Транзистори
Транзистор 2SC3150 ( BU3150 ) , TO220
В наявності
36,19 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга VCEO | 800 В (IC 5 мА, RBE = ∞) |
| Напруга VCBO | 900 В (IC 1 мА, IE 0) |
| Напруга VEBO | 7 В (IE 1 мА, IC 0) |
| Струм колектора | 3 А (пік ICM 10 А) |
| hFE-1 | 10–40 (IC 0,2 А, VCE 5 В) |
| VCE(sat) | 2,0 В макс. (IC 1,5 А, IB 0,3 А) |
| Потужність | 50 Вт (TC 25 °C) |
| fT | 15 МГц мін. (IC 0,2 А, VCE 10 В) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | SPTECH |
Транзистор 2SC3198
В наявності
11,75 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, малошумний |
| Напруга BVCEO | 50 В (IC 1 мА, IB 0) |
| Напруга BVCBO | 50 В (IC 100 мкА, IE 0) |
| Напруга BVEBO | 5 В (IE 100 мкА, IC 0) |
| Струм колектора | 150 мА |
| hFE | 70–400 (VCE 6 В, IC 2 мА) |
| VCE(sat) | 0,3 В макс. (IC 100 мА, IB 10 мА) |
| Потужність | 0,4 Вт (корпус TO-92) |
| fT | 80 МГц мін. (VCE 10 В, IC 1 мА) |
| NF | 10 дБ макс. (VCE 6 В, IC 0,1 мА, Rg 10 кОм, f 1 кГц) |
| Tj макс. | 125 °C |
| Корпус | TO-92 |
| Виробник | DDF (Shenzhen DingDeFeng Technology) |
Транзистор 2SC3199
В наявності
4,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга V(BR)CEO | 50 В (IC 1 мА, IB 0) |
| Напруга V(BR)CBO | 50 В (IC 0,1 мА, IE 0) |
| Напруга V(BR)EBO | 5 В (IE 0,1 мА, IC 0) |
| Струм колектора | 150 мА |
| hFE | 70–700 (VCE 6 В, IC 2 мА) |
| VCE(sat) | 0,25 В макс. (IC 100 мА, IB 10 мА) |
| Потужність | 400 мВт (Ta 25 °C) |
| fT | 80 МГц мін. (VCE 10 В, IC 1 мА) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
| Виробник | SECOS |
Транзистор 2SC3202
В наявності
14,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 30 В (IC=1 мА, IB=0) |
| Напруга Vcbo | 35 В (IC=50 мкА, IE=0) |
| Струм колектора Ic (ICM) | 500 мА (Ta 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 70–240 (VCE=1 В, IC=100 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.25 В макс. (IC=100 мА, IB=10 мА) |
| Потужність Pc | 500 мВт (Ta 25 °C) |
| Гранична частота fT | 150–200 МГц (VCE=6 В, IC=20 мА) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2SC3209 (300V,0.2A,1W)
В наявності
11,75 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 300 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 300 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 5.0 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 200 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 1.0 Вт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 60–250 (VCE 10 В, IC 10 мА) |
| fT | 50 МГц тип. (VCE 30 В, IE –10 мА) |
| Cob | 2.8 пФ тип. (VCB 30 В, IE 0, f 1 МГц) |
| Vce(sat) | 0.15 В тип., 1.5 В макс. (IC 50 мА, IB 5,0 мА) |
Транзистор 2SC3303 , D-PAK
В наявності
13,63 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 80 В (IC=10 мА, IB=0) |
| Напруга Vcbo | 100 В (IC=100 мкА, IE=0) |
| Струм колектора Ic | 5 А (Ta 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 70–240 (VCE=1 В, IC=1 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.4 В макс. (IC=3 А, IB=150 мА) |
| Потужність Pc | 1 Вт (Ta 25 °C) |
| Гранична частота fT | 20 МГц мін. (VCE=4 В, IC=1 А) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор 2SC3807
В наявності
23,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 25 В (IC=1 мА, IB=0) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 30 В (IC=10 мкА, IE=0) |
| Струм колектора Ic | 2 А (Ta 25 °C), імпульсний ICM 4 А |
| Коефіцієнт підсилення hFE | мін. 800 (VCE=5 В, IC=0,5 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0,5 В макс. (IC=1 А, IB=20 мА) |
| Потужність розсіювання Pc | 1,2 Вт (Ta 25 °C) |
| Гранична частота fT | 260 МГц (VCE=10 В, IC=50 мА) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
Транзистор 2SC3835 ( C3835 , 2SC3835G ) оригінал, TO3P
В наявності
