Тиристори

Тиристори для комутації струму, інверторів і керованих випрямлячів, наприклад у корпусах TO-92, TO-220AB і SOT-223.

Відображаються усі з 20 результатів

Показати 20 40 80

Тиристор 2P4M (400V,2A,200мкА) , TO-126

В наявності

37,60 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникNEC Electronics (нині Renesas Electronics)
ТипТиристор (SCR)
Напруга Vdrm/Vrrm400 В (Rgk = 1 кОм, Tj 25 °C)
Струм It(av)2 А (Tc = 77 °C, θ = 180°, однофазна напівхвиля)
Струм It(rms)4 А
Ударний струм Itsm20 А (50 Гц, синусоїда півхвиля, 1 цикл)
Струм керування Igt200 мкА макс. (Vd = 6 В, Rl = 100 Ом, Tj = 25 °C)
Напруга керування Vgt0.8 В макс. (Vd = 6 В, Rl = 100 Ом, Tj = 25 °C)
dV/dt10 В/мкс мін. (Tj = 125 °C, Vd = 2/3 Vdrm)
Пряме падіння Vtm2.2 В макс. (Itm = 4 А)
КорпусSOT-32 (TO-126)

Тиристор 2P4M (400V,2A,200мкА) , TO-202

В наявності

37,60 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникNEC (NEC Electronics)
Vdrm/Vrrm400 В (RGK = 1 кОм)
It(av)2 А (TC = 77 °C, кут провідності 180°)
It(rms)4 А
Itsm20 А (50 Гц, 1 цикл)
Igt200 мкА макс. (VDM = 6 В, RL = 100 Ом)
Vgt0.8 В макс. (VDM = 6 В, RL = 100 Ом)
dV/dt10 В/мкс мін. (Tj = 125 °C, VDM = 2/3 Vdrm)
КорпусTO-202-3

Тиристор 40TPS12A ( 40TPS12 ) оригінал , TO247

В наявності

186,59 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникVishay Semiconductors
Vdrm/Vrrm1200 В
It(av)35 А (TC = 79 °C, кут провідності 180°)
It(rms)55 А
Itsm600 А (10 мс, початкова Tj = Tj max)
Igt40 мА макс. (Tj = 25 °C, живлення анода 6 В)
Vgt2.5 В макс. (Tj = 25 °C, живлення анода 6 В)
dV/dt500 В/мкс (Tj = Tj max, Rg-k = 100 Ом)
КорпусTO-247
СтанОригінал

Тиристор 70TPS12 ( 70TPS12A ) оригінал демонтаж , Super TO247(1200V,70A)

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникVishay Semiconductors
Vdrm/Vrrm1200 В
It(av)70 А (TC = 109 °C, кут провідності 180°)
It(rms)75 А (обмеження струмом виводів)
Itsm930 А (10 мс, початкова Tj = Tj max)
Igt100 мА макс. (Tj = 25 °C, живлення анода 6 В)
Vgt1.5 В макс. (Tj = 25 °C, живлення анода 6 В)
dV/dt500 В/мкс макс. (Tj = 150 °C)
КорпусSuper-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Тиристор BT149G (600V,0.5A,50мкА)(Заміна для BT149D ) , to92

В наявності

14,10 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdrm/Vrrm600 В (повторювана пікова)
Середній струм It(AV)0.5 А (напівсинусоїда, Tlead ≤ 83 °C)
Діючий струм It(RMS)0.8 А (напівсинусоїда, Tlead ≤ 83 °C)
Ударний струм Itsm8 А (tp=10 мс, Tj=25 °C)
Струм керування Igt50 мкА тип / 200 мкА макс (Vd=12 В, It=10 мА, Tj=25 °C)
Пряме падіння Vt1.25 В тип (VD=12 В, It=10 мА, Tj=25 °C)
КорпусTO-92

Тиристор BT151-500R оригінал, ТО220

В наявності

37,60 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникWeEn Semiconductors
ТипТиристор (SCR)
КорпусTO-220
Напруга Vdrm/Vrrm500 В
Середній прямий струм IT(AV)7.5 А (напівхвиля синусоїди, Tmb ≤ 109 °C)
Діючий прямий струм IT(RMS)12 А (напівхвиля синусоїди, Tmb ≤ 109 °C)
Ударний струм ITSM120 А (tp=10 мс, Tj(init)=25 °C)
Струм керування IGT2 мА тип. / 15 мА макс. (VD=12 В, IT=0.1 А, Tj=25 °C)
Напруга керування VGT0.6 В тип. / 1.5 В макс. (VD=12 В, IT=0.1 А, Tj=25 °C)
Пряма напруга VT1.4 В тип. / 1.75 В макс. (IT=23 А, Tj=25 °C)
СтанОригінал

