Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор N1600 оригінал демонтаж б/в , TO247
345,92 ₴
6 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
6 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
N1600 – IGBT-транзистор з вбудованим діодом у корпусі TO-247. За даташитом IHW30N160R2: 1600 В, 60 А. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор з вбудованим діодом |
| Напруга Vces | 1600 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (25 °C), 30 А (100 °C) |
| Потужність Ptot | 312 Вт (25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,8 В тип., 2,1 В макс. (IC = 30 А, VGE = 15 В) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
N1600 – IGBT-транзистор (біполярний транзистор з ізольованим затвором) з вбудованим зворотним діодом у корпусі TO-247. Точного даташиту на N1600 не знайшли, тому параметри наведено за даташитом найближчої схожої деталі IHW30N160R2 (Infineon) у тому самому корпусі: напруга колектор–емітер Vces 1600 В, напруга затвор–емітер ±20 В. Струм колектора Ic 60 А при Tc = 25 °C і 30 А при Tc = 100 °C, імпульсний 90 А. Потужність розсіювання Ptot 312 Вт при Tc = 25 °C, тепловий опір перехід–корпус 0,48 °C/Вт, температура переходу до +175 °C. Напруга насичення Vce(sat) 1,8 В типово і не більше 2,1 В (VGE = 15 В, IC = 30 А). Порогова напруга затвора Vge(th) від 5,1 до 6,4 В, заряд затвора Qg 94 нКл, вхідна ємність Cies 2740 пФ. Вбудований діод: пряма напруга Vf 1,65 В типово і не більше 2,0 В при IF = 30 А.
Оригінал, демонтаж б/в – деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. За даташитом IHW30N160R2 такі транзистори ставлять в індукційні плити та інші схеми з м'яким перемиканням. Заміну підбирайте за корпусом TO-247 і розпіновкою: напруга не нижче 1600 В, струм колектора при 100 °C не нижче 30 А, вбудований діод. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- індукційні плити
- схеми з м'яким перемиканням
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити N1600?
Шукайте IGBT у корпусі TO-247 з вбудованим діодом, напругою колектор–емітер не нижче 1600 В і струмом колектора при 100 °C не нижче 30 А. Параметри N1600 наведено за даташитом IHW30N160R2, тому перед заміною звірте їх із документацією на ваш пристрій.
Як перевірити IGBT перед встановленням?
Мультиметром у режимі діода перевірте відсутність пробою між колектором, емітером і затвором, а також цілісність виводів.
Звідки параметри N1600?
Точного даташиту на N1600 не знайшли. Параметри наведено за даташитом найближчої схожої деталі – IHW30N160R2 (Infineon). Точний збіг усіх значень не гарантуємо.
Найближчий datasheet: IHW30N160R2 (Infineon).
Точного даташиту на N1600 не знайдено. Найближчий схожий даташит – IHW30N160R2 (Infineon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.