Магазин

MD2103DFX транзистор ISOWATT218FX, фото маркування

Немає в наявності

70,50 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vces	1500 В (VBE = 0)
Напруга Vceo	700 В (IB = 0)
Напруга Vebo	7 В (IC = 0)
Струм колектора Ic	6 А
Імпульсний струм колектора Icm	9 А (tp < 5 мс)
Струм бази Ib	3 А
Потужність Ptot	52 Вт (Tc 25 °C)
Напруга насичення Vce(sat)	1.8 В макс. (IC 3 А, IB 0,75 А, Tcase 25 °C)
Напруга насичення Vbe(sat)	1.5 В макс. (IC 3 А, IB 0,75 А)
Пряма напруга вбудованого діода Vf	2 В макс. (IF 3 А)
Вбудований діод	є (вільного ходу)
Напруга ізоляції (RMS)	2500 В (від усіх трьох виводів до радіатора)
Температура переходу Tj	150 °C
Корпус	ISOWATT218FX
Виробник	STMicroelectronics
Стан	Оригінал

BUT11APX транзистор TO-220F, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BUT11APX , TO220F

Немає в наявності

63,45 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга колектор–емітер Vceo	450 В (база розімкнена)
Напруга колектор–емітер, пікова Vcesm	1000 В (VBE = 0 В)
Напруга колектор–база Vcbo	1000 В (емітер розімкнений)
Струм колектора Ic (постійний)	5 А
Струм колектора, пік Icm	10 А
Потужність розсіювання Ptot	32 Вт (Ths 25 °C)
Напруга насичення Vce(sat)	1.5 В макс. (Ic = 3,0 А; Ib = 0,6 А)
Час спаду tf	160 нс макс. / 145 нс тип. (Icsat = 2,5 А; Ib1 = 0,5 А; Ib2 = 0,8 А)
Температура переходу Tj max	150 °C
Ізоляційна напруга Visol	2500 В (RMS, 50–60 Гц)
Корпус	SOT186A (TO-220F, ізольований)
Виробник	Philips Semiconductors (NXP)

BU941P транзистор Дарлінгтона TO-218, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BU941P ( BU941ZP , BU941 ) оригінал демонтаж, TO218

Немає в наявності

216,20 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN Дарлінгтон
Напруга колектор–база Vcbo	500 В
Напруга колектор–емітер Vceo	400 В (Vceo(sus) мін. при Ib = 50 мА)
Струм колектора Ic (постійний)	15 А
Струм колектора, пік Icm	30 А
Потужність розсіювання Pc	155 Вт (Tc = 25 °C)
Напруга насичення Vce(sat)	1.6 В макс. (Ic = 8 А; Ib = 100 мА)
Коефіцієнт підсилення hFE	300 мін. (Ic = 5 А; Vce = 10 В)
Пряма напруга вбудованого діода Vecf	2.5 В макс. (If = 10 А)
Температура переходу Tj max	150 °C
Корпус	TO-218
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

BU931P NPN Дарлінгтон TO-247, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BU931P ( BU931 ) оригінал демонтаж, TO247

Немає в наявності

216,20 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN Дарлінгтон (AEC-Q101)
Напруга Vces	500 В (VBE = 0)
Напруга Vceo	400 В (IB = 0)
Струм Ic	15 А
Струм Icm	30 А
Потужність Ptot	135 Вт (Tc = 25 °C)
Напруга насичення Vce(sat)	1.6 В макс. (Ic = 7 А; Ib = 70 мА; Tc = 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE	300 мін. (Ic = 5 А; Vce = 10 В)
Пряма напруга діода Vf	2.5 В макс. (If = 10 А)
Час спаду tf	0.5 мкс тип.
Час розсмоктування ts	15 мкс тип.
Температура переходу	–65…175 °C
Корпус	TO-247
Виробник	STMicroelectronics
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

BU4508DX NPN транзистор, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BU4508DX оригінал

Немає в наявності

54,05 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vces	1500 В (VBE = 0)
Напруга Vceo	800 В
Струм Ic	8 А (Ta = 25 °C)
Струм Icm	15 А (Ta = 25 °C)
Потужність Pc	45 Вт (Tc = 25 °C)
Напруга насичення Vce(sat)	3.0 В макс. (Ic = 5 А; Ib = 1,25 А; Tc = 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE	7 мін. (Ic = 0,5 А; Vce = 5 В), 4.2 мін. (Ic = 5 А; Vce = 5 В)
Пряма напруга діода Vf	2.2 В макс. (If = 5 А)
Час спаду tf	0.4 мкс макс. (Ic = 5 А; Ib1 = 1,0 А; Ib2 = –2,5 А)
Температура переходу Tj max	150 °C
Вбудований демпферний діод	є
Стан	Оригінал