Тиристор BT151-650R оригінал, ТО220

В наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdrm/Vrrm650 В (повторювана пікова)
Середній струм It(AV)7.5 А (напівсинусоїда, Tmb ≤ 109 °C)
Діючий струм It(RMS)12 А (напівсинусоїда, Tmb ≤ 109 °C)
Ударний струм Itsm120 А (tp=10 мс, Tj=25 °C)
Струм керування Igt2 мА тип / 15 мА макс (Vd=12 В, It=0.1 А, Tj=25 °C)
Пряме падіння Vt1.4 В тип (It=23 А, Tj=25 °C)
КорпусTO-220
СтанОригінал

Тиристор BT151-800R оригінал, ТО220

В наявності

98,70 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникWeEn Semiconductors
ТипТиристор (SCR)
КорпусTO-220
Напруга Vdrm/Vrrm800 В
Середній прямий струм IT(AV)7.5 А (напівхвиля синусоїди, Tmb ≤ 109 °C)
Діючий прямий струм IT(RMS)12 А (напівхвиля синусоїди, Tmb ≤ 109 °C)
Ударний струм ITSM120 А (tp=10 мс, Tj(init)=25 °C)
Струм керування IGT2 мА тип. / 15 мА макс. (VD=12 В, IT=0.1 А, Tj=25 °C)
Напруга керування VGT0.6 В тип. / 1.5 В макс. (VD=12 В, IT=0.1 А, Tj=25 °C)
Пряма напруга VT1.4 В тип. / 1.75 В макс. (IT=23 А, Tj=25 °C)
СтанОригінал

Тиристор BT152-600R оригінал, ТО220

В наявності

56,40 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdrm/Vrrm600 В (повторювана пікова)
Середній струм It(AV)13 А (напівсинусоїда, Tmb ≤ 103 °C)
Діючий струм It(RMS)20 А (напівсинусоїда)
Ударний струм Itsm200 А (tp=10 мс, Tj=25 °C)
Струм керування Igt3 мА тип / 32 мА макс (Vd=12 В, It=0.1 А, Tj=25 °C)
Пряме падіння Vt1.4 В тип (It=40 А, Tj=25 °C)
КорпусTO-220
СтанОригінал

Тиристор BT152-800R ,ТО220

В наявності

54,52 ₴
ПараметрЗначення
ТипТиристор (SCR)
ВиробникWeEn Semiconductors
Напруга Vdrm/Vrrm800 В
Діючий струм It(RMS)20 А
Середній струм It(AV)13 А (Tmb ≤ 103 °C)
КорпусTO-220

Тиристор BT168GW ( BT168G ) оригінал (600V,1A,Igt=50мкА) , sot223

В наявності

56,40 ₴
ПараметрЗначення
ТипТиристор (SCR, чутливий затвор)
ВиробникWeEn Semiconductors
Напруга Vdrm/Vrrm600 В
Діючий струм It(RMS)1 А
Середній струм It(AV)0.63 А (Tsp ≤ 112 °C)
Струм керування Igt50 мкА типовий (Vd=12 В, It=10 мА, Tj=25 °C)
КорпусSOT-223
СтанОригінал

Тиристор BT169D (0.8A;400V,Igt=200мкА) , to92

В наявності

9,87 ₴
ПараметрЗначення
ТипТиристор (SCR, чутливий затвор)
ВиробникWeEn Semiconductors
Напруга Vdrm/Vrrm400 В
Діючий струм It(RMS)0.8 А (Tlead ≤ 83 °C)
Середній струм It(AV)0.5 А (Tlead ≤ 83 °C)
Струм керування Igt200 мкА (макс.)
КорпусTO-92

