Магазин
Мікросхема TA8211AH
В наявності
91,18 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Призначення | Двоканальний підсилювач потужності звуку для побутової апаратури |
| Кількість каналів | 2 |
| Вихідна потужність Pout(1) | 6,0 Вт/канал (тип.; мін. 5,0; Vcc 20 В, f 1 кГц, THD 10 %, RL 8 Ом) |
| Вихідна потужність Pout(2) | 4,5 Вт/канал (тип.; Vcc 20 В, f 1 кГц, THD 1 %, RL 8 Ом) |
| Струм спокою ICCQ | 75 мА (тип.), 130 мА (макс.) (Vcc 20 В, Vin 0, Ta 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення Gv | 34 дБ (32,5–35,5) (Vout 0,775 Vrms, f 1 кГц) |
| Шум на виході Vno | 0,14 мВ rms (тип.), 0,3 (макс.) (Vcc 28 В, Gv 34 дБ, Rg 10 кОм, смуга 20 Гц–20 кГц) |
| Робоча напруга живлення Vcc(opr) | 10–30 В (Ta 25 °C) |
| Макс. напруга живлення Vcc | 30 В (Ta 25 °C) |
| Вихідний струм (пік, на канал) | 2 А (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання PD | 25 Вт (Ta 25 °C; знижується на 200 мВт/°C вище 25 °C) |
| Робоча температура Topr | -20…75 °C |
| Температура зберігання Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | HZIP12 |
| Особливості | Мало зовнішніх деталей, вбудований захист від перегріву |
Мікросхема TA7269P
В наявності
145,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Призначення | Двоканальний підсилювач потужності звуку |
| Кількість каналів | 2 |
| Вихідна потужність Pout(1) | 5,0 Вт/канал (тип.; Vcc 12 В, f 1 кГц, THD 10 %, RL 3 Ом) |
| Вихідна потужність Pout(2) | 8,0 Вт/канал (тип.; Vcc 15 В, f 1 кГц, THD 10 %, RL 3 Ом) |
| Вихідна потужність Pout(3) | 3,0 Вт/канал (тип.; Vcc 9 В, f 1 кГц, THD 10 %, RL 3 Ом) |
| Струм спокою ICCQ | 35 мА (тип.; Vcc 15 В, Vin 0) |
| Робоча напруга живлення Vcc(opr) | 6–20 В |
| Макс. напруга живлення Vcc | 20 В (Ta 25 °C) |
| Вихідний струм (пік, на канал) | 4 А (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання PD | 25 Вт (Ta 25 °C) |
| Робоча температура Topr | -20…75 °C |
| Температура зберігання Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | 12 виводів, Toshiba S12EP-P |
| Особливості | Захист від перегріву, функція приглушення звуку (muting) |
Мікросхема TA1360ANG оригінал
В наявності
423,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Призначення | Процесор компонентних сигналів YCbCr/YPbPr і синхропроцесор для цифрових, прогресивних і double scan телевізорів |
| Керування | Шина I2C |
| Корпус | SDIP56-P-600-1.78 |
| Кількість виводів | 56 |
| Макс. напруга живлення VCCmax | 12 В (Ta 25 °C) |
| Робоча напруга живлення (виводи 19, 40, 55) | 8,7–9,3 В (тип. 9,0 В), плати B і C; для плати A: 8,5–9,1 В (тип. 8,8 В) |
| Макс. вхідний сигнал einmax | 9 В p-p |
| Потужність розсіювання PD | 2551 / 2717 / 3378 мВт (плата A / B / C, Ta 25 °C) |
| Робоча температура Topr | -20…65 °C |
| Температура зберігання Tstg | -55…150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема SY8089A , sot23-5
В наявності
23,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silergy |
| Призначення | Синхронний понижувальний DC/DC регулятор |
| Вхідна напруга | 2.7–5.5 В (рекомендовані умови) |
| Вихідний струм | 2 А безперервно, 3 А пік |
| Частота перетворення | 1 МГц |
| RDS(on) верхній/нижній | 110 / 80 мОм |
| Розсіювана потужність | 0.6 Вт (Ta=25 °C, SOT23-5) |
| Робоча температура | -40…85 °C |
| Корпус | SOT23-5 |
Мікросхема SY8009B , sot23-6 ( BL8024 )
В наявності
23,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silergy |