BU2525AF NPN транзистор SOT199, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BU2525AF оригінал

Немає в наявності

94,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vcesm	1500 В (VBE = 0 В)
Напруга Vceo	800 В (база розімкнена)
Струм Ic	12 А (усереднений за 20 мс)
Струм Icm	30 А (Ths 25 °C)
Потужність Ptot	45 Вт (Ths 25 °C)
Напруга насичення Vce(sat)	5.0 В макс. (Ic = 8 А; Ib = 1,6 А)
Час спаду tf	0.2 мкс тип., 0.35 мкс макс.
Ізоляційна напруга Visol	2500 В (повторювана, RH ≤ 65 %)
Температура переходу Tj max	150 °C
Корпус	SOT199
Виробник	Philips Semiconductors (NXP)
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BU2508AF оригінал ( BU508AF )

Немає в наявності

57,34 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vces	1500 В (Vbe = 0, Ta 25 °C)
Напруга Vceo	700 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo	7.5 В
Струм колектора Ic	8 А
Струм колектора імпульсний Icm	15 А
Струм бази Ib	4 А
Потужність розсіювання Pc	45 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу	150 °C
Тепловий опір перехід-корпус	2.5 °C/Вт (макс.)
Vce(sat) (макс.)	1.0 В (Ic = 4.5 А, Ib = 1.1 А)
Vbe(sat) (макс.)	1.1 В (Ic = 4.5 А, Ib = 1.7 А)
Струм відсічки Ices (макс.)	1.0 мА (Vce 1500 В, Vbe 0; 2.0 мА при Tc 125 °C)
Вихідна ємність Cob	80 пФ (Vcb 10 В, f 1 МГц)
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BF423 , to92

Немає в наявності

2,82 ₴

Параметр	Значення
Тип	PNP
Напруга Vceo	-250 В (Ta 25 °C)
Напруга Vcbo	-250 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo	-5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	-50 мА (Ta 25 °C)
Струм колектора імпульсний Icp	-100 мА (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc	625 мВт (Ta 25 °C)
Макс. температура переходу	150 °C
hFE (мін.)	50 (Vce -20 В, Ic -25 мА)
Vce(sat) (макс.)	-0.6 В (Ic -30 мА, Ib -5 мА)
Vbe (тип.)	-0.75 В (Vce -20 В, Ic -25 мА)
Гранична частота fT (мін.)	60 МГц (Vce -10 В, Ic -10 мА)
Прохідна ємність Cre (макс.)	1.6 пФ (Vcb -30 В, f 1 МГц)
Корпус	TO-92
Виробник	KEC

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BF422 , to92

Немає в наявності

4,70 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vceo	250 В (Ta 25 °C)
Напруга Vcbo	250 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo	5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	50 мА (Ta 25 °C)
Струм колектора імпульсний Icp	100 мА (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc	625 мВт (Ta 25 °C)
Макс. температура переходу	150 °C
hFE (мін.)	50 (Vce 20 В, Ic 25 мА)
Vce(sat) (макс.)	0.6 В (Ic 30 мА, Ib 5 мА)
Vbe (тип.)	0.75 В (Vce 20 В, Ic 25 мА)
Гранична частота fT (мін.)	60 МГц (Vce 10 В, Ic 10 мА)
Прохідна ємність Cre (макс.)	1.6 пФ (Vcb 30 В, f 1 МГц)
Корпус	TO-92
Виробник	KEC

BF420 транзистор NPN TO-92, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BF420 , to92

Немає в наявності

4,70 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга колектор-емітер Vceo	300 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор-база Vcbo	300 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер-база Vebo	5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	50 мА (постійний, Ta 25 °C)
Імпульсний струм колектора Icp	100 мА (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc	625 мВт (Ta 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE	50 мін. (Vce 20 В, Ic 25 мА)
Напруга насичення Vce(sat)	0.6 В макс. (Ic 30 мА, Ib 5 мА)
Напруга база-емітер Vbe	0.75 В тип. (Vce 20 В, Ic 25 мА)
Гранична частота fT	60 МГц мін. (Vce 10 В, Ic 10 мА)
Прохідна ємність Cre	1.6 пФ макс. (Vcb 30 В, f 1 МГц)
Корпус	TO-92
Виробник	KEC