Тиристор CLA50E1200HB оригінал демонтаж(1200V,50A), TO247

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникIXYS (нині Littelfuse)
ТипТиристор (SCR)
Напруга Vdrm/Vrrm1200 В (Tvj = 25 °C)
Струм It(av)50 А (Tc = 125 °C)
Струм It(rms)79 А (синусоїда 180°)
Струм керування Igt50 мА макс. (Tvj = 25 °C, Vd = 6 В)
Напруга керування Vgt1.5 В макс. (Tvj = 25 °C, Vd = 6 В)
dV/dt1000 В/мкс (Tvj = 150 °C, V = 2/3 Vdrm, Rgk = ∞)
Пряме падіння Vt1.27 В (It = 50 А, Tvj = 125 °C)
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Тиристор CR5AS (BCR5AS) (400V,5A,200мкА) , D-Pak

В наявності

39,95 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMitsubishi Electric
КорпусTO-252 (D-PAK)
Напруга Vdrm400 В
Напруга Vrrm400 В
Струм It(av)5 А
Струм It(rms)7.8 А
Ударний струм Itsm90 А
Струм керування Igt200 мкА
Напруга Vtm1.8 В
Струм утримання Ih3.0 мА
Температура переходу Tj125 °C

Тиристор FD312S

В наявності

71,91 ₴
ПараметрЗначення
ТипТиристор (SCR)

Тиристор FD312S оригінал демонтаж 

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSanken Electric
ТипТиристор (SCR) з вбудованим діодом Avalanche
КорпусTO-220F
Середній прямий струм IT(AV)3.0 А (50 Гц, напівхвиля синусоїди, кут 180°, Tc=92 °C)
Діючий прямий струм IT(RMS)4.7 А
Ударний струм ITSM60 А (50 Гц, Tj=125 °C)
Струм керування IGTне більше 10 мА (VD=6 В, RL=10 Ом)
Напруга керування VGTне більше 1.0 В (VD=6 В, RL=10 Ом)
Пряма напруга VTMне більше 1.4 В (ITM=5 А)
Ізоляційна напруга VISO1500 В (50 Гц, 1 хв)
СтанОригінал, демонтаж б/в

Тиристор MCR100-6 (400V,0.8A,Igt=200мкА) , to92

В наявності

16,45 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникON Semiconductor (onsemi)
КорпусTO-92
Корпус (докладно)TO-92 (TO-226AA)
Напруга Vdrm/Vrrm400 В (Tj -40…110 °C, синусоїда 50–60 Гц)
Струм It(RMS)0.8 А (Tc=80 °C, кут провідності 180°)
Ударний струм Itsm10 А (півперіод синусоїди 60 Гц, Tj=25 °C)
Струм керування Igt40 мкА тип. / 200 мкА макс. (Tc=25 °C, Vak=7.0 В, Rl=100 Ом)
Напруга керування Vgt0.62 В тип. / 0.8 В макс. (Tc=25 °C, Vak=7.0 В, Rl=100 Ом)
Струм утримання Ih0.5 мА тип. / 5.0 мА макс. (Tc=25 °C, Vak=7.0 В, Rgk=1 кОм)
dV/dt20 В/мкс мін. / 35 В/мкс тип. (Vd=Vdrm, Tj=110 °C, Rgk=1 кОм)
Макс. температура переходу110 °C

Тиристор MCR100-8 (600V,0.8A,Igt=200мкА) , to92

В наявності

14,10 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникON Semiconductor
КорпусTO-92
Напруга Vdrm/Vrrm600 В (Tj −40…110 °C, Rgk=1 кОм)
Струм It(rms)0.8 А (Tc=80 °C, 180°)
Ударний струм Itsm10 А (60 Гц, Tj=25 °C)
Струм Igt200 мкА макс., 40 мкА тип. (Tc=25 °C, Vak=7.0 В, Rl=100 Ом)
Напруга Vgt0.8 В макс. (Tc=25 °C, Vak=7.0 В, Rl=100 Ом)
Струм утримання Ih5.0 мА макс. (Tc=25 °C, Rgk=1 кОм)
dV/dt20 В/мкс мін., 35 В/мкс тип. (Tj=110 °C, Rgk=1 кОм)
Напруга Vtm1.7 В макс. (Itm=1.0 А, Ta=25 °C)

