Сімістори
Сімістор MAC97A8 (0,6A;600V,Igt=0.005A) , to92
В наявності
4,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm | 600 В (Tj -40…110 °C) |
| Струм It(rms) | 0.6 А (повна синусоїда 50–60 Гц, Tc 50 °C) |
| Імпульсний струм Itsm | 8 А (один повний період, Tc 110 °C) |
| Струм керування Igt | 5 мА макс. (VD 12 В, RL 100 Ом; T2–G+ – 7 мА) |
| Напруга керування Vgt | 2.0 В макс. (VD 12 В, RL 100 Ом, T2+G+; T2–G+ – 2.5 В) |
| Напруга Vtm | 1.9 В макс. (струм 0.85 А, імпульс 2 мс) |
| Струм утримання Ih | 10 мА макс. (VD 12 В, початковий струм 200 мА) |
| dV/dt | 25 В/мкс тип. (67 % Vdrm, Tc 110 °C) |
| Макс. температура переходу | 110 °C |
| Квадранти | 4Q |
| Корпус | TO-92 |
| Виробник | HAOPIN MICROELECTRONICS |
Сімістор ST BTA16-600B оригінал( BTA16-600BW )(16A,600V,50mA), ТО220
В наявності
86,95 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm | 600 В (Tj 25 °C) |
| Напруга Vrrm | 600 В (Tj 25 °C) |
| Струм IT(RMS) | 16 А (Tc 80 °C) |
| Ударний струм Itsm | 160 А (повний період, tp 20 мс, Tj 25 °C) |
| Струм відкривання Igt | 50 мА макс. (чотири значення 50/50/50/70 мА, VD 12 В, RL 33 Ом, Tj 25 °C) |
| Напруга Vtm | 1.5 В макс. (Itm 22,5 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C) |
| dV/dt | 1200 В/мкс мін. (VD 400 В, Tj 125 °C) |
| Струм утримання Ih | 60 мА макс. (IT 200 мА, Tj 25 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 2.0 °C/Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 125 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Сімістор T410-600T , TO220
В наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm | 600 В (синус 50–60 Гц) |
| Струм It(rms) | 4.0 А (Tj 125 °C, повна синусоїда) |
| Імпульсний струм Itsm | 25/27 А (один період 50/60 Гц) |
| Струм керування Igt | 5 мА макс. (VD 12 В, RL 30 Ом) |
| Напруга керування Vgt | 1.5 В макс. (VD 12 В, RL 30 Ом) |
| Напруга Vtm | 1.7 В макс. (ITM 5.5 А, tp 380 мкс) |
| Струм утримання Ih | 10 мА макс. (It 0.1 А) |
| dV/dt | 20 В/мкс мін. (Tj 125 °C, 2/3 Vdrm) |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Корпус | TO-220 |
Сімістор Z0107MA ( 0107MA ) ( 0107NA ) , to92
В наявності
11,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | Сімістор, чутливий затвор |
| Напруга Vdrm | 600 В |
| Струм It(rms) | 1 А (макс.) |
| Напруга керування Vgt | 1,3 В (макс.) |
| Температура Tj | -40…125 °C |
| Корпус | TO-92 |
Сімістор Z0109MA (1A;600V,Igt=0.01A) , to92
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Напруга Vdrm | 600 В (Tj 25–125 °C) |
| Струм It(rms) | 1 А (Tlead 50 °C) |
| Імпульсний струм Itsm | 8 А (повна синусоїда, Tj 25 °C, t 20 мс) |
| Струм керування Igt | 10 мА макс. (VD 12 В, RL 30 Ом, Tj 25 °C) |
| Напруга керування Vgt | 1.3 В макс. (VD = VDRM, RL 3.3 кОм, Tj 125 °C) |
| Напруга Vt | 1.6 В макс. (Tj 25 °C) |
| Струм утримання Ih | 10 мА макс. (IT 50 мА) |
| dV/dt | 50 В/мкс мін. (0.67 Vdrm, Tj 110 °C) |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Корпус | TO-92 |
Сімістор Z0409MF ( ZO409MF ) , TO-202-3
В наявності
37,13 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | Сімістор 4Q |
| Струм IT(RMS) | 4 А (повна синусоїда) |
| Ударний струм ITSM | 20 А (50 Гц, t = 20 мс, Tj початкова 25 °C) |
| Струм керування IGT | 10 мА макс. (VD = 12 В, RL = 30 Ом, Tj 25 °C) |
| Напруга керування VGT | 1.3 В макс. (VD = 12 В, RL = 30 Ом, Tj 25 °C) |
