Тиристори
Тиристори для комутації струму, інверторів і керованих випрямлячів, наприклад у корпусах TO-92, TO-220AB і SOT-223.
Тиристор 2P4M (400V,2A,200мкА) , TO-126
В наявності
37,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NEC Electronics (нині Renesas Electronics) |
| Тип | Тиристор (SCR) |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 400 В (Rgk = 1 кОм, Tj 25 °C) |
| Струм It(av) | 2 А (Tc = 77 °C, θ = 180°, однофазна напівхвиля) |
| Струм It(rms) | 4 А |
| Ударний струм Itsm | 20 А (50 Гц, синусоїда півхвиля, 1 цикл) |
| Струм керування Igt | 200 мкА макс. (Vd = 6 В, Rl = 100 Ом, Tj = 25 °C) |
| Напруга керування Vgt | 0.8 В макс. (Vd = 6 В, Rl = 100 Ом, Tj = 25 °C) |
| dV/dt | 10 В/мкс мін. (Tj = 125 °C, Vd = 2/3 Vdrm) |
| Пряме падіння Vtm | 2.2 В макс. (Itm = 4 А) |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
Тиристор 2P4M (400V,2A,200мкА) , TO-202
В наявності
37,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NEC (NEC Electronics) |
| Vdrm/Vrrm | 400 В (RGK = 1 кОм) |
| It(av) | 2 А (TC = 77 °C, кут провідності 180°) |
| It(rms) | 4 А |
| Itsm | 20 А (50 Гц, 1 цикл) |
| Igt | 200 мкА макс. (VDM = 6 В, RL = 100 Ом) |
| Vgt | 0.8 В макс. (VDM = 6 В, RL = 100 Ом) |
| dV/dt | 10 В/мкс мін. (Tj = 125 °C, VDM = 2/3 Vdrm) |
| Корпус | TO-202-3 |
Тиристор 40TPS12A ( 40TPS12 ) оригінал , TO247
В наявності
186,59 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay Semiconductors |
| Vdrm/Vrrm | 1200 В |
| It(av) | 35 А (TC = 79 °C, кут провідності 180°) |
| It(rms) | 55 А |
| Itsm | 600 А (10 мс, початкова Tj = Tj max) |
| Igt | 40 мА макс. (Tj = 25 °C, живлення анода 6 В) |
| Vgt | 2.5 В макс. (Tj = 25 °C, живлення анода 6 В) |
| dV/dt | 500 В/мкс (Tj = Tj max, Rg-k = 100 Ом) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Тиристор 70TPS12 ( 70TPS12A ) оригінал демонтаж , Super TO247(1200V,70A)
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay Semiconductors |
| Vdrm/Vrrm | 1200 В |
| It(av) | 70 А (TC = 109 °C, кут провідності 180°) |
| It(rms) | 75 А (обмеження струмом виводів) |
| Itsm | 930 А (10 мс, початкова Tj = Tj max) |
| Igt | 100 мА макс. (Tj = 25 °C, живлення анода 6 В) |
| Vgt | 1.5 В макс. (Tj = 25 °C, живлення анода 6 В) |
| dV/dt | 500 В/мкс макс. (Tj = 150 °C) |
| Корпус | Super-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Тиристор BT149G (600V,0.5A,50мкА)(Заміна для BT149D ) , to92
В наявності
14,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В (повторювана пікова) |
| Середній струм It(AV) | 0.5 А (напівсинусоїда, Tlead ≤ 83 °C) |
| Діючий струм It(RMS) | 0.8 А (напівсинусоїда, Tlead ≤ 83 °C) |
| Ударний струм Itsm | 8 А (tp=10 мс, Tj=25 °C) |
| Струм керування Igt | 50 мкА тип / 200 мкА макс (Vd=12 В, It=10 мА, Tj=25 °C) |
| Пряме падіння Vt | 1.25 В тип (VD=12 В, It=10 мА, Tj=25 °C) |
| Корпус | TO-92 |
Тиристор BT151-500R оригінал, ТО220
В наявності
37,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | WeEn Semiconductors |
| Тип | Тиристор (SCR) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 500 В |
| Середній прямий струм IT(AV) | 7.5 А (напівхвиля синусоїди, Tmb ≤ 109 °C) |
| Діючий прямий струм IT(RMS) | 12 А (напівхвиля синусоїди, Tmb ≤ 109 °C) |
| Ударний струм ITSM | 120 А (tp=10 мс, Tj(init)=25 °C) |
