Магазин
Мікросхема TDA7264
В наявності
101,05 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | Multiwatt8 |
| Напруга живлення Vs | ±5 … ±22,5 В |
| Напруга живлення, абс. макс. | ±25 В (DC) |
| Потужність на канал (RL = 4 Ом, Vs = ±16 В, THD = 10 %) | 25 Вт |
| Підсилення Gv (f = 1 кГц) | 30 дБ |
| Струм спокою Iq | 80 мА (тип.), 130 мА (макс.) |
| Вихідний струм, пік | 4,5 А |
| Температура переходу, макс. | 150 °C |
Мікросхема TDA7262
В наявності
170,14 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | стерео підсилювач класу AB зі stand-by |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга живлення Vs | 8–32 В |
| Напруга живлення, абс. макс. | 35 В |
| Вихідна потужність на канал | 20 Вт (THD = 10 %, RL = 4 Ом, Vs = 28 В) |
| Підсилення Gv | 36 дБ (f = 1 кГц) |
| Розсіювана потужність Ptot | 30 Вт (Tcase 70 °C) |
| Температура переходу, макс. | 150 °C |
| Корпус | Multiwatt11 |
Мікросхема TDA7261
В наявності
182,83 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | моно підсилювач класу AB, розщеплене живлення, mute і stand-by |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга живлення Vs | ±5…±22,5 В |
| Напруга живлення, абс. макс. | 50 В (DC) |
| Вихідна потужність Po | 25 Вт (THD = 10 %, RL = 8 Ом, Vs = ±20 В) |
| Підсилення Gv | 30 дБ (замкнена петля) |
| Розсіювана потужність Ptot | 30 Вт (Tcase 70 °C) |
| Температура переходу, макс. | 150 °C |
| Корпус | Multiwatt8 |
Мікросхема TDA7245A , DIP18
В наявності
88,36 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | підсилювач потужності НЧ з режимом stand-by |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга живлення Vs | 12–30 В |
| Напруга живлення, абс. макс. | 30 В |
| Музична потужність | 16 Вт (RL = 4 Ом, d = 10 %) |
| Підсилення Gv | 40 дБ (f = 1 кГц) |
| Струм спокою Id | 24 мА тип., 35 мА макс. (Vs = 28 В) |
| Температура переходу, макс. | 150 °C |
| Корпус | Powerdip 9+9 (DIP18), 18 виводів |
Мікросхема TDA7056B
В наявності
42,30 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Напруга живлення Vp | 4,5 – 18 В |
| Вихідна потужність Po (16 Ом) | 3,5 Вт (мін. 3 Вт), Vp 12 В, THD 10 % |
| Вихідна потужність Po (8 Ом) | 5,5 Вт (мін. 5 Вт), Vp 12 В, THD 10 % |
| Максимальне підсилення Gv | 40,5 дБ, Vp 12 В |
| Діапазон регулювання підсилення | 73,5 дБ (мін. 68 дБ) |
| Струм спокою Iq(tot) | 9,2 мА (макс. 13 мА), Vp 12 В |
| THD | 0,3 % (макс. 1 %), Po 0,5 Вт |
| Корпус | SIL-9 (SOT110B) |
Мікросхема TDA7056AT оригінал, so-20
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Напруга живлення Vp | 4,5 – 18 В |
| Вихідна потужність Po | 3,5 Вт (мін. 3 Вт), Vp 12 В, 16 Ом, THD 10 % |
| Максимальне підсилення Gv(max) | 35,5 дБ, Vp 12 В, 16 Ом |
| Діапазон регулювання підсилення | 80 дБ (мін. 75 дБ) |
| Струм спокою Iq(tot) | 8 мА (макс. 16 мА), Vp 12 В |
| THD | 0,3 % (макс. 1 %), Po 0,5 Вт, Vp 12 В, 16 Ом, 1 кГц |
| Корпус | SO-20 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA7056A
В наявності
35,72 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Напруга живлення Vp | 4,5 – 18 В |