| Вхідна напруга | 3–5.5 В |
| Вихідний струм | 2 А (варіант B) |
| Rds(on) верхнього ключа | 100 мОм (варіант B) |
| Rds(on) нижнього ключа | 80 мОм (варіант B) |
| Частота перетворення | 1 МГц (варіант B; A: 1.5 МГц) |
| Робочий діапазон температур | -40…85 °C |
| Корпус | SOT23-6 |
| Корпус (докладно) | SOT23-6 / SSOT23-6, вивід 5 NC |
Мікросхема SY8008B , sot23-5 ( BL8027 )
В наявності
32,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silergy |
| Вхідна напруга | 2.5–5.5 В |
| Вихідний струм | 1 А (варіант B) |
| Rds(on) верхнього ключа | 250 мОм (варіант B) |
| Rds(on) нижнього ключа | 200 мОм (варіант B) |
| Частота перетворення | 1.5 МГц |
| Опорна напруга FB | 0.588–0.612 В (тип. 0.6 В) при VIN 5 В, TA 25 °C |
| Тепловий захист | 160 °C |
| Робочий діапазон температур | -40…85 °C (код C) |
| Корпус | SOT23-5 |
Мікросхема SY3511D , so-8
В наявності
61,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Контролер зарядки та синхронний підвищувач для powerbank |
| Напруга живлення VCC | 4.4–5.5 В (тип. 5 В), VBAT 3,7 В, 25 °C |
| Струм зарядки | 1 А |
| Напруга зарядки акумулятора | 4.2 В (±1 %) |
| Макс. вихідний струм підвищувача | 1 А |
| Вихідна напруга OUT | 5.1 В (4.85–5.25 В), VBAT 3,7 В |
| Індикація | 4 LED |
| Корпус | ESOP-8 |
Мікросхема SW2604A (SW2604 ) , DIP8
В наявності
40,42 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | SAMWIN |
| Тип | ШІМ-контролер зі струмовим режимом, з вбудованим біполярним ключем |
| Напруга ключа | 700 В |
| Макс. напруга живлення VCC | 16 В |
| Піковий струм ключа | 1000 мА |
| Вихідна потужність (адаптер) | 12 Вт, вхід 85–264 В AC |
| Вихідна потужність (відкрита конструкція) | 15 Вт, вхід 85–264 В AC |
| Розсіювана потужність | 1200 мВт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема STV9381 оригінал ( заміна для STV9380A , STV9380 ) , DIP20
В наявності
128,31 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | DIP-20 |
| Робоча напруга живлення | ±10…±18 В |
| Макс. напруга живлення | ±20 В |
| Вихідний струм | до 3 А (розмах) |
| Макс. вихідний струм | ±2 А |
| Макс. напруга на виході | 80 В |
| Робоча температура | 0…+70 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–середовище | 70 °C/Вт |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема STV9379FA ( STV9379F )
В наявності
58,75 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | HEPTAWATT |
| Напруга живлення Vs | 10–42 В (відносно виводу 4, TA 25 °C) |
| Вихідний струм на котушку | до 2,6 А (pp, Vs до 42 В) |
| Напруга зворотного ходу на виводі 5 | до 90 В |
| Піковий вихідний струм | 1,3 А (Vs 42 В, TA 25 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 3 °C/Вт (максимум) |
| Тепловий захист | 150 °C (гістерезис 10 °C) |
Демонтаж
Мікросхема STV9379 ( STV9379A ) демонтаж
В наявності
39,48 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | HEPTAWATT |
| Робоча напруга живлення VS | 10–42 В |
| Макс. напруга живлення VS | 50 В |
| Вихідний струм | до 2 А (розмах) |
| Напруга генератора зворотного ходу | до 90 В |
| Макс. пікова напруга зворотного ходу (вивід 6) | 100 В |
| Тепловий опір перехід–корпус | 3 °C/Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема STV9325
В наявності
37,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | HEPTAWATT |
| Робоча напруга живлення | 10–35 В (VS = 34 В, Tamb 25 °C) |
| Макс. напруга живлення | 40 В |
| Робочий піковий вихідний струм | ±1.25 А (0 °C < Tcase < 125 °C) |
