Магазин
Транзистор FQD5N60C ( заміна для FCD5N60 , SVF5N60D , IRFU430A , IRFU420A ), D-PAK
Немає в наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, QFET |
| Напруга Vds | 600 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 2,8 А |
| Струм Id (100 °C) | 1,8 А |
| Rds(on) | 2,0 Ом (тип.), 2,5 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 1,4 А |
| Vgs(th) | 2–4 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Qg | 15 нКл (тип.), 19 нКл (макс.) |
| Напруга Vgs | ±30 В |
| Pd | 49 Вт (Tc 25 °C) |
| Діапазон температур | –55…150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | onsemi |
Транзистор APM4953 ( FDS4953 ) , so-8
Немає в наявності
26,79 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | P-канал, 2 транзистори в корпусі |
| Напруга Vds | -30 В (VGS=0 В, ID=-250 мкА) |
| Струм Id | -5,8 А (TA=25 °C); -4,5 А (TA=75 °C) |
| Rds(on) | 40 мОм тип., 60 мОм макс. (VGS=-10 В, ID=-5 А) |
| Rds(on) при VGS=-4,5 В | 55 мОм тип., 80 мОм макс. (ID=-4 А) |
| Vgs(th) | -1…-2 В, тип. -1,5 В (VGS=VDS, ID=-250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 9,2 нКл тип., 11 нКл макс. (VGS=-10 В, VDS=-15 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 3,2 Вт (TA=25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | SO-8 |
Транзистор BUZ11 , TO220
Немає в наявності
22,09 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канал, підвищення |
| Напруга Vds | 50 В (TJ 25–125 °C) |
| Струм Id | 30 А (TC=30 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 120 А |
| Rds(on) | 0,03 Ом тип., 0,04 Ом макс. (ID=15 А, VGS=10 В) |
| Vgs(th) | 2,1–4 В, тип. 3 В (VGS=VDS, ID=1 мА) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Потужність розсіювання Pd | 75 Вт (TC=25 °C, зниження 0,6 Вт/°C) |
| Крутизна gfs | 8 См тип., 4 См мін. (VDS=25 В, ID=15 А) |
| Діапазон температур | -55…150 °C |
| Корпус | TO-220 |
Транзистор BF245A
Немає в наявності
28,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канал, JFET |
| Напруга стік–затвор Vdg | 30 В |
| Прямий струм затвора Igf | 10 мА |
| Початковий струм стоку Idss | 2–6,5 мА (VDS=15 В, VGS=0) |
| Крутизна gfs | 3–6,5 мСм (VDS=15 В, VGS=0, f=1 кГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 350 мВт (TA=25 °C, зниження 2,8 мВт/°C) |
| Робочий діапазон температур | -55…150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор APM4546 , DIP8
Немає в наявності
33,37 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Anpec Electronics |
| Тип | Комплементарна пара MOSFET (N + P) |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга Vds N-канал | 30 В (VGS = 0 В, IDS = 250 мкА) |
| Напруга Vds P-канал | -30 В (VGS = 0 В, IDS = -250 мкА) |
| Опір Rds(on) N-канал | 20 мОм тип., 26 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 8 А) |
| Опір Rds(on) N-канал при 4,5 В | 27 мОм тип., 36 мОм макс. (VGS = 4,5 В, IDS = 5 А) |
| Опір Rds(on) P-канал | 38 мОм тип., 50 мОм макс. (VGS = -10 В, IDS = -6 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) N-канал | 0,8–2 В, тип. 1,5 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg N-канал | 18,6 нКл тип., 25 нКл макс. (VDS = 15 В, VGS = 10 В, IDS = 8 А) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
Транзистор AP9971GD ( 9971D- маркування ) , DIP8
Немає в наявності
46,53 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Advanced Power Electronics Corp. |
| Тип | Здвоєний MOSFET N-канал |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга Vds | 60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id | 5 А (TA = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (70 °C) | 3,2 А (TA = 70 °C, VGS = 10 В) |
| Опір Rds(on) | 50 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 5 А) |
| Опір Rds(on) при 4,5 В | 60 мОм макс. (VGS = 4,5 В, ID = 2,5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1–3 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 2 Вт (TA = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
Транзистор AP88N30W ( 88N30W ) оригінал , TO-3P
Немає в наявності
141,94 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Advanced Power Electronics Corp. |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vds | 300 В (VGS = 0 В, ID = 10 мА) |
| Струм Id | 88 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Опір Rds(on) | 48 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 44 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4,5 В (VDS = 10 В, ID = 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 170 нКл тип., 250 нКл макс. |
| Потужність Pd | 150 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор AP40T03GH ( 40T03GH ) , D-PAK
Немає в наявності
42,30 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 28 А (TA = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (100 °C) | 24 А (TA = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Опір Rds(on) при 10 В | 25 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 18 А) |