152,75 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 120 В (IC=50 мА, IB=0) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 200 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 7 А постійний, імпульсний ICM 14 А |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 70–220 (IC=3 А, VCE=4 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0,5 В макс. (IC=3 А, IB=0,3 А) |
| Потужність розсіювання Pc | 70 Вт (Tc 25 °C) |
| Гранична частота fT | 20 МГц мін. (IE=0,5 А, VCE=12 В) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SC3852A ( 2SC3852 ) , TO220F
В наявності
65,33 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, епітаксіально-планарний, Si |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 80 В |
| Напруга колектор–база Vcbo | 100 В |
| Струм колектора Ic | 3 А (Ta 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | мін. 500 (VCE=4 В, IC=0,5 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0,5 В макс. (IC=2 А, IB=50 мА) |
| Потужність розсіювання Pc | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Гранична частота fT | 15 МГц тип. (VCE=12 В, IE=-0,2 А) |
| Час спаду tf | 1,2 мкс тип. (VCC=20 В, RL=20 Ом, IC=1 А, IB1=15 мА, IB2=-30 мА) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор 2SC4467
В наявності
110,45 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 120 В (Ic 50 мА, Ib 0) |
| Струм колектора Ic | 8 А (постійний, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 80 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 50–180 при Ic 3 А, Vce 4 В |
| Vce(sat) | 1,5 В (макс.) при Ic 3 А, Ib 0,3 А |
| fT | 20 МГц (тип.) при Ic 0,5 А, Vce 12 В |
| Cob | 200 пФ (тип.) при Vcb 10 В, f 1 МГц |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
Демонтаж
Транзистор 2SC4793 + 2SA1837 ( KTC4793 + KTA1837 , C4793 + A1837 ) оригінали, TO220F
В наявності
100,11 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | комплементарна пара NPN (2SC4793) + PNP (2SA1837) |
| Корпус | TO-220F |
| Vceo (2SC4793) | 230 В, Tc 25 °C |
| Vcbo (2SC4793) | 230 В, Tc 25 °C |
| Vebo (2SC4793) | 5 В, Tc 25 °C |
| Ic (2SC4793) | 1 А, Tc 25 °C |
| Pc (2SC4793) | 20 Вт, Tc 25 °C |
| Tj макс. (2SC4793) | 150 °C |
| hFE (2SC4793) | 100–320, VCE 5 В, IC 100 мА |
| fT (2SC4793) | 100 МГц (тип.), VCE 10 В, IC 100 мА |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SC4924 оригінал
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | SANYO |
| Напруга Vcbo | 1500 В |
| Напруга Vceo | 800 В |
| Напруга Vebo | 6 В |
| Струм колектора Ic | 10 А (постійний) |
| Імпульсний струм колектора | 25 А |
| Потужність Pc | 70 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | від 8 (VCE 5 В, IC 1 А) |
| Час спаду tf | 0,1 мкс тип. (IC 6 А, IB1 1,2 А, IB2 -2,4 А) |
| Корпус | TO-3PML |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SC5129
В наявності
85,07 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 600 В |
| Напруга Vcbo | 1500 В |
| Струм колектора Ic | 10 А (постійний; імпульс 20 А) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 10–30 (Ic 1 А, Vce 5 В); при Ic 6 А: 4–8 |
| Напруга насичення Vce(sat) | 3,0 В (макс., Ic 6 А, Ib 1,5 А) |
| Гранична частота fT | 1,7 МГц (Ic 0,1 А, Vce 10 В) |
| Час спаду tf | 0,3 мкс (макс., Icp 5 А, Ib1 1 А, 64 кГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-3P(H)IS |
| Виробник | SavantIC |
Демонтаж
Транзистор 2SC5148 оригінал демонтаж
В наявності
71,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, кремнієвий triple diffused mesa |
| Напруга колектор-база Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор-емітер Vceo | 600 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic (DC) | 8 А (Ta 25 °C) |
| Струм колектора імпульсний Icp | 16 А (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj max | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 5 В макс. (Ic 5 А, Ib 1,3 А) |
