Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор RJH30E2 оригінал , TO220F
216,20 ₴
1 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
1 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
RJH30E2 – оригінальний IGBT-транзистор на 360 В і 30 А зі вбудованим швидким діодом, в корпусі TO220F.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Напруга Vces | 360 В |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±30 В |
| Струм колектора Ic | 30 А (температура в документі не вказана) |
| Імпульсний струм колектора | 200 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.5 В (типове значення, умови в документі не вказані) |
| Час спаду tf | 150 нс (типове значення) |
| Вбудований діод | Є, швидкий (fast recovery) |
| Пряма напруга діода Vf | 1.4 В (типове значення) |
| Час зворотного відновлення діода trr | 23 нс (типове значення) |
| Потужність розсіювання Pc | 20 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
RJH30E2 – оригінальний IGBT-транзистор Renesas (біполярний транзистор з ізольованим затвором) зі вбудованим швидким діодом. За документом на RJH30E2: напруга Vces 360 В, напруга затвор–емітер Vges ±30 В, струм колектора Ic 30 А (температура в документі не вказана), імпульсний струм колектора 200 А. Напруга насичення Vce(sat) типово 1.5 В, час спаду tf типово 150 нс. Потужність розсіювання Pc 20 Вт, максимальна температура переходу Tj 150 °C.
Вбудований діод має пряму напругу Vf типово 1.4 В і час зворотного відновлення trr типово 23 нс. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, Ic, Vce(sat), наявність діода та корпус. Оригінал, не демонтаж. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.
Чим замінити RJH30E2?
Потрібен IGBT у такому самому корпусі TO220F з Vces не нижче 360 В, струмом колектора не менше 30 А і вбудованим швидким діодом. Аналогів цього номера в наявності на сайті поки немає.
Як перевірити RJH30E2?
Вимкніть пристрій, розрядіть конденсатори й відключіть виводи транзистора. Мультиметром у режимі перевірки діодів перевірте відсутність пробою між колектором, емітером і затвором, а також вбудований діод.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи є у RJH30E2 вбудований діод?
Так, вбудований швидкий діод (fast recovery): пряма напруга Vf типово 1.4 В, час зворотного відновлення trr типово 23 нс.
Документація виробника: RJH30E2.
Умови вимірювання Ic, Vce(sat) і Vf у документі не вказані.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.