| Струм утримання IH | 10 мА макс. (IT = 50 мА, Tj 25 °C) |
| dV/dt | 100 В/мкс мін. (gate open, Tj = 110 °C) |
| Температура переходу Tj | -40…+125 °C |
| Корпус | TO-202-3 |
Сімістор Z0607MA (0.8A,600V,Igt=0,005A) , to92
В наявності
7,52 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В |
| Струм It(rms) | 0.8 А (повна синусоїда, Tl 50 °C) |
| Імпульсний струм Itsm | 9 А (50 Гц, t 20 мс, Tj початкова 25 °C) |
| Струм керування Igt | 5 мА макс. (квадранти I–II–III, VD 12 В, RL 30 Ом, Tj 25 °C) |
| Напруга керування Vgt | 1.3 В макс. |
| Напруга Vtm | 1.5 В макс. (ITM 1.1 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C) |
| Квадранти | 4Q |
| Макс. температура переходу | 110 °C |
| Корпус | TO-92 |
Сімістор Z3M ( Z0103MN ) оригінал (1A,600V,3mA) , sot223
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Струм IT(RMS) | 1 А (SOT-223: Ttab = 90 °C, повна синусоїда) |
| Напруга VDRM/VRRM | 600 В (серія Z01: 600–800 В) |
| Ударний струм ITSM | 8 А (50 Гц, t = 20 мс, Tj 25 °C) |
| Струм керування IGT | 3 мА макс. (VD = 12 В, RL = 30 Ом, квадранти I–II–III; IV – 5 мА) |
| Напруга керування VGT | 1.3 В макс. (VD = 12 В, RL = 30 Ом) |
| Струм утримання IH | 7 мА макс. (IT = 50 мА) |
| Критична швидкість dV/dt | 10 В/мкс мін. (VD = 67 % VDRM, Tj = 110 °C) |
| Квадранти | 4Q (I–II–III–IV) |
| Температура переходу Tj | -40…+125 °C |
| Корпус | SOT-223 |
| Стан | Оригінал |
Сімістор Z7M ( Z0107MN , 107MN ) оригінал (1A;600V,Igt=5mA)( заміна для Z0107MN0, Z0107MNO , 107MNO , 107MN0 ), sot223
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В (повторювана імпульсна) |
| Струм It(rms) | 1 А |
| Струм керування Igt | 7 мА макс. (VD = 12 В, RL = 100 Ом, Tj 25 °C) |
| Напруга керування Vgt | 2 В макс. (квадранти I–III; 2.5 В для IV) |
| Спад напруги Vt | 1.65 В макс. (It = 1 А, tp = 380 мкс) |
| dV/dt | 50 В/мкс (VDM = 67 % Vdrm, Tj 125 °C) |
| Квадранти | 4Q |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Корпус | SOT-223 |
| Стан | Оригінал |
Сімістор Z9M ( Z0109MN, FT0109MN )(1A;600V,Igt=10mA) , sot223
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Vdrm | 600 В |
| It(RMS) | 1 А (Tsp ≤105 °C) |
| Itsm | 8/8,5 А (tp 20 мс/16,7 мс) |
| Igt | 10 мА (Tj 25 °C, 4 квадранти) |
| Vt | 1,3–1,6 В (IT 1,4 А, Tj 25 °C) |
| Квадранти | 4Q |
| Корпус | SOT-223 |
| Tj max | 125 °C |
Сімістор 2N6075A (4A,600V,Igt=0,005A)(A1 A2 G)
Немає в наявності
75,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm | 600 В (Tj –40…110 °C, керуючий електрод розімкнений) |
| Струм It(rms) | 4.0 А (Tc = 85 °C, повна синусоїда) |
| Ударний струм Itsm | 30 А (один період, 60 Гц, Tj = +110 °C) |
| Струм керування Igt (квадранти I, II, III) | 5 мА макс. (Tj = 25 °C, 12 В між силовими виводами, Rн 100 Ом) |
| Струм керування Igt (квадрант IV) | 10 мА макс. (Tj = 25 °C, 12 В між силовими виводами, Rн 100 Ом) |
| Квадранти | 4Q |
| Напруга Vtm | 2 В макс. (Itm = 6.0 А пік) |
| Напруга керування Vgt | 2.5 В макс. (Tj = –40 °C, 12 В між силовими виводами, Rн 100 Ом) |
| Макс. температура переходу Tj | 110 °C |
| Корпус | TO-225 |
| Виробник | onsemi |
Сімістор BT134W-600D (600V,1A,5mA) , sot223
Немає в наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm | 600 В макс. |
| Струм It(rms) | 1 А (повна синусоїда, Tsp ≤ 108 °C) |
| Ударний струм Itsm | 10 А (повна синусоїда, Tj(init) = 25 °C, tp = 20 мс) |