| Коефіцієнт підсилення hFE(1) | 8–25 (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Гранична частота fT | 2 МГц тип. (Vce 10 В, Ic 0,1 А) |
| Корпус | TOSHIBA 2-16E3A |
| Корпус (докладно) | Toshiba 2-16E3A (пластик, ізольований радіатор) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SC5241 , TO220F
В наявності
50,76 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор-база Vcbo | 600 В |
| Напруга колектор-емітер Vceo | 450 В |
| Напруга емітер-база Vebo | 7 В |
| Струм колектора Ic (DC) | 5 А |
| Струм колектора імпульсний Icp | 10 А |
| Струм бази Ib | 2 А |
| Потужність розсіювання Pt | 30 Вт |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,0 В макс. (Ic 2,5 А, Ib 0,5 А, Tc 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 10 мін. (Vce 5 В, Ic 2,5 А, Tc 25 °C) |
| Гранична частота fT | 20 МГц тип. (Vce 10 В, Ic 0,5 А, Tc 25 °C) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 4,16 °C/Вт макс. |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор 2SC5296 оригінал ( заміна для 2SD5296 , 2SC5250 )
В наявності
100,11 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 800 В (Ta 25 °C; Ic 10 мА, Ib 0) |
| Напруга Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 8 А (Ta 25 °C) |
| Струм колектора імпульсний Icp | 16 А (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj max | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 15–40 (Ic 1 А, Vce 5 В, Tc 25 °C) |
| Демпферний діод | так |
| Корпус | TO-3PML |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SC5706 smd
В наявності
26,79 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | onsemi (Sanyo) |
| Напруга Vceo | 50 В (Ic 1 мА, Rbe = ∞) |
| Напруга Vces | 100 В (Ic 100 мкА, Rbe 0) |
| Напруга Vcbo | 100 В |
| Напруга Vebo | 6 В |
| Струм колектора Ic | 5 А |
| Струм колектора імпульсний Icp | 7,5 А |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 200–560 (Vce 2 В, Ic 500 мА) |
| Гранична частота fT | 400 МГц, тип. (Vce 10 В, Ic 500 мА) |
| Vce(sat) | 90 мВ тип., 135 мВ макс. (Ic 1 А, Ib 50 мА) |
| Вихідна ємність Cob | 15 пФ, тип. (Vcb 10 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TP-FA (smd) |
Транзистор 2SC5707 , ТО252
В наявності
23,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | onsemi (ex-SANYO) |
| Напруга Vceo | 50 В |
| Напруга Vcbo | 100 В |
| Струм колектора Ic | 8 А (імпульсний Icp 11 А) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 200–560 (VCE 2 В, IC 500 мА) |
| Гранична частота fT | 330 МГц (тип.) (VCE 10 В, IC 500 мА) |
| Вихідна ємність Cob | 28 пФ (тип.) (VCB 10 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Демонтаж
Транзистор 2SC5793 оригінал демонтаж , TO-3PML
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | SANYO |
| Напруга Vcbo | 1600 В |
| Напруга Vceo | 800 В |
| Напруга Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 20 А (імпульсний Icp 40 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 95 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Час спаду tf | 0,2 мкс (макс.) (IC 10 А, IB1 1,6 А, IB2 –5 А) |
| Напруга насичення Vbe(sat) | 1,5 В (макс.) (IC 13,5 А, IB 3,4 А) |
| Корпус | TO-3PML |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SC5802D
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 1500 В (емітер розімкнений) |
| Напруга Vceo | 800 В (база розімкнена) |
| Напруга Vebo | 6 В (колектор розімкнений) |
| Струм колектора Ic | 10 А (імпульсний Icm 30 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 15–48 (IC 1 А, VCE 5 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 3,0 В (макс.) (IC 6 А, IB 1,5 А, Tj 25 °C) |
| Корпус | TO-3P(H)IS |
Демонтаж
Транзистор 2SC5858 оригінал демонтаж , TO264
В наявності
139,12 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 1700 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vceo | 750 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vebo | 5 В (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 22 А постійний, імпульсний 44 А (Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| hFE | 30–60 (VCE 5 В, IC 2 А) |
