Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RU6099R ( RU6099 , RU6099R3 ) оригінал , TO220
164,50 ₴
18 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
18 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
RU6099R (RU6099, RU6099R3) – потужний N-канальний MOSFET Ruichips у корпусі TO-220, оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220FB-3L |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга стік-витік Vdss | 60 В |
| Тривалий струм стоку Id | 120 А (Tc 25 °C, радіатор); 90 А за Tc 100 °C |
| Rds(on) за Vgs 10 В, Ids 40 А | 6.0 мОм тип. / 7.0 мОм макс. |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2 мін. / 3 тип. / 4 макс. В |
| Заряд затвора Qg | 72 тип. / 105 макс. нКл |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C); 150 Вт за Tc 100 °C |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Пряма напруга діода Vsd | 0.83 тип. / 1.1 макс. В (Isd 20 А) |
| Час відновлення діода trr | 50 нс (Isd 40 А) |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Корпус (докладно) | TO-220 (TO-220FB-3L) |
| Стан | Оригінал |
RU6099R (RU6099, RU6099R3) – потужний N-канальний MOSFET виробництва Ruichips у корпусі TO-220. Напруга стік-витік Vdss – 60 В (Vgs=0 В, Ids 250 мкА, TA 25 °C), тривалий струм стоку Id – 120 А на великому радіаторі за Tc 25 °C (90 А за Tc 100 °C). Опір відкритого каналу Rds(on) – 6.0 мОм тип. / 7.0 мОм макс. за Vgs 10 В, Ids 40 А; ці параметри та корпус підтверджені другим джерелом (LCSC). Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В, заряд затвора Qg – 72–105 нКл. Розсіювана потужність Pd – 200 Вт за Tc 25 °C (150 Вт за Tc 100 °C), максимальна температура переходу Tj – 175 °C. Товар – оригінал, перевірка перед відправкою. Транзистор має вбудований зворотний діод: пряма напруга Vsd – 0.83 В тип. / 1.1 В макс. за Isd 20 А, час відновлення trr – 50 нс за Isd 40 А. Перед встановленням звірте маркування на корпусі з номером RU6099R (RU6099, RU6099R3): літера в кінці маркування визначає виконання корпусу – R (TO-220), S (TO-263) або P (TO-220F). Підбираючи заміну, орієнтуйтеся на Vdss не нижче 60 В, Id не нижче 120 А і Rds(on) не вище 7.0 мОм за тих самих умов вимірювання. Застосування: системи комутації (Switching Application Systems), інверторні системи (Inverter Systems).
Де застосовують
- Switching Application Systems (системи комутації)
- Inverter Systems (інверторні системи)
Який тривалий струм стоку у RU6099R?
120 А на великому радіаторі за Tc 25 °C; за Tc 100 °C – 90 А, за даними виробника.
Чим замінити RU6099R?
Перевірених аналогів у каталозі на момент публікації немає; підбирайте за Vdss не нижче 60 В, Id не нижче 120 А і Rds(on) не вище 7.0 мОм у корпусі TO-220.
Чи є вбудований зворотний діод?
Так, пряма напруга Vsd – 0.83 В тип. / 1.1 В макс. за Isd 20 А, час відновлення trr – 50 нс за Isd 40 А.
Це оригінал чи демонтаж?
Оригінал.
Документація виробника: RU6099 N-Channel Advanced Power MOSFET, Ruichips.
Статус виробництва (active/eol) від Ruichips не підтверджено – LCSC показує лише відсутність на складі. Позначення RU6099R3 з назви товару в datasheet не зустрічається (там лише RU6099 + літера пакування R/S/P). Дата й номер ревізії документа не вказані.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.