Магазин

Показано 1961–2000 із 6333Сортовано за останнім

Показати 20 40 80

Мікросхема TA8211AH

В наявності

91,18 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникToshiba
ПризначенняДвоканальний підсилювач потужності звуку для побутової апаратури
Кількість каналів2
Вихідна потужність Pout(1)6,0 Вт/канал (тип.; мін. 5,0; Vcc 20 В, f 1 кГц, THD 10 %, RL 8 Ом)
Вихідна потужність Pout(2)4,5 Вт/канал (тип.; Vcc 20 В, f 1 кГц, THD 1 %, RL 8 Ом)
Струм спокою ICCQ75 мА (тип.), 130 мА (макс.) (Vcc 20 В, Vin 0, Ta 25 °C)
Коефіцієнт підсилення Gv34 дБ (32,5–35,5) (Vout 0,775 Vrms, f 1 кГц)
Шум на виході Vno0,14 мВ rms (тип.), 0,3 (макс.) (Vcc 28 В, Gv 34 дБ, Rg 10 кОм, смуга 20 Гц–20 кГц)
Робоча напруга живлення Vcc(opr)10–30 В (Ta 25 °C)
Макс. напруга живлення Vcc30 В (Ta 25 °C)
Вихідний струм (пік, на канал)2 А (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання PD25 Вт (Ta 25 °C; знижується на 200 мВт/°C вище 25 °C)
Робоча температура Topr-20…75 °C
Температура зберігання Tstg-55…150 °C
КорпусHZIP12
ОсобливостіМало зовнішніх деталей, вбудований захист від перегріву

Мікросхема TA7269P

В наявності

145,70 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникToshiba
ПризначенняДвоканальний підсилювач потужності звуку
Кількість каналів2
Вихідна потужність Pout(1)5,0 Вт/канал (тип.; Vcc 12 В, f 1 кГц, THD 10 %, RL 3 Ом)
Вихідна потужність Pout(2)8,0 Вт/канал (тип.; Vcc 15 В, f 1 кГц, THD 10 %, RL 3 Ом)
Вихідна потужність Pout(3)3,0 Вт/канал (тип.; Vcc 9 В, f 1 кГц, THD 10 %, RL 3 Ом)
Струм спокою ICCQ35 мА (тип.; Vcc 15 В, Vin 0)
Робоча напруга живлення Vcc(opr)6–20 В
Макс. напруга живлення Vcc20 В (Ta 25 °C)
Вихідний струм (пік, на канал)4 А (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання PD25 Вт (Ta 25 °C)
Робоча температура Topr-20…75 °C
Температура зберігання Tstg-55…150 °C
Корпус12 виводів, Toshiba S12EP-P
ОсобливостіЗахист від перегріву, функція приглушення звуку (muting)

Мікросхема TA1360ANG оригінал

В наявності

423,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникToshiba
ПризначенняПроцесор компонентних сигналів YCbCr/YPbPr і синхропроцесор для цифрових, прогресивних і double scan телевізорів
КеруванняШина I2C
КорпусSDIP56-P-600-1.78
Кількість виводів56
Макс. напруга живлення VCCmax12 В (Ta 25 °C)
Робоча напруга живлення (виводи 19, 40, 55)8,7–9,3 В (тип. 9,0 В), плати B і C; для плати A: 8,5–9,1 В (тип. 8,8 В)
Макс. вхідний сигнал einmax9 В p-p
Потужність розсіювання PD2551 / 2717 / 3378 мВт (плата A / B / C, Ta 25 °C)
Робоча температура Topr-20…65 °C
Температура зберігання Tstg-55…150 °C
СтанОригінал

Мікросхема TA1343NG ( TA1343N )

В наявності

54,05 ₴
ПараметрЗначення
ПризначенняЗвуковий процесор для ТВ з керуванням по I2C
Напруга живлення VCC8.1–9.9 В (рекомендована)
Макс. напруга живлення12 В (Ta=25 °C, абсолютний максимум)
Струм споживання50 мА (VCC=9 В, Ta=25 °C)
Розсіювана потужність1400 мВт (Ta=25 °C)
Робоча температура-20…75 °C
КорпусSDIP24

Мікросхема TA1275AZ

В наявності

101,52 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникToshiba
ПризначенняSECAM-демодулятор
Напруга живлення4.5–5.5 В (рекомендовані умови)
Макс. напруга живлення8 В (Ta=25 °C, абсолютний максимум)
Струм споживання VCC (Y/C)38.5 мА (VCC=5 В, Ta=25 °C)
Розсіювана потужність780 мВт (Ta=25 °C)
Робоча температура-20…65 °C
КорпусSZIP21