| Струм керування Igt (T2+ G+, T2+ G–, T2– G–) | 5 мА макс. (VD = 12 В, IT = 0.1 А, Tj = 25 °C) |
| Струм керування Igt (T2– G+) | 10 мА макс. (VD = 12 В, IT = 0.1 А, Tj = 25 °C) |
| Квадранти | 4Q |
| Напруга Vt | 1.5 В макс. (IT = 2 А, Tj = 25 °C) |
| Струм утримання Ih | 10 мА макс. (VD = 12 В, Tj = 25 °C) |
| Напруга керування Vgt | 1 В макс. (VD = 12 В, IT = 0.1 А, Tj = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 125 °C |
| Корпус | SOT-223 |
| Виробник | WeEn Semiconductors |
Сімістор BT139-600 (16А;600V,Igt=0.025A) ,ТО220
Немає в наявності
40,42 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm | 600 В макс. |
| Струм It(rms) | 16 А (повна синусоїда, Tmb ≤ 99 °C) |
| Ударний струм Itsm | 155 А (повна синусоїда, Tj(init) = 25 °C, tp = 20 мс) |
| Квадранти | 4Q |
| Напруга Vt | 1.6 В макс. (IT = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Струм утримання Ih | 45 мА макс. (VD = 12 В, Tj = 25 °C) |
| Напруга керування Vgt | 1 В макс. (VD = 12 В, IT = 0.1 А, Tj = 25 °C) |
| dVD/dt | 200 В/мкс мін. (VDM = 402 В, Tj = 125 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 125 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NXP Semiconductors |
Сімістор BT139-800E (16А;800V,Igt=0.01A) ,ТО220
Немає в наявності
42,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Тип | Сімістор |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdrm | 800 В (макс.) |
| Струм It(rms) | 16 А (повна синусоїда, Tmb ≤ 99 °C) |
| Ударний струм Itsm | 155 А (повна синусоїда, Tj(init) = 25 °C, tp = 20 мс) |
| Струм керування Igt | 10 мА (макс.; VD = 12 В, IT = 0.1 А, Tj = 25 °C) |
| Квадранти | 4Q |
| Напруга керування Vgt | 1 В (макс.; VD = 12 В, IT = 0.1 А, Tj = 25 °C) |
| Напруга Vt | 1.6 В (макс.; IT = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Струм утримання Ih | 45 мА (макс.; VD = 12 В, Tj = 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 125 °C (макс.) |
Сімістор BTA12-600B (12A,600V,50mA) ,ТО220
Немає в наявності
29,61 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Сімістор |
| Напруга Vdrm | 600 В |
| Струм It(rms) | 12 А (Tc = 79 °C) |
| Ударний струм Itsm | 119 / 130 А (один період, 50 Гц / 60 Гц) |
| Квадранти | 3Q |
| Напруга Vtm | 1.4 В (макс.; IT = 20 А, імпульсне вимірювання) |
| Напруга керування Vgt | 1.5 В (макс.; VD = 6 В, Rн = 10 Ом) |
| Струм утримання Ih | 20 мА (макс.) |
| Температура переходу Tj | 125 °C (макс.) |
Сімістор BTA12-700SW , ТО220
Немає в наявності
65,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 700 В |
| Струм It(rms) | 12 А (повна синусоїда, Tc 90 °C) |
| Ударний струм Itsm | 120 А (tp 20 мс, неповторюваний) |
| Струм керування Igt | 10 мА макс. (квадранти I–II–III, Vd 12 В, RL 30 Ом, Tc 25 °C) |
| Напруга керування Vgt | 1,3 В макс. (квадранти I–II–III, Vd 12 В, RL 30 Ом, Tc 25 °C) |
| Струм утримання Ih | 15 мА макс. (Igt 0,1 А, керуючий електрод розімкнений, Tc 25 °C) |
| Напруга у відкритому стані Vtm | 1,55 В макс. (It 17 А, tp 380 мкс, Tc 25 °C) |
| Струм витоку Idrm/Irrm | 5 мкА макс. (Vr = Vrrm, Tc 25 °C; 1 мА при Tj 125 °C) |
| Квадранти запуску | I–II–III |
| Робоча температура переходу Tj | -40…125 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус Rth(j-c) | 2,3 °C/Вт |
| Корпус | TO-220AB, ізольований |
Сімістор BTA16-600CW ( BTA16-600C ) (16A,600V,35mA) оригінал ,ТО220
Немає в наявності