BDX54C транзистор Дарлінгтона TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BDX54C

Немає в наявності

23,03 ₴

Параметр	Значення
Тип	PNP, складений транзистор Дарлінгтона
Напруга колектор-емітер Vceo	-100 В (Ib = 0)
Напруга колектор-база Vcbo	-100 В (Ic = 0)
Напруга емітер-база Vebo	-5 В
Струм колектора Ic	-8 А (постійний)
Імпульсний струм колектора Icm	-12 А
Струм бази Ib	-0.2 А
Потужність розсіювання Ptot	60 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Тепловий опір перехід-корпус	2.08 °C/Вт
Напруга насичення Vce(sat)	-2 В макс. (Ic = 3 А, Ib = 12 мА, Tc 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE	750 мін. (Ic = 3 А, Vce = 3 В)
Корпус	TO-220
Виробник	STMicroelectronics

BDW93C транзистор Дарлінгтона TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BDW93C (n-p-n 100V,12A,80W,составний) , TO220 ( 2N6488 )

Немає в наявності

38,54 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN Дарлінгтон (з вбудованим діодом колектор–емітер)
Напруга колектор–емітер Vceo	100 В (IB = 0)
Напруга колектор–база Vcbo	100 В (IE = 0)
Струм колектора Ic	12 А (постійний)
Імпульсний струм колектора Icm	15 А
Потужність розсіювання Pd	80 Вт (Tc = 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Тепловий опір перехід–корпус	1.56 °C/Вт (макс.)
Корпус	TO-220
Виробник	STMicroelectronics

BD679A транзистор NPN Дарлінгтон SOT-32 (TO-126), фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BD679A (n-p-n 80V,4A,40W)

Немає в наявності

13,63 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN Дарлінгтон (з вбудованим зустрічно-паралельним діодом колектор–емітер)
Напруга Vceo(sus)	80 В (Ic 50 мА, Ib = 0)
Напруга Vcbo	80 В (IE = 0)
Струм колектора Ic	4 А (постійний)
Імпульсний струм колектора Icm	6 А
Потужність розсіювання Pd	40 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE	750 (мін., Ic 2 А, Vce 3 В)
Напруга насичення Vce(sat)	2.8 В (макс., Ic 2 А, Ib 40 мА)
Корпус	SOT-32 (TO-126)

BD675A транзистор NPN Дарлінгтон TO-126, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BD675A

Немає в наявності

16,92 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN Дарлінгтон
Напруга Vceo(sus)	45 В (Ic 50 мА, Ib = 0)
Струм колектора Ic	4 А (постійний)
Потужність розсіювання Pd	40 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE	750 (мін., Ic 2 А, Vce 3 В)
Напруга насичення Vce(sat)	2.8 В (макс., Ic 2 А, Ib 40 мА)
Корпус	SOT-32 (TO-126)

BD647F транзистор NPN Дарлінгтон, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BD647F (n-p-n,сост-й,80V,8A,62.5W)

Немає в наявності

32,90 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN Дарлінгтон (комплементарний до BD648F)
Напруга Vceo	80 В (IB = 0)
Напруга Vcbo	100 В
Струм колектора Ic	8 А (постійний)
Імпульсний струм колектора	12 А
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE	750 (мін., Ic 3 А, Vce 3 В)
Напруга насичення Vce(sat)	2.0 В (макс., Ic 3 А, Ib 12 мА)

BD438 транзистор SOT-32 (TO-126), фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BD438 (p-n-p 45V,4A,36W)

Немає в наявності

18,80 ₴

Параметр	Значення
Тип	PNP
Корпус	SOT-32 (TO-126)
Виробник	STMicroelectronics
Напруга колектор–емітер Vceo	-45 В (IB = 0)
Напруга колектор–база Vcbo	-45 В (IE = 0)
Струм колектора Ic	-4 А (постійний)
Імпульсний струм колектора Icm	-7 А (t ≤ 10 мс)
Потужність розсіювання Pd	36 Вт (Tc ≤ 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Напруга насичення Vce(sat)	макс. -0.6 В (Ic = -2 А, Ib = -0.2 А)
Гранична частота fT	мін. 3 МГц (Ic = -250 мА, Vce = -1 В)