| Макс. піковий імпульс зворотного ходу V5, V6 | 70 В |
| Коефіцієнт підсилення | 80 дБ (VS = 34 В, 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 3 °C/Вт |
Демонтаж
Мікросхема STV9306 оригінал демонтаж
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | MULTIWATT15 |
| Робоча напруга живлення | 16–28 В (VS = 24 В, Tamb 25 °C) |
| Макс. напруга живлення | 35 В |
| Макс. піковий імпульс зворотного ходу | 60 В |
| Струм споживання | 40 мА тип. / 60 мА макс. |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 3 °C/Вт (макс.) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема STV9302B ( D9302B )
В наявності
44,65 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | HEPTAWATT |
| Робоча напруга живлення | 10–35 В (VS = 32 В) |
| Макс. напруга живлення | 40 В |
| Робочий піковий вихідний струм | ±1 А (Tamb 25 °C) |
| Макс. піковий імпульс зворотного ходу | 70 В |
| Коефіцієнт підсилення | 80 дБ (тип.) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 3 °C/Вт |
Демонтаж
Мікросхема STV9302A демонтаж
В наявності
28,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | підсилювач кадрової розгортки |
| Напруга живлення | 10–35 В (VS = 32 В) |
| Макс. напруга живлення | 40 В |
| Піковий вихідний струм | ±1 А (Tamb 25 °C) |
| Імпульс зворотного ходу, макс. | 70 В |
| Коефіцієнт підсилення | 80 дБ (тип.) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | HEPTAWATT |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема STV8130A
В наявності
55,46 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | 9-SIP |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Вихід 1: напруга | 3,3 В (3,23–3,37 В) при IO1 = 10 мА, VIN = 7 В, Tj 25 °C |
| Вихід 1: допуск | ±2 % |
| Вихід 2: діапазон напруги | 2,8–16 В (програмується) |
| Вихідний струм | 750 мА |
| Падіння напруги | 1,4 В (макс.) при IO1,2 = 750 мА |
| Макс. вхідна напруга VIN | 20 В |
| Струм спокою | 2 мА (макс.) |
| Струм КЗ на виході | 1,6 А (макс.) при VIN = 7 В |
| Робоча температура | 0…+70 °C |
Мікросхема STV5112
В наявності
73,32 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | MULTIWATT15 |
| Виробник | SGS-THOMSON (STMicroelectronics) |
| Напруга живлення VDD (висока) | 220 В (типове) |
| Напруга живлення VCC (низька) | 9 В (типове) |
| Макс. напруга VDD | 250 В |
| Макс. напруга VCC | 20 В |
| Смуга пропускання | 8 МГц (типове) |
| Час наростання та спаду | 50 нс (типове) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Робоча температура | 0…+70 °C |
Демонтаж
Мікросхема STV2118A ( Заміна для STV2118B )
В наявності
391,98 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SDIP42 |
| Системи кольору | PAL/SECAM/NTSC (BGDKILMN) |
| Напруга живлення VCC1, VCC2 | 9 В (8,1–9,9 В), Tamb = 25 °C |
| Макс. напруга VCC | 12 В |
| Струм ICC1 | 75 мА (55–95 мА), VCC = 9 В, Tamb = 25 °C |
| Струм ICC2 | 70 мА (50–90 мА), режим PAL/NTSC, VCC = 9 В |
| Потужність розсіювання | 1305 мВт (макс. 1700 мВт), VCC = 9 В, Tamb = 25 °C |
| Робоча температура | 0…+70 °C |
| Тепловий опір Rth(j-a) | 40 °C/Вт, PD = 1,3 Вт |
Демонтаж
Мікросхема STV2116A б/в (нет SECAM / PAL есть )
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SDIP42 |
| Системи кольору | PAL/NTSC (BGDKIMN), без SECAM |
| Напруга живлення VCC1, VCC2 | 9 В (8,1–9,9 В), Tamb = 25 °C |
| Макс. напруга VCC | 12 В |
| Струм ICC1 | 75 мА (55–95 мА), VCC = 9 В, Tamb = 25 °C |