71,91 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Сімістор snubberless |
| Корпус | TO-220A, ізольований |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В (Tj 25 °C) |
| Струм It(rms) | 16 А (Tc 80 °C) |
| Ударний струм Itsm | 160 А (повний період, tp 20 мс, Tj 25 °C) |
| Струм керування Igt | 35 мА (макс.; VD 12 В, RL 33 Ом) |
| Квадранти | 3Q |
| Напруга керування Vgt | 1 В (макс.; VD 12 В, RL 33 Ом) |
| Спад напруги Vtm | 1.5 В (макс.; Itm 22,5 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C) |
| Ізоляція корпусу | 2500 В (RMS) |
| Температура переходу Tj | 125 °C (макс.) |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BTA204S-600D , D-PAK
Немає в наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm | 600 В |
| Струм It(rms) | 4 А (повна синусоїда, Tmb ≤ 107 °C) |
| Ударний струм Itsm | 25 А (повна синусоїда, tp 20 мс, Tj(init) 25 °C) |
| Струм керування Igt | 5 мА (VD 12 В, IT 0,1 А, Tj 25 °C, макс.) |
| Спад напруги Vt | 1.4 В (IT 5 А, Tj 25 °C, тип.) |
| Квадранти | 3Q (T2+G+, T2+G-, T2-G-) |
| dV/dt | 20 В/мкс (VDM 402 В, Tj 125 °C, затвор розімкнений, мін.) |
| Струм утримання Ih | 6 мА (VD 12 В, Tj 25 °C, макс.) |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | WeEn Semiconductors |
Сімістор BTA24-800CW ( BTA24-800CWRG ) оригінал (25A,800V,Igt=0,035A) ,ТО220
Немає в наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 800 В (Tj 25 °C) |
| Струм It(rms) | 25 А |
| Ударний струм Itsm | 250 А (повний період, 50 Гц) |
| Струм керування Igt | 35 мА (VD 12 В, RL 33 Ом, макс., версія CW) |
| Напруга керування Vgt | 1.3 В (VD 12 В, RL 33 Ом, макс.) |
| Струм утримання Ih | 60 мА (IT 100 мА, макс., версія CW) |
| dV/dt | 1000 В/мкс (VD 2/3 Vdrm, Tj 125 °C, затвор розімкнений, мін., версія CW) |
| Спад напруги Vtm | 1.5 В (Itm 35 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C, макс.) |
| Квадранти | 3Q |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Корпус | TO-220A (Ins), ізольований; 2500 В RMS, UL |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BTA26-600B (25A,600V,50mA) , TOP3
Немає в наявності
86,95 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ударний струм Itsm | 260 А (F 50 Гц, t 20 мс) |
| Струм керування Igt | 50 мА (VD 12 В, RL 100 Ом, макс.) |
| Напруга керування Vgt | 1.5 В (VD 12 В, RL 100 Ом) |
| Спад напруги Vtm | 1.5 В (Itm 52 А, Tj 25 °C, макс.) |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Корпус | TOP3 |
Сімістор BTA41-600B (40A,600V,Igt=0,05A) , TOP3
Немає в наявності
65,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TOP3 |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В (Tj 25 °C) |
| Струм It(rms) | 40 А (Tc 81 °C) |
| Ударний струм Itsm | 420 А (повний період, tp 20 мс, Tj 25 °C) |
| Струм керування Igt | 50 мА (макс.; VD 12 В, RL 33 Ом, квадранти I–II–III); квадрант IV – 70 мА |
| Напруга керування Vgt | 1,3 В (макс.; VD 12 В, RL 33 Ом) |
| Спад напруги Vtm | 1,4 В (макс.; Itm 60 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C) |
| Квадранти | 4Q |
| Ізоляція корпусу | 2500 В (RMS) |
| Tj max | 125 °C |
Сімістор BTB06-600B ( BTB06-600BW ) (6A;600V,Igt=0.05A) , TO220
Немає в наявності
30,55 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В (Ta 25 °C; ID 0,1 мА) |
| Струм It(rms) | 6,0 А (Ta 25 °C) |
| Ударний струм Itsm | 63 А (неповторюваний, Ta 25 °C) |
| Струм керування Igt | 50 мА (T2+G+, T2+G-, T2-G-); 100 мА (T2-G+); макс.; VAK 12 В, RL 30 Ом |