| Струм керування IGT | 2 мА тип. / 15 мА макс. (VD=12 В, IT=0.1 А, Tj=25 °C) |
| Напруга керування VGT | 0.6 В тип. / 1.5 В макс. (VD=12 В, IT=0.1 А, Tj=25 °C) |
| Пряма напруга VT | 1.4 В тип. / 1.75 В макс. (IT=23 А, Tj=25 °C) |
| Стан | Оригінал |
Тиристор BT151-650R оригінал, ТО220
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 650 В (повторювана пікова) |
| Середній струм It(AV) | 7.5 А (напівсинусоїда, Tmb ≤ 109 °C) |
| Діючий струм It(RMS) | 12 А (напівсинусоїда, Tmb ≤ 109 °C) |
| Ударний струм Itsm | 120 А (tp=10 мс, Tj=25 °C) |
| Струм керування Igt | 2 мА тип / 15 мА макс (Vd=12 В, It=0.1 А, Tj=25 °C) |
| Пряме падіння Vt | 1.4 В тип (It=23 А, Tj=25 °C) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Тиристор BT151-800R оригінал, ТО220
В наявності
98,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | WeEn Semiconductors |
| Тип | Тиристор (SCR) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 800 В |
| Середній прямий струм IT(AV) | 7.5 А (напівхвиля синусоїди, Tmb ≤ 109 °C) |
| Діючий прямий струм IT(RMS) | 12 А (напівхвиля синусоїди, Tmb ≤ 109 °C) |
| Ударний струм ITSM | 120 А (tp=10 мс, Tj(init)=25 °C) |
| Струм керування IGT | 2 мА тип. / 15 мА макс. (VD=12 В, IT=0.1 А, Tj=25 °C) |
| Напруга керування VGT | 0.6 В тип. / 1.5 В макс. (VD=12 В, IT=0.1 А, Tj=25 °C) |
| Пряма напруга VT | 1.4 В тип. / 1.75 В макс. (IT=23 А, Tj=25 °C) |
| Стан | Оригінал |
Тиристор BT152-600R оригінал, ТО220
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В (повторювана пікова) |
| Середній струм It(AV) | 13 А (напівсинусоїда, Tmb ≤ 103 °C) |
| Діючий струм It(RMS) | 20 А (напівсинусоїда) |
| Ударний струм Itsm | 200 А (tp=10 мс, Tj=25 °C) |
| Струм керування Igt | 3 мА тип / 32 мА макс (Vd=12 В, It=0.1 А, Tj=25 °C) |
| Пряме падіння Vt | 1.4 В тип (It=40 А, Tj=25 °C) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Тиристор BT152-800R ,ТО220
В наявності
54,52 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Тиристор (SCR) |
| Виробник | WeEn Semiconductors |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 800 В |
| Діючий струм It(RMS) | 20 А |
| Середній струм It(AV) | 13 А (Tmb ≤ 103 °C) |
| Корпус | TO-220 |
Тиристор BT168GW ( BT168G ) оригінал (600V,1A,Igt=50мкА) , sot223
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Тиристор (SCR, чутливий затвор) |
| Виробник | WeEn Semiconductors |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В |
| Діючий струм It(RMS) | 1 А |
| Середній струм It(AV) | 0.63 А (Tsp ≤ 112 °C) |
| Струм керування Igt | 50 мкА типовий (Vd=12 В, It=10 мА, Tj=25 °C) |
| Корпус | SOT-223 |
| Стан | Оригінал |
Тиристор BT169D (0.8A;400V,Igt=200мкА) , to92
В наявності
9,87 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Тиристор (SCR, чутливий затвор) |
| Виробник | WeEn Semiconductors |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 400 В |
| Діючий струм It(RMS) | 0.8 А (Tlead ≤ 83 °C) |
| Середній струм It(AV) | 0.5 А (Tlead ≤ 83 °C) |
| Струм керування Igt | 200 мкА (макс.) |
| Корпус | TO-92 |
Тиристор CLA50E1200HB оригінал демонтаж(1200V,50A), TO247
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | IXYS (нині Littelfuse) |
| Тип | Тиристор (SCR) |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 1200 В (Tvj = 25 °C) |