Мікросхема SY8089A , sot23-5

В наявності

23,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSilergy
ПризначенняСинхронний понижувальний DC/DC регулятор
Вхідна напруга2.7–5.5 В (рекомендовані умови)
Вихідний струм2 А безперервно, 3 А пік
Частота перетворення1 МГц
RDS(on) верхній/нижній110 / 80 мОм
Розсіювана потужність0.6 Вт (Ta=25 °C, SOT23-5)
Робоча температура-40…85 °C
КорпусSOT23-5

Мікросхема SY8088AAC , sot23-5

В наявності

23,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSilergy
ТипСинхронний понижувальний DC/DC регулятор
Вхідна напруга2.5–5.5 В
Макс. вихідний струм1 А
Частота перетворення1.5 МГц
RDS(on) верхній/нижній260 / 170 мОм, VIN 5 В, 25 °C
Струм спокою40 мкА
Опорна напруга0.6 В, VIN 5 В, 25 °C
Макс. температура переходу125 °C
КорпусSOT23-5

Мікросхема SY8009B , sot23-6 ( BL8024 )

В наявності

23,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSilergy
Вхідна напруга3–5.5 В
Вихідний струм2 А (варіант B)
Rds(on) верхнього ключа100 мОм (варіант B)
Rds(on) нижнього ключа80 мОм (варіант B)
Частота перетворення1 МГц (варіант B; A: 1.5 МГц)
Робочий діапазон температур-40…85 °C
КорпусSOT23-6
Корпус (докладно)SOT23-6 / SSOT23-6, вивід 5 NC

Мікросхема SY8008B , sot23-5 ( BL8027 )

В наявності

32,90 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSilergy
Вхідна напруга2.5–5.5 В
Вихідний струм1 А (варіант B)
Rds(on) верхнього ключа250 мОм (варіант B)
Rds(on) нижнього ключа200 мОм (варіант B)
Частота перетворення1.5 МГц
Опорна напруга FB0.588–0.612 В (тип. 0.6 В) при VIN 5 В, TA 25 °C
Тепловий захист160 °C
Робочий діапазон температур-40…85 °C (код C)
КорпусSOT23-5

Мікросхема SY3511D , so-8

В наявності

61,10 ₴
ПараметрЗначення
ТипКонтролер зарядки та синхронний підвищувач для powerbank
Напруга живлення VCC4.4–5.5 В (тип. 5 В), VBAT 3,7 В, 25 °C
Струм зарядки1 А
Напруга зарядки акумулятора4.2 В (±1 %)
Макс. вихідний струм підвищувача1 А
Вихідна напруга OUT5.1 В (4.85–5.25 В), VBAT 3,7 В
Індикація4 LED
КорпусESOP-8

Мікросхема SW2604A (SW2604 ) , DIP8

В наявності

40,42 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSAMWIN
ТипШІМ-контролер зі струмовим режимом, з вбудованим біполярним ключем
Напруга ключа700 В
Макс. напруга живлення VCC16 В
Піковий струм ключа1000 мА
Вихідна потужність (адаптер)12 Вт, вхід 85–264 В AC
Вихідна потужність (відкрита конструкція)15 Вт, вхід 85–264 В AC
Розсіювана потужність1200 мВт
Макс. температура переходу150 °C
КорпусDIP8

Мікросхема STV9381 оригінал ( заміна для STV9380A , STV9380 ) , DIP20

В наявності

128,31 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусDIP-20
Робоча напруга живлення±10…±18 В
Макс. напруга живлення±20 В
Вихідний струмдо 3 А (розмах)
Макс. вихідний струм±2 А
Макс. напруга на виході80 В
Робоча температура0…+70 °C
Макс. температура переходу150 °C
Тепловий опір перехід–середовище70 °C/Вт
СтанОригінал

Мікросхема STV9379FA ( STV9379F )

В наявності

58,75 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусHEPTAWATT
Напруга живлення Vs10–42 В (відносно виводу 4, TA 25 °C)
Вихідний струм на котушкудо 2,6 А (pp, Vs до 42 В)
Напруга зворотного ходу на виводі 5до 90 В
Піковий вихідний струм1,3 А (Vs 42 В, TA 25 °C)
Тепловий опір перехід–корпус3 °C/Вт (максимум)
Тепловий захист150 °C (гістерезис 10 °C)