| Вихідна потужність Po | 3,5 Вт (мін. 3 Вт), Vp 12 В, 16 Ом, THD 10 % |
| Максимальне підсилення Gv | 35,5 дБ, Vp 12 В, 16 Ом |
| Діапазон регулювання підсилення | 80 дБ (мін. 75 дБ) |
| Струм спокою Ip | 8 мА (макс. 16 мА), Vp 12 В |
| THD | 0,3 % (макс. 1 %), Po 0,5 Вт, Vp 12 В, 16 Ом, 1 кГц |
| Тепловий опір перехід–корпус | 10 К/Вт |
| Корпус | SIL-9 (SOT110B) |
Демонтаж
Мікросхема TDA7056 демонтаж
В наявності
26,32 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | моно BTL підсилювач потужності НЧ 3 Вт, без зовнішніх компонентів |
| Напруга живлення Vp | 3 – 18 В (типово 11 В) |
| Вихідна потужність Po | 3 Вт (мін. 2,5 Вт) при Vp 11 В; 16 Ом; THD 10 %; f 1 кГц; Tamb 25 °C |
| Коефіцієнт підсилення Gv | 40,5 дБ (39 – 42 дБ) при Vp 11 В; f 1 кГц |
| Струм спокою Ip | 5 мА (макс. 7 мА) при Vp 11 В; без навантаження |
| THD | 0,25 % (макс. 1 %) при Po 0,5 Вт; Vp 11 В; 16 Ом; f 1 кГц |
| Тепловий опір перехід–середовище | 55 К/Вт у повітрі без радіатора |
| Корпус | SIL-9 (SOT110B) |
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TDA7056 оригінал
В наявності
61,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | моно BTL підсилювач потужності НЧ 3 Вт, без зовнішніх компонентів |
| Напруга живлення Vp | 3 – 18 В (типово 11 В) |
| Вихідна потужність Po | 3 Вт (мін. 2,5 Вт) при Vp 11 В; 16 Ом; THD 10 %; f 1 кГц; Tamb 25 °C |
| Коефіцієнт підсилення Gv | 40,5 дБ (39 – 42 дБ) при Vp 11 В; f 1 кГц |
| Струм спокою Ip | 5 мА (макс. 7 мА) при Vp 11 В; без навантаження |
| THD | 0,25 % (макс. 1 %) при Po 0,5 Вт; Vp 11 В; 16 Ом; f 1 кГц |
| Тепловий опір перехід–середовище | 55 К/Вт у повітрі без радіатора |
| Корпус | SIL-9 (SOT110B) |
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема TDA6111Q
В наявності
42,30 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | відеопідсилювач для керування катодом кольорового кінескопа (CRT) |
| Висока напруга живлення VDDH | 180 – 210 В (макс. 250 В), типово 200 В |
| Низька напруга живлення VDDL | 10,8 – 13,2 В (макс. 14 В), типово 12 В |
| Струм спокою по VDDH | 9 мА при VDDH 200 В; Voc = 0,5 VDDH |
| Смуга пропускання, малий сигнал | 16 МГц (мін. 13 МГц) при VocAC 60 В розмах; VocDC 100 В |
| Час наростання | 30 нс при Voc 50 – 150 В; CL 10 пФ |
| Тепловий опір перехід–корпус | 12 К/Вт, потрібен зовнішній радіатор |
| Корпус | DBS9MPF (SOT111-1) |
| Виробник | NXP Semiconductors |
Мікросхема TDA6109JF оригінал
В наявності
89,30 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Потрійний відеопідсилювач для кінескопа |
| Виробник | Philips Semiconductors |
| Корпус | DBS9MPF (SOT111-1) |
| Напруга живлення (робоча) | 180–210 В |
| Напруга живлення (макс.) | 250 В |
| Коефіцієнт підсилення | 51 (тип., VDD = 200 В, Tamb = 25 °C) |
| Струм спокою | 10.3 мА (тип., VDD = 200 В) |
| Швидкість наростання | 1850 В/мкс |
| Температура переходу | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–радіатор | 11 К/Вт |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA6108JF ( TDA6108AJF )
В наявності
47,94 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Philips Semiconductors (NXP) |
