Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор FGPF4536 оригінал демонтаж б/в, TO220F
117,50 ₴
4 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
4 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FGPF4536 – IGBT-транзистор onsemi (Fairchild) у корпусі TO-220F, для плазмових панелей, побутової техніки й освітлення. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Напруга Vces | 360 В |
| Напруга Vges | ±30 В |
| Імпульсний струм Ic | 220 А |
| Vce(sat) (50 А, 15 В, 25 °C, тип.) | 1,59 В |
| Vge(th) | 2,4–4,0 В |
| Qg | 47 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1295 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 28,4 Вт |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
FGPF4536 – IGBT виробництва onsemi (Fairchild) у ізольованому корпусі TO-220F. Напруга колектор-емітер Vces – 360 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА), напруга затвор-емітер Vges – ±30 В. Імпульсний струм колектора – 220 А (TC = 25 °C, напівсинусоїда, обмежено Tj max). Напруга насичення Vce(sat) – 1,59 В типово (IC = 50 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C), 1,66 В при TC = 125 °C. Порогова напруга Vge(th) – 2,4–4,0 В (IC = 250 мкА). Заряд затвора Qg – 47 нКл (VCE = 200 В, IC = 20 А, VGE = 15 В). Вхідна ємність Cies типово 1295 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 28,4 Вт при TC = 25 °C. Максимальна температура переходу Tj – 150 °C. Цифри наведено за даташитом FGPF4536 (onsemi).
Стан: оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Для заміни підбирайте IGBT у корпусі TO-220F з тією самою розпіновкою та не нижчою напругою Vces; порівнюйте параметри з даташитом. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Телевізори з плазмовими панелями (PDP)
- Побутова техніка
- Освітлення
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати та перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити FGPF4536?
Потрібен IGBT у корпусі TO-220F з тією самою розпіновкою, Vces не нижче за 360 В і порівнянним Vce(sat). Перевіряйте за даташитом.
Для чого використовується FGPF4536?
За розділом Applications даташита – у телевізорах з плазмовими панелями (PDP), побутовій техніці та освітленні.
Який у FGPF4536 струм?
У даташиті наведено імпульсний струм колектора 220 А (TC = 25 °C, напівсинусоїда). Vce(sat) 1,59 В виміряно при IC = 50 А.
Документація виробника: FGPF4536 (onsemi).
Постійний струм колектора в даташиті не вказано, у картці наведено лише імпульсний.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha and Omega Semiconductor (AOS) |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (Product Summary) | 60 А |
| Vce(sat) typ | 1.85 В при Ic=60 А |
| Vge(th) typ | 5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3288 пФ |
| Час спаду tf | 16 нс |
| Стійкість до КЗ tsc | 10 мкс |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.3 °C/Вт |
| Діапазон Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.