| Vce(sat) | 1,5 В макс. (IC 17 А, IB 4,25 А) |
| Гранична частота fT | 2 МГц тип. (VCE 10 В, IC 0,1 А) |
| Корпус | TO-264 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SC5902
В наявності
85,07 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 1700 В (емітер розімкнений, Tc 25 °C) |
| Напруга Vces | 1700 В (E-B закорочено, Tc 25 °C) |
| Напруга Vebo мін. | 7 В (IE 500 мА, IC 0) |
| Струм колектора Ic | 9 А, імпульсний Icp 14 А (Tc 25 °C) |
| Струм бази Ib | 3 А (Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| hFE | 5–10 (VCE 5 В, IC 4,5 А) |
| Vce(sat) | 3 В макс. (IC 4,5 А, IB 1,13 А) |
| Vbe(sat) | 1,5 В макс. (IC 4,5 А, IB 1,13 А) |
| Демпферний діод | є |
| Корпус | TOP-3E-A1 (SC-94) |
Транзистор 2SC5905 оригінал
В наявності
179,54 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | Panasonic |
| Напруга Vcbo | 1700 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vces | 1700 В (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 20 А (Tc 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора Icp | 30 А |
| Потужність Pc | 70 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| hFE | 5–12 (Vce 5 В, Ic 10 А) |
| Vce(sat) | 3 В макс. (Ic 10 А, Ib 2,5 А) |
| Гранична частота fT | 3 МГц (Vce 10 В, Ic 0,1 А, f 0,5 МГц) |
| Час спаду tf | 0,2 мкс макс. (Ic 10 А, Ib1 2,5 А, Ib2 -5 А) |
| Корпус | TO-3P (TOP-3E-A1, EIAJ SC-94) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 2SC5966 оригінал демонтаж
В наявності
128,31 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 1700 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 20 А, імпульсний Icp 40 А (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 100 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| hFE | мін. 15 (Vce 5 В, Ic 1 А); 4–7 (Vce 5 В, Ic 15 А) |
| Vce(sat) | 3 В (Ic 13,5 А, Ib 3,4 А) |
| Vbe(sat) | 1,5 В (Ic 13,5 А, Ib 3,4 А) |
| Корпус | TO-3PMLH |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор 2SC6090 ( C6090 ) оригінал демонтаж ( заміна для 2SC6092 ), TO220F
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | 700 В (Ic 100 мА, Ib 0, Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 10 А (безперервний) |
| Імпульсний струм колектора Icp | 25 А |
| Потужність Pc | 35 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| hFE | від 15 (Ic 1 А, Vce 5 В); 5–7 (Ic 8 А, Vce 5 В) |
| Vce(sat) | 3,0 В макс. (Ic 7,2 А, Ib 1,44 А) |
| Час спаду tf | 0,2 мкс макс. (Ic 5 А, Ib1 1 А, Ib2 -2 А) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SC945 , to92
В наявності
3,29 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | TO-92 |
| Напруга колектор–база Vcbo | 60 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 50 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5,0 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 100 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 250 мВт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE2 | 90–600 (Vce 6,0 В, Ic 1,0 мА) |
| Гранична частота fT (тип.) | 250 МГц (Vce 6,0 В, Ie −10 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0,3 В макс. (Ic 100 мА, Ib 10 мА) |
Транзистор 2SD1047+2SB817 ( D1047+B817 , KTD1047+KTB817 ) оригінали , TO-3P
В наявності
192,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | комплементарна пара NPN (2SD1047) + PNP (2SB817) |
| Корпус | TO-3P |
| Vceo | 140 В, Ta 25 °C; Ic 30 мА, Ib 0 (мін.) |
| Vcbo | 160 В, Ta 25 °C |
| Vebo | 6 В, Ta 25 °C |
| Ic | 12 А, Ta 25 °C |
| Ptot | 100 Вт, Ta 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| hFE1 | 60–200, Vce 5 В, Ic 1 А |
| Vce(sat) | 2.5 В (макс.), Ic 5 А, Ib 0.5 А |
| fT | 15 МГц (typ), Vce 5 В, Ic 1 А |
| Стан | Оригінал |