BD243C транзистор TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BD243C , TO220

Немає в наявності

39,95 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Корпус	TO-220
Виробник	SPTECH
Напруга колектор–емітер Vceo	100 В (мін., Ic 30 мА, Ib = 0)
Напруга колектор–база Vcbo	110 В
Напруга емітер–база Vebo	5 В
Струм колектора Ic	6 А (постійний; імпульс Icm 10 А)
Потужність розсіювання Pc	65 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE	мін. 30 (Ic 0,3 А, Vce 4 В)
Напруга насичення Vce(sat)	макс. 1,5 В (Ic 6 А, Ib 1 А)
Напруга база–емітер Vbe(on)	макс. 2,0 В (Ic 6 А, Vce 4 В)
Гранична частота fT	мін. 3,0 МГц (Ic 0,5 А, Vce 10 В, f 1 МГц)
Тепловий опір перехід–корпус	макс. 1,92 °C/Вт

BD237 транзистор SOT-32 (TO-126), фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BD237

Немає в наявності

9,87 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Корпус	SOT-32 (TO-126)
Виробник	STMicroelectronics
Напруга колектор–емітер Vceo	80 В (Ib = 0)
Напруга колектор–база Vcbo	100 В (Ie = 0)
Напруга емітер–база Vebo	5 В (Ic = 0)
Струм колектора Ic	2 А (постійний)
Потужність розсіювання Ptot	25 Вт (Tcase 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE	мін. 40 (Ic 150 мА, Vce 2 В)
Напруга насичення Vce(sat)	макс. 0,6 В (Ic 1 А, Ib 0,1 А)
Напруга база–емітер Vbe(on)	макс. 1,3 В (Ic 1 А, Vce 2 В)

BC857C транзистор PNP SOT-23, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BC857C , sot23

Немає в наявності

1,88 ₴

Параметр	Значення
Тип	PNP
Напруга Vceo	-45 В (BC857, Ta 25 °C)
Напруга Vcbo	-50 В (BC857, Ta 25 °C)
Напруга Vebo	-5 В (BC857, Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	-100 мА (Ta 25 °C)
Потужність Pc	350 мВт (Ta 25 °C, корпус на кераміці Al2O3 10×8×0,6 мм)
Температура переходу Tj	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE (група C)	420–800 (Vce -5 В, Ic -2 мА)
Напруга насичення Vce(sat)	-0,3 В макс. (Ic -10 мА, Ib -0,5 мА)
Гранична частота fT	150 МГц тип. (Vce -5 В, Ic -10 мА, f 100 МГц)
Вихідна ємність Cob	4,5 пФ тип. (Vcb -10 В, Ie 0, f 1 МГц)
Коефіцієнт шуму NF	2,0 дБ тип. (Vce -6 В, Ic -0,2 мА, Rg 2 кОм, f 1 кГц)
Корпус	SOT-23

BC848B транзистор NPN SOT-23, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BC848B (30V,0.1A,0.31W , n-p-n) , sot23

Немає в наявності

2,82 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vceo	30 В (BC848, Ta 25 °C)
Напруга Vcbo	30 В (BC848, Ta 25 °C)
Напруга Vebo	5 В (BC848, Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	100 мА (DC; імпульс Icp 200 мА; Ta 25 °C)
Температура переходу Tj	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE (група B)	200–450 (Vce 5 В, Ic 2 мА)
Напруга насичення Vce(sat)	0,25 В макс. (Ic 10 мА, Ib 0,5 мА)
Гранична частота fT	300 МГц тип. (Vce 5 В, Ic 10 мА, f 100 МГц)
Вихідна ємність Cob	2,5 пФ тип. (Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц)
Коефіцієнт шуму NF	1,0 дБ тип. (Vce 6 В, Ic 0,1 мА, Rg 10 кОм, f 1 кГц)
Корпус	SOT-23

BC807-40 транзистор PNP SOT-23, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BC807-40 (45V,0.8A,0.35W) pnp , sot23