| Струм It(av) | 50 А (Tc = 125 °C) |
| Струм It(rms) | 79 А (синусоїда 180°) |
| Струм керування Igt | 50 мА макс. (Tvj = 25 °C, Vd = 6 В) |
| Напруга керування Vgt | 1.5 В макс. (Tvj = 25 °C, Vd = 6 В) |
| dV/dt | 1000 В/мкс (Tvj = 150 °C, V = 2/3 Vdrm, Rgk = ∞) |
| Пряме падіння Vt | 1.27 В (It = 50 А, Tvj = 125 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Тиристор CR5AS (BCR5AS) (400V,5A,200мкА) , D-Pak
В наявності
39,95 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Mitsubishi Electric |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vdrm | 400 В |
| Напруга Vrrm | 400 В |
| Струм It(av) | 5 А |
| Струм It(rms) | 7.8 А |
| Ударний струм Itsm | 90 А |
| Струм керування Igt | 200 мкА |
| Напруга Vtm | 1.8 В |
| Струм утримання Ih | 3.0 мА |
| Температура переходу Tj | 125 °C |
Тиристор FD312S оригінал демонтаж
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken Electric |
| Тип | Тиристор (SCR) з вбудованим діодом Avalanche |
| Корпус | TO-220F |
| Середній прямий струм IT(AV) | 3.0 А (50 Гц, напівхвиля синусоїди, кут 180°, Tc=92 °C) |
| Діючий прямий струм IT(RMS) | 4.7 А |
| Ударний струм ITSM | 60 А (50 Гц, Tj=125 °C) |
| Струм керування IGT | не більше 10 мА (VD=6 В, RL=10 Ом) |
| Напруга керування VGT | не більше 1.0 В (VD=6 В, RL=10 Ом) |
| Пряма напруга VTM | не більше 1.4 В (ITM=5 А) |
| Ізоляційна напруга VISO | 1500 В (50 Гц, 1 хв) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Тиристор MCR100-6 (400V,0.8A,Igt=200мкА) , to92
В наявності
16,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor (onsemi) |
| Корпус | TO-92 |
| Корпус (докладно) | TO-92 (TO-226AA) |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 400 В (Tj -40…110 °C, синусоїда 50–60 Гц) |
| Струм It(RMS) | 0.8 А (Tc=80 °C, кут провідності 180°) |
| Ударний струм Itsm | 10 А (півперіод синусоїди 60 Гц, Tj=25 °C) |
| Струм керування Igt | 40 мкА тип. / 200 мкА макс. (Tc=25 °C, Vak=7.0 В, Rl=100 Ом) |
| Напруга керування Vgt | 0.62 В тип. / 0.8 В макс. (Tc=25 °C, Vak=7.0 В, Rl=100 Ом) |
| Струм утримання Ih | 0.5 мА тип. / 5.0 мА макс. (Tc=25 °C, Vak=7.0 В, Rgk=1 кОм) |
| dV/dt | 20 В/мкс мін. / 35 В/мкс тип. (Vd=Vdrm, Tj=110 °C, Rgk=1 кОм) |
| Макс. температура переходу | 110 °C |
Тиристор MCR100-8 (600V,0.8A,Igt=200мкА) , to92
В наявності
14,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Корпус | TO-92 |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В (Tj −40…110 °C, Rgk=1 кОм) |
| Струм It(rms) | 0.8 А (Tc=80 °C, 180°) |
| Ударний струм Itsm | 10 А (60 Гц, Tj=25 °C) |
| Струм Igt | 200 мкА макс., 40 мкА тип. (Tc=25 °C, Vak=7.0 В, Rl=100 Ом) |
| Напруга Vgt | 0.8 В макс. (Tc=25 °C, Vak=7.0 В, Rl=100 Ом) |
| Струм утримання Ih | 5.0 мА макс. (Tc=25 °C, Rgk=1 кОм) |
| dV/dt | 20 В/мкс мін., 35 В/мкс тип. (Tj=110 °C, Rgk=1 кОм) |
| Напруга Vtm | 1.7 В макс. (Itm=1.0 А, Ta=25 °C) |
Тиристор PCR406J , to92
В наявності
8,46 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Unisonic Technologies (UTC) |
| Корпус | TO-92 |
| Струм It(rms) | 0.8 А (Tc=40 °C) |
| Середній струм It(av) | 0.5 А (півперіод 180°, Tc=40 °C) |
| Струм Igt | 200 мкА макс. (Vd=7 В) |
| Напруга Vgt | 0.8 В макс. (Vd=7 В) |
| Струм утримання Ih | 5 мА макс. (Rgk=1 кОм) |
