Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор IRG4PC40UD ( G4PC40UD ) оригінал демонтаж б/в, TO247
213,85 ₴
10 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
10 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IRG4PC40UD – IGBT-транзистор 600 В, 40 А (при 25 °C) з вбудованим швидким діодом у корпусі TO-247AC. Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT n-канал з антипаралельним діодом |
| Виробник | International Rectifier (Infineon) |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Струм Ic при 25 °C | 40 А |
| Струм Ic при 100 °C | 20 А |
| Імпульсний струм Icm | 160 А |
| Vce(on) тип. | 1,72 В (IC = 20 А, VGE = 15 В, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 3,0–6,0 В (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Напруга затвор-емітер Vge | ±20 В |
| Розсіювана потужність Pd | 160 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 2100 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Діод If | 15 А (TC = 100 °C) |
| Робоча температура Tj | від -55 до +150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IRG4PC40UD (маркування G4PC40UD) – n-канальний IGBT International Rectifier (Infineon) з антипаралельним діодом HEXFRED у корпусі TO-247AC. Напруга колектор-емітер Vces 600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА). Струм колектора 40 А при TC = 25 °C і 20 А при TC = 100 °C, імпульсний струм 160 А. Напруга насичення Vce(on) типово 1,72 В при IC = 20 А, VGE = 15 В, Tj 25 °C. Розсіювана потужність 160 Вт при TC = 25 °C. Діод у складі приладу: 15 А при TC = 100 °C, trr типово 42 нс (IF = 15 А, VR = 200 В, di/dt = 200 А/мкс, Tj 25 °C). Вхідна ємність Cies типово 2100 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц).
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Щоб підібрати заміну, дивіться на корпус TO-247AC, Vces не нижче 600 В, струм Ic при 100 °C, напругу насичення та швидкість перемикання. Порівнюйте параметри з datasheet за однакових умов. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Високочастотні схеми: 8–40 кГц у жорсткому перемиканні, понад 200 кГц у резонансному режимі
- Мостові схеми (IGBT з надшвидким діодом в одному корпусі)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити IRG4PC40UD?
Підбирайте IGBT з тим самим корпусом TO-247AC, не меншою напругою Vces і струмом Ic, порівнянною напругою насичення та схожою швидкістю перемикання. Готових номерів заміни виробник не називає, тому порівнюйте datasheet.
Чи є в IRG4PC40UD вбудований діод?
Так. У корпусі є антипаралельний діод HEXFRED: 15 А при TC = 100 °C, Vfm типово 1,3 В при IF = 15 А, Tj 25 °C. Заміна на IGBT без діода потребує зовнішнього діода.
На яких частотах працює IRG4PC40UD?
За даними виробника – 8–40 кГц у жорсткому перемиканні та понад 200 кГц у резонансному режимі.
Документація виробника: PD-94937, IRG4PC40UDPbF.
Параметри наведено за datasheet виробника PD-94937 (International Rectifier / Infineon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.