| Кількість каналів | 3 |
| Коефіцієнт підсилення | 51 (фіксований) |
| Напруга живлення VDD, макс. | 250 В (абсолютний максимум) |
| Робоча напруга VDD | 180–210 В при Tj –20…+150 °C |
| Струм споживання Iq | 10,3 мА (тип.; VDD 200 В) |
| Смуга пропускання (малий сигнал) | 9,0 МГц (тип.; Vo(c) 60 В розмах) |
| Смуга пропускання (великий сигнал) | 8,0 МГц (тип.; Vo(c) 100 В розмах) |
| Час наростання на катоді | 50 нс (тип.; Vo(c) 50–150 В, меандр) |
| Час спаду на катоді | 50 нс (тип.; Vo(c) 150–50 В, меандр) |
| Швидкість наростання | 1850 В/мкс (тип.; Vi 4 В розмах, tr = tf = 40 нс) |
| Температура переходу Tj, макс. | 150 °C |
| Корпус | DBS9MPF (SOT111-1) |
Мікросхема TDA6107Q ( TDA6107JF )
В наявності
47,94 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Philips Semiconductors (NXP) |
| Кількість каналів | 3 |
| Коефіцієнт підсилення | 50 (фіксований) |
| Напруга живлення VDD, макс. | 250 В (абсолютний максимум) |
| Робоча напруга VDD | 180–210 В при Tj –20…+150 °C |
| Струм споживання Iq | 6,9 мА (тип.; VDD 200 В) |
| Смуга пропускання (малий сигнал) | 5,5 МГц (тип.; Vo(c) 60 В розмах) |
| Смуга пропускання (великий сигнал) | 4,5 МГц (тип.; Vo(c) 100 В розмах) |
| Час наростання на катоді | 91 нс (тип.; Vo(c) 50–150 В, меандр) |
| Час спаду на катоді | 91 нс (тип.; Vo(c) 150–50 В, меандр) |
| Швидкість наростання | 900 В/мкс (тип.; Vi 4 В розмах, tr = tf = 40 нс) |
| Температура переходу Tj, макс. | 150 °C |
| Корпус | DBS9MPF (SOT111-1) |
Мікросхема TDA6106Q
В наявності
65,33 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Philips Semiconductors (NXP) |
| Кількість каналів | 1 |
| Напруга живлення VDD, макс. | 250 В (абсолютний максимум) |
| Робоча напруга VDD | 180–210 В при Tamb –20…+65 °C |
| Внутрішнє опорне коло | 2,5 В |
| Смуга пропускання | 6 МГц |
| Час наростання на катоді | 74 нс (тип.; Voc 50–150 В, меандр) |
| Час спаду на катоді | 74 нс (тип.; Voc 150–50 В, меандр) |
| Швидкість наростання | 1200 В/мкс (тип.; 50–150 В) |
| Температура переходу Tj, макс. | 150 °C |
| Корпус | DBS9MPF (SOT111-1) |
Мікросхема TDA4864AJ
В наявності
49,35 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | підсилювач кадрової розгортки |
| Напруга живлення VP1 | 9–30 В (IVOUT = -1.25 А під час ходу променя) |
| Напруга живлення VP2 | VP1 – 1 … 60 В |
| Вихід VP3 | 0 … VP1 + 2.2 В |
| Вихідний струм (пік-пік), макс. | 2.5 А |
| Струм споживання IP1 | 6 мА тип., 10 мА макс. |
| Струм спокою IP2 (IVOUT = 0) | 25 мА тип., 60 мА макс. |
| Тепловий опір кристал – основа | 6 К/Вт |
| Температура кристала Tj, макс. | 150 °C |
| Робоча температура середовища | –20…+75 °C |
| Корпус | DBS7P |
Мікросхема TDA4863AJ
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | підсилювач потужності кадрової розгортки |
| Напруга живлення VP1 | 9–30 В (TA 25 °C) |
| Напруга живлення VP1, макс. | 40 В |
| Напруга живлення VP2, макс. | 60 В |
| Вихідний струм (пік-пік), макс. | 3 А |
| Частота кадрової розгортки | до 200 Гц |
| Температура переходу, макс. | 150 °C |
| Тепловий опір перехід – основа | 6 К/Вт |