| Опір Rds(on) при 4,5 В | 45 мОм макс. (VGS = 4,5 В, ID = 14 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1–3 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 8,8 нКл тип. (ID = 18 А, VDS = 20 В, VGS = 4,5 В) |
| Потужність Pd | 31,25 Вт (TA = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
Транзистор AOD458 ( D458 ) , D-PAK (250V , 14A , n-канал)(Заміна для KF5N25D )
Немає в наявності
70,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 250 В (ID = 250 мкА, VGS = 0 В, TJ = 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 14 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (100 °C) | 10 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,22 Ом тип., 0,28 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 7 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4,5 В, тип. 3,8 В (VDS = 5 В, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 12 нКл тип. (VGS = 10 В, VDS = 200 В, ID = 14 А) |
| Потужність Pd | 150 Вт (TC = 25 °C) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±30 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
Транзистор AOD452 (AOD452A) , D-PAK
Немає в наявності
28,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА; TJ = 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 80 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (70 °C) | 60 А (TC = 70 °C, TJ = 175 °C) |
| Опір Rds(on) при 10 В | 0,005 Ом (VGS = 10 В) |
| Опір Rds(on) при 4,5 В | 0,006 Ом (VGS = 4,5 В) |
| Заряд затвора Qg | 31 нКл |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–2,5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 205 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
Транзистор AOD405 (D405) p-канал (30V,18A)
Немає в наявності
29,14 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | P |
| Напруга Vds | -30 В |
| Струм Id | -18 А (VGS -10 В, TA 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 24.5 мОм тип. / 32 мОм макс. (VGS -10 В, ID -18 А) |
| Заряд затвора Qg | 18.7 нКл тип. / 23 нКл макс. (VGS -10 В, VDS -15 В, ID -18 А) |
| Потужність Pd | 60 Вт (TC 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 175 °C |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор AO3401A , sot23
Немає в наявності
15,51 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor |
| Тип каналу | P |
| Корпус | SOT-23 |
| Напруга Vds | -30 В |
| Струм Id | -4 А (TA 25 °C; -3.2 А при TA 70 °C) |
| Опір Rds(on) при VGS -10 В | 41 мОм тип. / 50 мОм макс. (ID = -4 А) |
| Опір Rds(on) при VGS -4.5 В | 47 мОм тип. / 60 мОм макс. (ID = -3.5 А) |
| Опір Rds(on) при VGS -2.5 В | 60 мОм тип. / 85 мОм макс. (ID = -2.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | -0.9 В тип. (-0.5 – -1.3 В; VDS = VGS, ID = -250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 14 нКл (VGS = -10 В, VDS = -15 В, ID = -4 А; 7 нКл при VGS = -4.5 В) |
| Потужність Pd | 1.4 Вт (TA 25 °C; 0.9 Вт при TA 70 °C) |
| Напруга Vgs | ±12 В |
| Температура переходу Tj | 150 °C (робочий діапазон -55 – 150 °C) |
Транзистор AF4502C (30V,10A,-8.5A,2.1W) ( AO4620 )
Немає в наявності
31,49 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Anachip |
| Тип каналу | N + P (комплементарна пара) |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга Vds (N-канал) | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Напруга Vds (P-канал) | -30 В (VGS = 0 В, ID = -250 мкА) |
| Струм Id (N-канал) | 10 А (TA 25 °C, на платі 1″x1″ FR4) |
| Струм Id (P-канал) | -8.5 А (TA 25 °C, на платі 1″x1″ FR4) |
| Струм Id (N-канал, TA 70 °C) | 8.1 А |
| Опір Rds(on) N-канал | 11 мОм тип. / 13.5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Опір Rds(on) P-канал | 16 мОм тип. / 19 мОм макс. (VGS = -10 В, ID = -8.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) N-канал | 1.95 В тип. (1–3 В; VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Порогова напруга Vgs(th) P-канал | -1.6 В тип. (-1 – -3 В; VDS = VGS, ID = -250 мкА) |
| Заряд затвора Qg (N-канал) | 12 нКл тип. / 19 нКл макс. (VDS = 15 В, VGS = 4.5 В, ID = 10 А) |
| Потужність Pd | 2.1 Вт (TA 25 °C; 1.3 Вт при TA 70 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C (робочий діапазон -55 – 150 °C) |
Демонтаж
Транзистор 5N3011 оригінал демонтаж, TO-3P
Немає в наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas Electronics |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vds | 300 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id | 88 А (Tc 25 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 176 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Опір Rds(on) | 0.048 Ом макс.; тип. 0.042 (ID 44 А, VGS 10 В) |
| Порогова напруга Vgs(off) | 3.0–4.5 В (VDS 10 В, ID 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 95 нКл (тип.; VDD 240 В, VGS 10 В, ID 88 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5000 пФ (тип.; VDS 25 В, VGS 0, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±30 В |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Тепловий опір канал–корпус | 0.833 °C/Вт |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SK3918 , D-PAK