Мікросхема STV9379 ( STV9379A ) демонтаж

В наявності

39,48 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусHEPTAWATT
Робоча напруга живлення VS10–42 В
Макс. напруга живлення VS50 В
Вихідний струмдо 2 А (розмах)
Напруга генератора зворотного ходудо 90 В
Макс. пікова напруга зворотного ходу (вивід 6)100 В
Тепловий опір перехід–корпус3 °C/Вт
Макс. температура переходу150 °C
СтанДемонтаж б/в

Мікросхема STV9326

В наявності

37,60 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусHEPTAWATT
Робоча напруга живлення VS10–30 В
Макс. напруга живлення VS40 В
Вихідний струмдо 3 А (розмах)
Робочий піковий вихідний струм±1.5 А
Коефіцієнт підсилення за напругою80 дБ
Тепловий опір перехід–корпус3 °C/Вт
Макс. температура переходу150 °C

Мікросхема STV9325

В наявності

37,60 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусHEPTAWATT
Робоча напруга живлення10–35 В (VS = 34 В, Tamb 25 °C)
Макс. напруга живлення40 В
Робочий піковий вихідний струм±1.25 А (0 °C < Tcase < 125 °C)
Макс. піковий імпульс зворотного ходу V5, V670 В
Коефіцієнт підсилення80 дБ (VS = 34 В, 25 °C)
Макс. температура переходу150 °C
Тепловий опір перехід–корпус3 °C/Вт

Мікросхема STV9306 оригінал демонтаж

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусMULTIWATT15
Робоча напруга живлення16–28 В (VS = 24 В, Tamb 25 °C)
Макс. напруга живлення35 В
Макс. піковий імпульс зворотного ходу60 В
Струм споживання40 мА тип. / 60 мА макс.
Макс. температура переходу150 °C
Тепловий опір перехід–корпус3 °C/Вт (макс.)
СтанОригінал, демонтаж б/в

Мікросхема STV9302B ( D9302B )

В наявності

44,65 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусHEPTAWATT
Робоча напруга живлення10–35 В (VS = 32 В)
Макс. напруга живлення40 В
Робочий піковий вихідний струм±1 А (Tamb 25 °C)
Макс. піковий імпульс зворотного ходу70 В
Коефіцієнт підсилення80 дБ (тип.)
Макс. температура переходу150 °C
Тепловий опір перехід–корпус3 °C/Вт

Мікросхема STV9302A демонтаж

В наявності

28,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
Типпідсилювач кадрової розгортки
Напруга живлення10–35 В (VS = 32 В)
Макс. напруга живлення40 В
Піковий вихідний струм±1 А (Tamb 25 °C)
Імпульс зворотного ходу, макс.70 В
Коефіцієнт підсилення80 дБ (тип.)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусHEPTAWATT
СтанДемонтаж б/в

Мікросхема STV8172A ( STV8172 )

В наявності

68,62 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
Типпідсилювач кадрової розгортки
Напруга живлення10–35 В (VS = 34 В)
Макс. напруга живлення40 В
Піковий вихідний струм±1,5 А (Tamb 25 °C)
Імпульс зворотного ходу, макс.75 В
Коефіцієнт підсилення80 дБ (тип.)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусHEPTAWATT

Мікросхема STV8131

В наявності

79,90 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
Типдвоканальний стабілізатор напруги
Вихід 15 В (±2 %)
Вихід 28 В (±2 %)
Струм кожного виходудо 1 А
Макс. вхідна напруга (вивід 1)20 В
Макс. температура переходу150 °C
КорпусHEPTAWATT

Мікросхема STV8130A

В наявності

55,46 ₴
ПараметрЗначення
Корпус9-SIP
ВиробникSTMicroelectronics
Вихід 1: напруга3,3 В (3,23–3,37 В) при IO1 = 10 мА, VIN = 7 В, Tj 25 °C
Вихід 1: допуск±2 %
Вихід 2: діапазон напруги2,8–16 В (програмується)
Вихідний струм750 мА
Падіння напруги1,4 В (макс.) при IO1,2 = 750 мА
Макс. вхідна напруга VIN20 В
Струм спокою2 мА (макс.)
Струм КЗ на виході1,6 А (макс.) при VIN = 7 В
Робоча температура0…+70 °C