| Струм ICC2 | 60 мА (40–80 мА), режим PAL/NTSC, VCC = 9 В |
| Потужність розсіювання | 1215 мВт (макс. 1600 мВт), VCC = 9 В, Tamb = 25 °C |
| Робоча температура | 0…+70 °C |
| Тепловий опір Rth(j-a) | 40 °C/Вт, PD = 1,3 Вт |
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
Демонтаж
Мікросхема STRX6768 оригінал
В наявності
296,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Корпус | TO-3P, 7 виводів |
| Напруга сток–витік VDSS | 800 В (IDSS = 300 мкА, мінімум) |
| Опір RDS(on) | 1,0 Ом (IDS = 2,5 А, максимум) |
| Піковий струм стоку IDpeak | 20 А (одиничний імпульс) |
| Напруга запуску VCC(ON) | 18,2 В (типове) |
| Напруга зупинки VCC(OFF) | 9,7 В (типове) |
| Потужність розсіювання PD1 | 46 Вт (з нескінченним радіатором; без радіатора 2,8 Вт) |
| Робоча температура | -20…125 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема STRW6765C ( STRW6765 ) демонтаж
В наявності
131,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Напруга сток–витік VDSS | 800 В |
| Опір RDS(on) | 1,80 Ом (максимум) |
| Вихідна потужність (вхід Wide) | 50 Вт (тепловий номінал) |
| Вихідна потужність (вхід 230 В AC) | 110 Вт (тепловий номінал) |
| Напруга запуску VCC(ON) | 18,2 В (типове значення) |
| Напруга зупинки VCC(OFF) | 9,7 В (типове значення) |
| Захист VCC(OVP) | 25,5 В (мінімум) |
| Корпус | TO-220, 7 виводів, повністю ізольований, вивід 2 відсутній |
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема STRW6756 демонтаж
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | квазірезонансний первинний імпульсний регулятор з вбудованим MOSFET і контролером |
| Виробник | Sanken |
| Напруга Vdss | 650 В (мінімум, ID = 300 мкА) |
| Опір Rds(on) | 0,73 Ом (максимум, ID = 2,2 А) |
| Імпульсний струм стоку IDpeak | 15 А (одиночний імпульс) |
| Лавинна енергія EAS | 400 мДж (одиночний імпульс, VDD = 99 В, L = 20 мГн, ILpeak = 6,05 А) |
| Напруга живлення контролера Vcc | 35 В (максимально допустима) |
| Потужність розсіювання MOSFET | 29 Вт (з нескінченним радіатором; без радіатора 1,3 Вт) |
| Температура каналу Tch | 150 °C (максимум) |
| Напруга запуску Vcc(ON) | 18,2 В (типове значення, діапазон 16,3–19,9 В) |
| Напруга зупинки Vcc(OFF) | 9,7 В (типове значення, діапазон 8,8–10,6 В) |
| Тепловий опір канал–рамка | 1,5 °C/Вт (максимум) |
| Корпус | TO-220F-6L |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема STRW6753 ( STRW6753R )
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | квазірезонансний імпульсний регулятор з вбудованим MOSFET і схемою керування |
| Виробник | Sanken |
| Напруга Vdss | 650 В |
| Опір Rds(on) | 1,70 Ом (максимум) |
| Вихідна потужність (вхід 85–264 В AC) | 58 Вт (теплова межа) |
| Вихідна потужність (вхід 230 В AC) | 120 Вт (теплова межа) |
| Напруга запуску Vcc(ON) | 18,2 В (типове значення) |
| Напруга зупинки Vcc(OFF) | 9,7 В (типове значення, максимум 10,6 В) |
| Корпус | TO-220F-7 |
Демонтаж
Демонтаж
Демонтаж
Транзистор CS13N50 оригінал, TO220
В наявності
59,69 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics |
| Напруга Vds (VGS=0 В, ID=250 мкА) | 500 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 13 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 10 А |
| Rds(on) (VGS=10 В, ID=6.5 А) | 0.34 Ом (тип.), 0.45 Ом (макс.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 2130 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd (TC 25 °C) | 150 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |