Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS20N65 оригінал, TO-3P
282,00 ₴
10 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
10 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
CS20N65 – польовий N-канальний транзистор на 650 В і 20 А у корпусі TO-3P для блоків живлення. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 650 В (VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id | 20 А (безперервний) |
| Rds(on) | 0.35 Ом тип., 0.4 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 80 нКл (VDD = 520 В, ID = 20 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2701 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
CS20N65 – N-канальний MOSFET у корпусі TO-3P. Цифри нижче – за даташитом найближчої деталі CS20N65V тієї самої серії. Напруга стік–витік Vds – 650 В (при Vgs = 0 В), безперервний струм стоку Id – 20 А. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0.35 Ом типово і 0.4 Ом макс. при Vgs = 10 В і Id = 10 А. Порогова напруга Vgs(th) – 3.0–4.0 В, заряд затвора Qg – 80 нКл при VDD = 520 В, Id = 20 А, Vgs = 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 2701 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц).
Стан: оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівнюйте з документацією тип каналу (N), корпус TO-3P і розпіновку, напругу Vds не нижче 650 В, струм Id і Rds(on) не гірші за наведені. Окремо дивіться на заряд затвора Qg: якщо він значно більший, драйвер затвора може не впоратися. Серія виробника також включає CS20N65F, CS20N65P і CS20N65W – це інші варіанти, їхні параметри та корпус звіряйте за їхніми документами.
Де застосовують
- Імпульсні блоки живлення (SMPS)
- Безперебійне живлення (UPS)
- Корекція коефіцієнта потужності (PFC)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити CS20N65?
Підбирайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-3P з тією самою розпіновкою, з Vds не нижче 650 В, струмом Id і Rds(on) не гіршими. Порівнюйте параметри за документацією самостійно.
Як перевірити MOSFET перед встановленням?
Мультиметром у режимі перевірки діодів: перевірте діод між стоком і витоком і те, що між затвором та іншими виводами немає провідності.
Для яких схем підходить CS20N65?
Для імпульсних блоків живлення (SMPS), UPS і схем корекції коефіцієнта потужності (PFC). Параметри наведено за даташитом найближчої деталі CS20N65V, тому точні значення для вашої партії звіряйте з маркуванням і документацією.
Найближчий datasheet: CS20N65V (Convert Semiconductor).
Точного даташиту не знайдено. Параметри взято з найближчого за назвою даташиту.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFP23N50L ( SiHFP23N50L ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Vishay |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 23 А (VGS = 10 В) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15 А (VGS = 10 В) |
| Rds(on) | 0.190 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 14 А) |
| Заряд затвора Qg | 150 нКл макс. |
| Вхідна ємність Ciss | 3600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 370 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 170 нс тип. |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.