| Напруга керування Vgt | 1,3 В (макс.; VD 12 В, RL 30 Ом) |
| Напруга Vtm | 1,55 В (макс.; IT 5,5 А) |
| Струм утримання Ih | 50 мА (макс.; IT 0,5 А, IGT 20 мА) |
| Струм витоку Idrm | 10 мкА (макс.; VDRM 520 В) |
| Квадранти | 4Q |
| Tj max | 110 °C |
Сімістор BTB06-600TW оригінал ( заміна для BTB04-600T ), TO220
Немає в наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdrm | 600 В (повна синусоїда, Tc ≤ 110 °C) |
| Струм It(rms) | 6 А (повна синусоїда, Tc ≤ 110 °C) |
| Ударний струм Itsm | 60 А (50 Гц, 20 мс, Tj початкова 25 °C) |
| Струм керування Igt | 5 мА (макс.; VD 12 В, RL 30 Ом, квадранти I-II-III) |
| Напруга керування Vgt | 1,3 В (макс.; квадранти I-II-III) |
| Напруга Vt | 1,55 В (макс.; ITM 5,5 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C) |
| Струм утримання Ih | 10 мА (макс.; IT 100 мА) |
| Струм вмикання IL | 10 мА (макс.; IG 1,2·IGT, квадранти I-III) |
| dV/dt | 20 В/мкс (мін.; VD 67 % VDRM, затвор розімкнений, Tj 125 °C) |
| Квадранти | 3Q |
| Робота без снаббера | так |
| Tj max | 125 °C |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BTB24-600BW , ТО220
Немає в наявності
58,28 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Повторювана напруга VDRM | 600 В (повна синусоїда) |
| Діючий струм IT(RMS) | 25 А (повна синусоїда, Tc = 75 °C) |
| Ударний струм ITSM | 250 А (50 Гц, 20 мс, Tj початкова 25 °C) |
| Струм керування IGT | 50 мА макс. (VD 12 В, RL 33 Ом, квадранти I-II-III) |
| Напруга керування VGT | 1,3 В макс. |
| Напруга у відкритому стані VT | 1,55 В макс. (ITM 35 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C) |
| Струм вмикання IL | 80 мА макс. (IG 1,2·IGT, квадранти I-III) |
| Критична швидкість dV/dt | 1000 В/мкс мін. (VD 67 % VDRM, затвор розімкнений, Tj 125 °C) |
| Квадранти керування | 3Q (I-II-III) |
| Максимальна температура переходу Tj | 125 °C |
| Корпус | TO-220 |
Сімістор T405-800B ( T405-800 , T40580 , T405Q-600B, T405Q-600H ) , D-PAK
Немає в наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Діючий струм IT(RMS) | 4 А (повна синусоїда, Tc = 110 °C) |
| Ударний струм ITSM | 35 А (50 Гц, 20 мс, Tj початкова 25 °C) |
| Струм керування IGT | 5 мА макс. (VD 12 В, RL 30 Ом, квадранти I-II-III; квадрант IV – 10 мА) |
| Напруга керування VGT | 1,3 В макс. (усі квадранти) |
| Напруга у відкритому стані VTM | 1,5 В макс. (ITM 5 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C) |
| Квадранти керування | 4Q |
| Максимальна температура переходу Tj | 125 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Сімістор Z0103MA , to92
Немає в наявності
13,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Повторювана напруга VDRM | 600 В (макс.) |
| Діючий струм IT(RMS) | 1 А (повна синусоїда, Tlead ≤ 45 °C) |
| Ударний струм ITSM | 12,5 А (повна синусоїда, Tj початкова 25 °C, tp 20 мс; 13,8 А при 16,7 мс) |
| Струм керування IGT (T2+G+, T2+G-, T2-G-) | 3 мА макс. (VD 12 В, IT 0,1 А, Tj 25 °C) |
| Струм керування IGT (T2-G+) | 5 мА макс. (VD 12 В, IT 0,1 А, Tj 25 °C) |
| Струм утримання IH | 7 мА макс. (Tj 25 °C) |
| Напруга у відкритому стані VT | 1,6 В макс. (тип. 1,3 В; IT 1,4 А, Tj 25 °C) |
| Критична швидкість dVD/dt | 80 В/мкс мін. (VDM 402 В, 67 % VDRM, Tj 110 °C, затвор розімкнений) |
| Квадранти керування | 4Q |
| Максимальна температура переходу Tj | 125 °C |
| Корпус | TO-92 |