Мікросхема STV5112

В наявності

73,32 ₴
ПараметрЗначення
КорпусMULTIWATT15
ВиробникSGS-THOMSON (STMicroelectronics)
Напруга живлення VDD (висока)220 В (типове)
Напруга живлення VCC (низька)9 В (типове)
Макс. напруга VDD250 В
Макс. напруга VCC20 В
Смуга пропускання8 МГц (типове)
Час наростання та спаду50 нс (типове)
Макс. температура переходу150 °C
Робоча температура0…+70 °C

Мікросхема STV5109

В наявності

163,56 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипRGB-підсилювач відеосигналу високої напруги
Смуга пропускання8 МГц (типове)
Висока напруга живлення220 В (типове)
Низька напруга VCC12 В (типове, вивід 5)
Час наростання і спаду50 нс (типове)
КорпусMULTIWATT15
Кількість виводів15 шт

Мікросхема STV2249H ( Заміна для STV2248H )

В наявності

258,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипОднокристальний TV-процесор
КорпусSDIP56-P-600-1.78
Кількість виводів56 шт
Стандарти кольоруPAL/SECAM/NTSC
Живлення VCC18 В
Живлення VCCIF5 В
Цифрове живлення VCCD5 В

Мікросхема STV2246D ( Заміна для STV2246C , STV2246H )

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
НомерSTV2246D
Заміна дляSTV2246C, STV2246H

Мікросхема STV2180A-BC оригінал демонтаж , DIP14

В наявності

94,00 ₴
ПараметрЗначення
КорпусDIP14
ВиробникSTMicroelectronics
Напруга живлення VCC9 В (8,5–9,5 В) при Tamb 25 °C, R9 = 4,02 кОм
Макс. напруга VCC11 В
Струм споживання15 мА (макс. 25 мА) при VCC = 9 В
Споживана потужність135 мВт (макс. 240 мВт) при VCC = 9 В
Робоча температура0…+70 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

Мікросхема STV2118A ( Заміна для STV2118B )

В наявності

391,98 ₴
ПараметрЗначення
КорпусSDIP42
Системи кольоруPAL/SECAM/NTSC (BGDKILMN)
Напруга живлення VCC1, VCC29 В (8,1–9,9 В), Tamb = 25 °C
Макс. напруга VCC12 В
Струм ICC175 мА (55–95 мА), VCC = 9 В, Tamb = 25 °C
Струм ICC270 мА (50–90 мА), режим PAL/NTSC, VCC = 9 В
Потужність розсіювання1305 мВт (макс. 1700 мВт), VCC = 9 В, Tamb = 25 °C
Робоча температура0…+70 °C
Тепловий опір Rth(j-a)40 °C/Вт, PD = 1,3 Вт

Мікросхема STV2116A б/в (нет SECAM / PAL есть )

В наявності

94,00 ₴
ПараметрЗначення
КорпусSDIP42
Системи кольоруPAL/NTSC (BGDKIMN), без SECAM
Напруга живлення VCC1, VCC29 В (8,1–9,9 В), Tamb = 25 °C
Макс. напруга VCC12 В
Струм ICC175 мА (55–95 мА), VCC = 9 В, Tamb = 25 °C
Струм ICC260 мА (40–80 мА), режим PAL/NTSC, VCC = 9 В
Потужність розсіювання1215 мВт (макс. 1600 мВт), VCC = 9 В, Tamb = 25 °C
Робоча температура0…+70 °C
Тепловий опір Rth(j-a)40 °C/Вт, PD = 1,3 Вт
СтанДемонтаж б/в

Мікросхема STV2112B демонтаж

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
КорпусSDIP42
Напруга живлення VCC1, VCC29 В (8,1–9,9 В), Tamb = 25 °C
Макс. напруга VCC12 В
Потужність Ptot1305 мВт тип. / 1700 мВт макс., VCC = 9 В, Tamb = 25 °C
Робоча температура0…+70 °C
Температура зберігання-55…+150 °C
Тепловий опір Rth(j-a)40 °C/Вт, PD = 1,3 Вт
СтанДемонтаж б/в

Мікросхема STRZ2152 ( STR-Z2152 ) оригінал демонтаж

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
СтанОригінал, демонтаж б/в

Мікросхема STRX6768 оригінал

В наявності

296,10 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSanken
КорпусTO-3P, 7 виводів
Напруга сток–витік VDSS800 В (IDSS = 300 мкА, мінімум)
Опір RDS(on)1,0 Ом (IDS = 2,5 А, максимум)
Піковий струм стоку IDpeak20 А (одиничний імпульс)
Напруга запуску VCC(ON)18,2 В (типове)
Напруга зупинки VCC(OFF)9,7 В (типове)
Потужність розсіювання PD146 Вт (з нескінченним радіатором; без радіатора 2,8 Вт)
Робоча температура-20…125 °C
СтанОригінал