Немає в наявності

2,82 ₴

Параметр	Значення
Тип	PNP
Напруга Vceo	-45 В (Ta 25 °C)
Напруга Vcbo	-50 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo	-5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	-800 мА (Ta 25 °C)
Потужність Pc	350 мВт (Ta 25 °C, корпус на кераміці Al2O3 10×8×0,6 мм)
Температура переходу Tj	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE (група -40)	250–630 (Vce -1 В, Ic -100 мА)
Напруга насичення Vce(sat)	-0,7 В макс. (Ic -500 мА, Ib -50 мА)
Гранична частота fT	80 МГц мін. (Vce -5 В, Ic -10 мА, f 100 МГц)
Вихідна ємність Cob	9 пФ тип. (Vcb -10 В, Ie 0, f 1 МГц)
Корпус	SOT-23

BC560C транзистор PNP TO-92, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BC560C , to92

Немає в наявності

1,88 ₴

Параметр	Значення
Тип	PNP
Напруга колектор–емітер Vceo	-45 В (для BC557/560)
Напруга колектор–база Vcbo	-50 В (для BC557/560)
Струм колектора Ic (постійний)	-100 мА (Ta 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE (група C)	420–800 (Vce -5 В, Ic 2 мА)
Напруга насичення Vce(sat)	-250 мВ тип., -650 мВ макс. (Ic -100 мА, Ib -5 мА)
Напруга насичення Vbe(sat)	-900 мВ тип. (Ic -100 мА, Ib -5 мА)
Потужність розсіювання Pc	500 мВт (Ta 25 °C)
Гранична частота fT	150 МГц тип. (Vce -5 В, Ic -10 мА, f 10 МГц)
Вихідна ємність Cob	6 пФ тип. (Vcb -10 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-92

BC557C транзистор PNP TO-92, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BC557C (45V,0.1A,0.5W,p-n-p) , to92

Немає в наявності

5,17 ₴

Параметр	Значення
Тип	PNP
Напруга колектор–емітер Vceo	-45 В (Ic -2 мА, Ib 0; для BC557)
Напруга колектор–база Vcbo	-50 В (Ic -100 мкА, Ie 0; для BC557)
Струм колектора Ic (постійний)	-100 мА (Tamb 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE (група C)	420–800 (Vce -5 В, Ic -2 мА)
Напруга насичення Vce(sat)	-0,65 В макс. (Ic -100 мА, Ib -5 мА)
Напруга насичення Vbe(sat)	-1 В макс. (Ic -100 мА, Ib -5 мА)
Потужність розсіювання Pc	625 мВт (Tamb 25 °C)
Гранична частота fT	150 МГц мін. (Vce -5 В, Ic -10 мА, f 100 МГц)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-92

BC547C транзистор NPN TO-92, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BC547C , to92

Немає в наявності

5,17 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга колектор–емітер Vceo	45 В (Ic 1 мА, Ib 0; для BC547)
Напруга колектор–база Vcbo	50 В (Ic 100 мкА, Ie 0; для BC547)
Струм колектора Ic (постійний)	100 мА (Tamb 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE (група C)	420–800 (Vce 5 В, Ic 2 мА)
Напруга насичення Vce(sat)	0,3 В макс. (Ic 100 мА, Ib 5 мА)
Напруга насичення Vbe(sat)	1,1 В макс. (Ic 100 мА, Ib 5 мА)
Потужність розсіювання Pd	625 мВт (Tamb 25 °C)
Гранична частота fT	150 МГц мін. (Vce 5 В, Ic 10 мА, f 100 МГц)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-92

BC368 транзистор NPN TO-92, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BC368

Немає в наявності

5,17 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vceo	20 В (Ic 10 мА, Ib 0)
Напруга Vcbo	25 В (Ic 0,1 мА, Ie 0)
Струм колектора Ic	1 А (постійний, Ta 25 °C)
Потужність Pc	0,625 Вт (Ta 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE (1)	85–375 (Vce 1 В, Ic 0,5 А)
hFE (3)	60 мін. (Vce 1 В, Ic 1 А)
Напруга насичення Vce(sat)	0,5 В макс. (Ic 1 А, Ib 0,1 А)
Гранична частота fT	65 МГц мін. (Vce 5 В, Ic 10 мА, f 35 МГц)
Корпус	TO-92

BC337-40 транзистор NPN TO-92, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BC337-40 , to92