Тиристор PCR406J , to92

В наявності

8,46 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникUnisonic Technologies (UTC)
КорпусTO-92
Струм It(rms)0.8 А (Tc=40 °C)
Середній струм It(av)0.5 А (півперіод 180°, Tc=40 °C)
Струм Igt200 мкА макс. (Vd=7 В)
Напруга Vgt0.8 В макс. (Vd=7 В)
Струм утримання Ih5 мА макс. (Rgk=1 кОм)

Тиристор X0405MF , TO-202-3

В наявності

51,70 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусTO-202-3
Напруга Vdrm/Vrrm600 В
Струм It(rms)4 А (Tl=60 °C) / 1.35 А (Tamb=25 °C), 180°
Середній струм It(av)2.5 А (Tl=60 °C) / 0.9 А (Tamb=25 °C), 180°
Ударний струм Itsm33 А (tp=8.3 мс) / 30 А (tp=10 мс), Tj=25 °C
Струм Igt50 мкА макс. (Vd=12 В, Rl=140 Ом, Tj=25 °C)
Напруга Vgt0.8 В макс. (ті самі умови)
dV/dt≥15 В/мкс (Vd=67% Vdrm, Rgk=1 кОм, Tj=110 °C)
Напруга Vtm1.8 В макс. (Itm=8 А, tp=380 мкс, Tj=25 °C)

BT151, MCR100, BT169D та інші тиристори: що вказано в картці і що замовляють найчастіше

Серед тиристорів, які часто шукають, є BT151: в наявності, наприклад, BT151-500R, BT151-650R і BT151-800R у корпусі TO-220. Виробники – WeEn Semiconductors, NEC, ON Semiconductor, Vishay Semiconductors, IXYS, Mitsubishi Electric та інші.

Що означають позначення в картці тиристора

  • Vdrm/Vrrm – повторна пряма імпульсна напруга в закритому стані та повторна зворотна імпульсна напруга. Найчастіше в картках 400 або 600 В, є й тиристори на 800 і 1200 В.
  • It(av) – максимально допустимий середній струм через тиристор.
  • It(rms) – діюче значення струму. Найчастіше це 0,8 А, як у BT169D і MCR100-6 у корпусі TO-92.
  • Igt – постійний струм керуючого електрода, який відкриває тиристор. Найчастіше він 200 мкА. Підручник називає перевагою тиристора над транзисторним ключем саме це: незначний струм керування перемикає великий струм.

TO-92, TO-220AB, SOT-223 та інші корпуси

Найбільше тиристорів у корпусах TO-220AB і TO-92. Є також, наприклад, SOT-223, D-Pak, TO-126, TO-202, TO-220F, TO-247 і Super TO-247.

Найчастіші замовлення

  • BT151-650R – оригінал, корпус TO-220.
  • BT169D – 400 В, 0,8 А, Igt 200 мкА, корпус TO-92.
  • BT168GW (BT168G) – 600 В, 1 А, Igt 50 мкА, корпус SOT-223.
  • MCR100-6 – 400 В, 0,8 А, Igt 200 мкА, корпус TO-92. Поруч є MCR100-8 на 600 В.
  • 70TPS12 (70TPS12A) – 1200 В, 70 А, корпус Super TO-247, демонтаж.

Є нові тиристори і демонтаж. Демонтажні деталі зняті з плат, інженер перевірив кожну тестером на пробій та обрив виводів. Надсилаємо Новою Поштою по Україні з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.

Диністори шукайте в розділі диністори, симістори – у розділі симістори. В одному замовленні з тиристорами беруть електролітичні конденсатори і деталі з розділу Різне.

Часті запитання

Що таке тиристор?

Це перемикальний напівпровідниковий прилад із трьома або більше p-n переходами і двома стійкими станами. У закритому стані через нього протікає малий струм, у відкритому – значний.

Для чого потрібен тиристор?

Тиристори застосовують як комутатори струму, в інверторах, у керованих випрямлячах, в генераторах імпульсів та інших схемах.

Як працює тиристор?

Тиристор має властивість пам'яті. Досить короткого імпульсу, щоб перемкнути його в провідний стан, і він залишиться в ньому, доки струм через нього не стане меншим за струм вимикання. Після відкривання керуючий електрод втрачає свої керуючі властивості.

Які бувають тиристори?

Серед різновидів – діодний тиристор, або диністор, у якого два виводи. Тиристор із двома основними виводами й керуючим електродом називають тріодним, або триністором.