Мікросхема STRX6556 оригінал

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
СтанОригінал

Мікросхема STRW6765C ( STRW6765 ) демонтаж

В наявності

131,60 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSanken
Напруга сток–витік VDSS800 В
Опір RDS(on)1,80 Ом (максимум)
Вихідна потужність (вхід Wide)50 Вт (тепловий номінал)
Вихідна потужність (вхід 230 В AC)110 Вт (тепловий номінал)
Напруга запуску VCC(ON)18,2 В (типове значення)
Напруга зупинки VCC(OFF)9,7 В (типове значення)
Захист VCC(OVP)25,5 В (мінімум)
КорпусTO-220, 7 виводів, повністю ізольований, вивід 2 відсутній
СтанДемонтаж б/в

Мікросхема STRW6756 демонтаж

В наявності

117,50 ₴
ПараметрЗначення
Призначенняквазірезонансний первинний імпульсний регулятор з вбудованим MOSFET і контролером
ВиробникSanken
Напруга Vdss650 В (мінімум, ID = 300 мкА)
Опір Rds(on)0,73 Ом (максимум, ID = 2,2 А)
Імпульсний струм стоку IDpeak15 А (одиночний імпульс)
Лавинна енергія EAS400 мДж (одиночний імпульс, VDD = 99 В, L = 20 мГн, ILpeak = 6,05 А)
Напруга живлення контролера Vcc35 В (максимально допустима)
Потужність розсіювання MOSFET29 Вт (з нескінченним радіатором; без радіатора 1,3 Вт)
Температура каналу Tch150 °C (максимум)
Напруга запуску Vcc(ON)18,2 В (типове значення, діапазон 16,3–19,9 В)
Напруга зупинки Vcc(OFF)9,7 В (типове значення, діапазон 8,8–10,6 В)
Тепловий опір канал–рамка1,5 °C/Вт (максимум)
КорпусTO-220F-6L
СтанДемонтаж б/в

Мікросхема STRW6753 ( STRW6753R )

В наявності

117,50 ₴
ПараметрЗначення
Призначенняквазірезонансний імпульсний регулятор з вбудованим MOSFET і схемою керування
ВиробникSanken
Напруга Vdss650 В
Опір Rds(on)1,70 Ом (максимум)
Вихідна потужність (вхід 85–264 В AC)58 Вт (теплова межа)
Вихідна потужність (вхід 230 В AC)120 Вт (теплова межа)
Напруга запуску Vcc(ON)18,2 В (типове значення)
Напруга зупинки Vcc(OFF)9,7 В (типове значення, максимум 10,6 В)
КорпусTO-220F-7

Мікросхема STRW6553A демонтаж

В наявності

84,60 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSanken
КорпусTO-220
Призначенняквазірезонансний зворотноходовий імпульсний регулятор для мережевих джерел живлення
Силовий транзисторвбудований MOSFET з гарантованою лавинною енергією
СтанДемонтаж б/в

Мікросхема STRW6262A ( STRW6262 ) демонтаж

В наявності

108,10 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSanken
КорпусTO220-6
СтанДемонтаж б/в

Мікросхема STRW6252 демонтаж(Заміна для STRW6251 )

В наявності

117,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSanken
КорпусTO-220F-6L
Напруга Vdss650 В (мін.; Ta 25 °C)
Rds(on)2,8 Ом (макс.; Ta 25 °C)
Струм Id(max)3,2 А (Ta -20…+125 °C)
Частота fosc(avg)67 кГц (тип.; Vcc 18 В)
СтанДемонтаж б/в

Транзистор CS13N50 оригінал, TO220

В наявності

59,69 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
КорпусTO-220
ВиробникWuxi China Resources Huajing Microelectronics
Напруга Vds (VGS=0 В, ID=250 мкА)500 В
Струм стоку Id (TC 25 °C)13 А
Струм стоку Id (TC 100 °C)10 А
Rds(on) (VGS=10 В, ID=6.5 А)0.34 Ом (тип.), 0.45 Ом (макс.)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В
Заряд затвора Qg45 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss2130 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання Pd (TC 25 °C)150 Вт
Макс. температура переходу Tj150 °C
СтанОригінал