Немає в наявності

3,76 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vceo	45 В (Ic 10 мА, Ib 0; для BC337)
Напруга Vcbo	50 В (Ic 100 мкА, Ie 0; для BC337)
Струм колектора Ic	800 мА (постійний, Tamb 25 °C)
Потужність Pd	625 мВт (Tamb 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE (група -40)	250–630 (Vce 1 В, Ic 100 мА)
hFE (2)	60 мін. (Vce 1 В, Ic 300 мА)
Напруга насичення Vce(sat)	0,7 В макс. (Ic 500 мА, Ib 50 мА)
Напруга насичення Vbe(sat)	1,2 В макс. (Ic 500 мА, Ib 50 мА)
Гранична частота fT	210 МГц мін. (Vce 5 В, Ic 10 мА, f 100 МГц)
Вихідна ємність Cob	15 пФ макс. (Vcb 10 В, f 1 МГц)
Корпус	TO-92

BC337-25 транзистор NPN TO-92, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BC337-25 , to92

Немає в наявності

3,76 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vcbo	50 В (BC337, Ta 25 °C)
Напруга Vceo	45 В (BC337, Ta 25 °C)
Напруга Vebo	5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	800 мА (постійний, Ta 25 °C)
Потужність Pd	625 мВт (Ta 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE (група -25)	160–400 (Vce 1 В, Ic 100 мА, Ta 25 °C)
hFE (2)	60 мін. (Vce 1 В, Ic 300 мА, Ta 25 °C)
Напруга насичення Vce(sat)	0.7 В макс. (Ic 500 мА, Ib 50 мА, Ta 25 °C)
Гранична частота fT	210 МГц мін. (Vce 5 В, Ic 10 мА, f 100 МГц, Ta 25 °C)
Вихідна ємність Cob	15 пФ тип. (Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц, Ta 25 °C)
Корпус	TO-92

BC327-25 транзистор TO-92, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BC327-25 , to92

Немає в наявності

18,80 ₴

Параметр	Значення
Тип	PNP
Корпус	TO-92
Напруга Vceo	-45 В (база розімкнена, Ta 25 °C)
Напруга Vces	-50 В (E–B закорочений, Ta 25 °C)
Напруга Vebo	-5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	-800 мА (Ta 25 °C)
Імпульсний струм Icm	-1 А (Ta 25 °C)
Потужність Ptot	625 мВт
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE	160–400 (Vce -1 В, Ic -100 мА, Tj 25 °C)
Напруга насичення Vce(sat)	-0.7 В макс. (Ic -500 мА, Ib -50 мА, Tj 25 °C)
Гранична частота fT	100 МГц типово (Vce -5 В, Ic -10 мА, f 50 МГц, Tj 25 °C)

2SD669AL транзистор TO-126, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SD669AL (2SD669AC )

Немає в наявності

9,87 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Корпус	SOT-32 (TO-126)
Напруга Vcbo	200 В (Ta 25 °C)
Напруга Vceo	170 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo	6.5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	1 А (Ta 25 °C)
Потужність Pc	1 Вт (Ta 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE	100–320 (Vce 5 В, Ic 0.15 А, Ta 25 °C)
Напруга насичення Vce(sat)	0.9 В макс. (Ic 0.5 А, Ib 0.05 А, Ta 25 °C)
Гранична частота fT	140 МГц типово (Vce 5 В, Ic 150 мА, Ta 25 °C)
Ємність Cob	14 пФ типово (Vcb 10 В, f 1 МГц, Ta 25 °C)

2SD5703 транзистор TO-3PML, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SD5703 ( KSD5703 ) оригінал

Немає в наявності

64,86 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Корпус	TO-3PML
Напруга Vcbo	1500 В (Ta 25 °C)
Напруга Vceo	800 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo	6 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	10 А (Ta 25 °C)
Імпульсний струм Icm	30 А (Ta 25 °C)
Потужність Pc	70 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Напруга насичення Vce(sat)	5.0 В макс. (Ic 8 А, Ib 1.6 А, Tc 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE	15–40 (Ic 1 А, Vce 5 В, Tc 25 °C)
Час спаду tf	0.3 мкс макс. (Ic 6 А, Ib1 1.2 А, Ib2 -2.4 А, Rl 33.3 Ом, Vcc 200 В, Tc 25 °C)
Стан	Оригінал

2SD5287 (HC5287) біполярний транзистор, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SD5287(HC5287)