Тиристор X0405MF , TO-202-3
В наявності
51,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-202-3 |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В |
| Струм It(rms) | 4 А (Tl=60 °C) / 1.35 А (Tamb=25 °C), 180° |
| Середній струм It(av) | 2.5 А (Tl=60 °C) / 0.9 А (Tamb=25 °C), 180° |
| Ударний струм Itsm | 33 А (tp=8.3 мс) / 30 А (tp=10 мс), Tj=25 °C |
| Струм Igt | 50 мкА макс. (Vd=12 В, Rl=140 Ом, Tj=25 °C) |
| Напруга Vgt | 0.8 В макс. (ті самі умови) |
| dV/dt | ≥15 В/мкс (Vd=67% Vdrm, Rgk=1 кОм, Tj=110 °C) |
| Напруга Vtm | 1.8 В макс. (Itm=8 А, tp=380 мкс, Tj=25 °C) |
BT151, MCR100, BT169D та інші тиристори: що вказано в картці і що замовляють найчастіше
Серед тиристорів, які часто шукають, є BT151: в наявності, наприклад, BT151-500R, BT151-650R і BT151-800R у корпусі TO-220. Виробники – WeEn Semiconductors, NEC, ON Semiconductor, Vishay Semiconductors, IXYS, Mitsubishi Electric та інші.
Що означають позначення в картці тиристора
- Vdrm/Vrrm – повторна пряма імпульсна напруга в закритому стані та повторна зворотна імпульсна напруга. Найчастіше в картках 400 або 600 В, є й тиристори на 800 і 1200 В.
- It(av) – максимально допустимий середній струм через тиристор.
- It(rms) – діюче значення струму. Найчастіше це 0,8 А, як у BT169D і MCR100-6 у корпусі TO-92.
- Igt – постійний струм керуючого електрода, який відкриває тиристор. Найчастіше він 200 мкА. Підручник називає перевагою тиристора над транзисторним ключем саме це: незначний струм керування перемикає великий струм.
TO-92, TO-220AB, SOT-223 та інші корпуси
Найбільше тиристорів у корпусах TO-220AB і TO-92. Є також, наприклад, SOT-223, D-Pak, TO-126, TO-202, TO-220F, TO-247 і Super TO-247.
Найчастіші замовлення
- BT151-650R – оригінал, корпус TO-220.
- BT169D – 400 В, 0,8 А, Igt 200 мкА, корпус TO-92.
- BT168GW (BT168G) – 600 В, 1 А, Igt 50 мкА, корпус SOT-223.
- MCR100-6 – 400 В, 0,8 А, Igt 200 мкА, корпус TO-92. Поруч є MCR100-8 на 600 В.
- 70TPS12 (70TPS12A) – 1200 В, 70 А, корпус Super TO-247, демонтаж.
Є нові тиристори і демонтаж. Демонтажні деталі зняті з плат, інженер перевірив кожну тестером на пробій та обрив виводів. Надсилаємо Новою Поштою по Україні з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Диністори шукайте в розділі диністори, симістори – у розділі симістори. В одному замовленні з тиристорами беруть електролітичні конденсатори і деталі з розділу Різне.
Часті запитання
Що таке тиристор?
Це перемикальний напівпровідниковий прилад із трьома або більше p-n переходами і двома стійкими станами. У закритому стані через нього протікає малий струм, у відкритому – значний.
Для чого потрібен тиристор?
Тиристори застосовують як комутатори струму, в інверторах, у керованих випрямлячах, в генераторах імпульсів та інших схемах.
Як працює тиристор?
Тиристор має властивість пам'яті. Досить короткого імпульсу, щоб перемкнути його в провідний стан, і він залишиться в ньому, доки струм через нього не стане меншим за струм вимикання. Після відкривання керуючий електрод втрачає свої керуючі властивості.
Які бувають тиристори?
Серед різновидів – діодний тиристор, або диністор, у якого два виводи. Тиристор із двома основними виводами й керуючим електродом називають тріодним, або триністором.