| Робоча температура Tamb | –20…+75 °C |
| Корпус | DBS7P |
Мікросхема TDA4665
В наявності
56,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | лінія затримки основної смуги на один рядок |
| Затримка сигналу | 64 мкс (один рядок) |
| Напруга живлення VP1, VP2 | 5 В (діапазон 4,5–6 В) |
| Напруга живлення, макс. допустима | 7 В |
| Підсилення Vo/Vi (PAL і NTSC) | 5,8 дБ (мін. 5,3, макс. 6,3) |
| Внутрішня тактова частота | 3 МГц |
| Робоча температура Tamb | 0–70 °C |
| Корпус | DIP16 |
| Кількість виводів | 16 шт. |
Демонтаж
Транзистор IXFH12N120 ( IXTH12N120 , IXFH12N120P , 12N120 ) демонтаж, TO247(заміна для STW11NK100Z , W11NK100Z )
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Littelfuse (IXYS) |
| Напруга Vdss | 1200 В (Tj 25–150 °C) |
| Струм Id25 | 12 А (TC 25 °C) |
| Rds(on) | 1,15 Ом типово (Vgs 10 В, Id 0,5 x Id25) |
| Qg(on) | 103 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3,5–6,5 В |
| Pd | 543 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Діод | швидкий |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
Демонтаж
Демонтаж
Мікросхема TDA2822 , DIP16 демонтаж
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | DIP16 |
| Конфігурація | стерео або міст |
| Напруга живлення | 3–15 В (Tamb = 25 °C) |
| Піковий вихідний струм | 1.5 А (граничне значення) |
| Струм спокою | 12 мА макс. (стерео, VS = 6 В) |
| Коефіцієнт підсилення | 36 / 39 / 41 дБ (мін. / тип. / макс., стерео, f = 1 кГц, VS = 6 В) |
| Вхідний опір | 100 кОм мін. (f = 1 кГц) |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TDA2822L , DIP8
В наявності
23,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Конфігурація | стерео або міст |
| Напруга живлення | 1.8–12 В |
| Напруга живлення, макс. | 15 В (Ta = 25 °C) |
| Піковий вихідний струм | 1 А (Ta = 25 °C) |
| Струм спокою | 9 мА (VCC = 6 В, Vin = 0) |
| Коефіцієнт підсилення | 40 дБ (VCC = 6 В, f = 1 кГц) |
| Вхідний опір | 100 кОм |
| Потужність розсіювання | 1.0 Вт (DIP-8, Ta = 25 °C) |
Мікросхема TDA2615
В наявності
70,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Philips Semiconductors (NXP) |
| Корпус | SIL-9 (SOT110B) |
| Напруга живлення | ±7,5 … ±12 (тип.) … ±21 В |
| Вихідна потужність на канал | 6 Вт (тип.), мін. 5 Вт при VP = ±12 В, RL = 8 Ом, THD = 0,5 % |
| Коефіцієнт гармонік | 0,15 % (тип.), макс. 0,2 % при Po = 4 Вт |
| Загальний струм спокою | 40 мА (тип.) |
| Внутрішнє підсилення | 30 дБ (29 … 31), фіксоване |
| Розділення каналів | 70 дБ (тип.) |
| Тепловий опір кристал-корпус | 6 К/Вт |
Демонтаж
Мікросхема TDA2614 демонтаж
В наявності
34,31 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Philips Semiconductors (NXP) |
| Корпус | SIL-9 (SOT110B) |
| Напруга живлення | 15 … 24 (тип.) … 42 В |
| Вихідна потужність | 6,5 Вт (тип.), мін. 5 Вт при VP = 24 В, RL = 8 Ом, THD = 0,5 % |
| Вихідна потужність на 4 Ом | 10 Вт (тип.) при THD = 0,5 % |
| Коефіцієнт гармонік | 0,15 % (тип.), макс. 0,2 % при Po = 4 Вт |
| Струм спокою | 20 мА (тип.) |
| Внутрішнє підсилення | 30 дБ (тип.) |
| Тепловий опір кристал-корпус | 8 К/Вт |
| Стан | Демонтаж б/в |