, відкрита рамка (230 В AC ±15 %, 5 В, +50 °C) | 17 Вт |
| Робоча температура переходу (абс. максимум) | -40…150 °C |
| Корпус | DIP7 |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha and Omega Semiconductor (AOS) |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (Product Summary) | 60 А |
| Vce(sat) typ | 1.85 В при Ic=60 А |
| Vge(th) typ | 5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3288 пФ |
| Час спаду tf | 16 нс |
| Стійкість до КЗ tsc | 10 мкс |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.3 °C/Вт |
| Діапазон Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.