Немає в наявності

78,49 ₴

Параметр	Значення
Номер деталі	2SD5287
Альтернативний код	HC5287
Тип	Біполярний транзистор

2SD2599 транзистор 2-16E3A, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SD2599

Немає в наявності

94,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Виробник	Toshiba
Корпус	TOSHIBA 2-16E3A
Напруга Vcbo	1500 В (Tc 25 °C)
Напруга Vceo	600 В (Tc 25 °C)
Напруга Vebo	5 В (Tc 25 °C)
Струм колектора Ic (DC)	3,5 А (Tc 25 °C)
Струм колектора імпульсний Icp	7 А (Tc 25 °C)
Потужність Pc	40 Вт (Tc 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE	8–25 (Vce 5 В, Ic 0,5 А)
Напруга насичення Vce(sat)	5 В тип., 8 В макс. (Ic 3 А, Ib 0,8 А)
Гранична частота fT	3 МГц (Vce 10 В, Ic 0,1 А)
Температура переходу Tj	150 °C

2SD2578 транзистор TO-3PML, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SD2578 оригінал

Немає в наявності

94,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Виробник	Sanyo
Корпус	TO-3PML
Напруга Vceo	800 В (мін. при Ic = 100 мА, Ib = 0)
Напруга Vcbo	1500 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo	6 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	8 А (Ta 25 °C; імпульсний Icp 20 А)
Коефіцієнт підсилення hFE	15–30 (Vce = 5 В, Ic = 1 А)
Напруга насичення Vce(sat)	5 В (макс., Ic = 5 А, Ib = 1 А)
Напруга насичення Vbe(sat)	1,5 В (макс., Ic = 5 А, Ib = 1 А)
Потужність Pd	60 Вт (Tc 25 °C)
Час спаду tf	0,3 мкс (макс., Ic = 4 А, Ib1 = 0,8 А, Ib2 = –1,6 А)
Температура переходу Tj	150 °C
Стан	Оригінал

2SD2560+2SB1647 транзистори, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SD2560+2SB1647 оригінали демонтаж

Немає в наявності

143,82 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN, Darlington (2SD2560)
Виробник	Sanken
Напруга Vceo	150 В (мін. при Ic = 30 мА)
Напруга Vcbo	150 В
Напруга Vebo	5 В
Струм колектора Ic	15 А
Коефіцієнт підсилення hFE	5000 (мін., Vce = 4 В, Ic = 10 А)
Напруга насичення Vce(sat)	2,5 В (макс., Ic = 10 А, Ib = 10 мА)
Потужність Pd	130 Вт (Tc 25 °C)
Гранична частота fT	70 МГц (тип., Vce = 12 В, Ie = –2 А)
Вихідна ємність Cob	120 пФ (тип., Vcb = 10 В, f = 1 МГц)
Температура переходу Tj	150 °C
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

2SD2553 транзистор Toshiba, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SD2553 оригінал

Немає в наявності

45,12 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Виробник	Toshiba
Напруга колектор-емітер Vceo	600 В (Tc 25 °C)
Напруга колектор-база Vcbo	1700 В (Tc 25 °C)
Напруга емітер-база Vebo	5 В (Tc 25 °C)
Струм колектора Ic	8 А (DC, Tc 25 °C; імпульсний Icp 16 А)
Коефіцієнт підсилення hFE	8–28 (Vce 5 В, Ic 1 А)
Напруга насичення Vce(sat)	5 В макс. (Ic 6 А, Ib 1,2 А)
Напруга насичення Vbe(sat)	1,2 В макс. (Ic 6 А, Ib 1,2 А)
Пряма напруга демпферного діода Vf	2,0 В макс. (If 8 А)
Потужність розсіювання Pd	50 Вт (Tc 25 °C)
Гранична частота fT	2 МГц (Vce 10 В, Ic 0,1 А)
Вихідна ємність Cob	155 пФ (Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц)
Температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TOSHIBA 2-16E3A
Стан	Оригінал

2SD2499 транзистор Toshiba, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SD2499 оригінал демонтаж

Немає в наявності

64,39 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Виробник	Toshiba
Напруга колектор-емітер Vceo	600 В (Tc 25 °C)
Напруга колектор-база Vcbo	1500 В (Tc 25 °C)
Напруга емітер-база Vebo	5 В (Tc 25 °C)
Струм колектора Ic	6 А (DC, Tc 25 °C; імпульсний Icp 12 А)
Коефіцієнт підсилення hFE	8–25 (Vce 5 В, Ic 1 А)
Напруга насичення Vce(sat)	5 В макс. (Ic 4 А, Ib 0,8 А)
Напруга насичення Vbe(sat)	1,3 В макс. (Ic 4 А, Ib 0,8 А)
Пряма напруга демпферного діода Vf	2,0 В макс. (If 6 А)
Потужність розсіювання Pd	50 Вт (Tc 25 °C)
Гранична частота fT	2 МГц (Vce 10 В, Ic 0,1 А)
Вихідна ємність Cob	95 пФ (Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц)
Температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TOSHIBA 2-16E3A
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

2SD2396 транзистор TO-220F, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SD2396 (60V,3A),TO220F

Немає в наявності

48,41 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN, Дарлінгтон
Напруга колектор-емітер Vceo	60 В (Ic 1 мА, Ib 0)
Напруга колектор-база Vcbo	80 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер-база Vebo	6 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	3 А (Ta 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE	400–2000 (Vce 4 В, Ic 0,5 А)
Напруга насичення Vce(sat)	0,8 В макс. (Ic 2 А, Ib 50 мА)
Напруга насичення Vbe(sat)	1,5 В макс. (Ic 2 А, Ib 50 мА)
Потужність розсіювання Pd	2 Вт (Ta 25 °C)
Гранична частота fT	40 МГц (Vce 5 В, Ic 0,2 А, f 10 МГц)
Вихідна ємність Cob	55 пФ (Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц)
Температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-220F

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SD2333

Немає в наявності

71,91 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга колектор–база Vcbo	1500 В
Напруга колектор–емітер Vceo	600 В
Напруга емітер–база Vebo	5 В
Струм колектора Ic	5 А (постійний)
Струм бази Ib	2,5 А (постійний)
Потужність розсіювання Pc	80 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Напруга насичення Vce(sat)	5,0 В макс. (Ic 4 А, Ib 0,8 А, Tc 25 °C)
Напруга насичення Vbe(sat)	1,5 В макс. (Ic 4 А, Ib 0,8 А)
Коефіцієнт підсилення hFE	8–30 (Ic 0,5 А, Vce 5 В)
Пряма напруга демпферного діода Vecf	2,0 В макс. (If 5 А)
Час спаду tf	1,0 мкс макс. (Icp 4 А, Ib1(end) 0,8 А)
Вбудований демпферний діод	є

2SD2092 транзистор SC-67, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SD2092 оригінал

Немає в наявності

34,78 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN, епітаксіальний кремнієвий
Напруга колектор–база Vcbo	100 В (Tc 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo	100 В (Tc 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo	7 В (Tc 25 °C)
Струм колектора Ic	3 А (постійний, Tc 25 °C)
Імпульсний струм колектора Icp	5 А (Tc 25 °C)
Струм бази Ib	1 А (Tc 25 °C)
Потужність розсіювання Pc	25 Вт (Tc 25 °C)
Потужність розсіювання Pc (на повітрі)	2,0 Вт (Ta 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE	500–1500 (Vce 1 В, Ic 0,5 А)
Напруга насичення Vce(sat)	0,3 В макс. (Ic 1 А, Ib 10 мА)
Напруга насичення Vbe(sat)	1,2 В макс. (Ic 1 А, Ib 10 мА)
Гранична частота fT	140 МГц тип. (Vce 5 В, Ic 0,5 А)
Вихідна ємність Cob	30 пФ тип. (Vcb 10 В, f 1 МГц)
Корпус	SC-67 (TOSHIBA 2-10R1A)
Стан	Оригінал

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор 2SD2058 (60V,3A,25W) , TO220F демонтаж

Немає в наявності

25,85 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга колектор–база Vcbo	60 В (емітер розімкнений)
Напруга колектор–емітер Vceo	60 В (база розімкнена)
Напруга емітер–база Vebo	7 В (колектор розімкнений)
Струм колектора Ic	3 А
Струм бази Ib	0,5 А
Потужність розсіювання Pc	25 Вт (Tc 25 °C)
Потужність розсіювання Pc (на повітрі)	1,5 Вт (Ta 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE	мін. 60 (Ic 0,5 А, Vce 5 В)
Корпус	TO-220F
Стан	Демонтаж б/в

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Стан

Корпус

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Магазин