Немає в наявності
17,39 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 25 В (VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 192 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Опір Rds(on) | 7.5 мОм макс. (VGS 10 В, ID 24 А) |
| Потужність Pd | 29 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1300 пФ (типово) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В (VDS = 0 В) |
| Енергія лавини Eas | 48 мДж (IAS 22 А) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | NEC Electronics (Renesas Electronics) |
Транзистор 2SK3530
Немає в наявності
71,91 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 800 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 7 А (безперервний, Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 28 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 1.9 Ом (VGS 10 В, ID 3.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID 0.25 мА) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±30 В |
| Потужність Pd | 70 Вт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор 2SK3264 (800V,7A,60W) , TO220F
Немає в наявності
46,06 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 800 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 7 А (Tc 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 28 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 2.0 Ом макс. (типово 1.62 Ом; ID 3.5 А, VGS 10 В, Tch 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.5–4.5 В (типово 4.0 В; ID 1 мА) |
| Потужність Pd | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Fuji Electric |
Транзистор 2SK3115 (2SK3115B) , TO220F
Немає в наявності
39,01 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Vgs 0 В) |
| Напруга Vgs | ±30 В (Vds 0 В) |
| Струм Id | 6,0 А (Tc 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 24 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Опір Rds(on) | макс. 1,2 Ом, тип. 0,9 Ом (Vgs 10 В, Id 3,0 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5–3,5 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 21 нКл тип. (Vdd 450 В, Vgs 10 В, Id 6,0 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1090 пФ (тип., Vds 10 В, Vgs 0, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 35 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | NEC Electronics (Renesas Electronics) |
Транзистор 2SK3114 (600V,4A,30W,1.6R)
Немає в наявності
62,98 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (DMOS) |
| Напруга Vds | 600 В (Vgs 0, Ta 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±30 В (Vds 0) |
| Струм Id | 4,0 А (Tc 25 °C; імпульсний 16 А, PW ≤10 мкс, шпаруватість ≤1 %) |
| Опір Rds(on) | макс. 2,2 Ом, тип. 1,6 Ом (Vgs 10 В, Id 2,0 А, Ta 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5–3,5 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 15 нКл тип. (Vdd 450 В, Vgs 10 В, Id 4,0 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 550 пФ (тип., Vds 10 В, Vgs 0, f 1 МГц) |
| Потужність Pt | 30 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | NEC |
Транзистор 2SK3067
Немає в наявності
46,53 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N, серія π-MOSV |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±30 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 2 А (Tc 25 °C; імпульсний 5 А за 1 мс, 8 А за 100 мкс) |
| Опір Rds(on) | 4,2 Ом тип., макс. 5,0 Ом (Vgs 10 В, Id 1 А, Tc 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 9 нКл тип. (Vdd≈480 В, Vgs 10 В, Id 2 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 380 пФ (тип., Vds 10 В, Vgs 0, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
Транзистор 2SK2843 , TO220F
Немає в наявності
42,30 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N (серія π-MOSV) |
| Напруга Vds | 600 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±30 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 10 А; імпульсний 40 А |
| Опір Rds(on) | 0,54 Ом (тип., макс. 0,75; Vgs=10 В, Id=5 А, Ta 25 °C) |
| Потужність Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2040 пФ (тип., Vds=10 В, Vgs=0, f=1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds=10 В, Id=1 мА) |
| Крутизна |Yfs| | 9,0 См (тип., Vds=10 В, Id=5 А) |
| Енергія лавинного пробою Eas | 363 мДж (Vdd=90 В, Tch 25 °C, L=6,36 мГн, Iar=10 А) |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор 2SK2749 , TO-218
Немає в наявності
98,23 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Виробник | Toshiba |
| Корпус | TO-218 |
| Напруга Vdss | 900 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 7 А (Ta 25 °C) |
| Струм стоку імпульсний Idp | 21 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 1,6 Ом тип., 2,0 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 3,5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Напруга затвор-витік Vgss | ±30 В (Ta 25 °C) |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Крутизна |Yfs| | 5,0 См тип. (Vds 10 В, Id 3,5 А) |
Транзистор 2SK170
Немає в наявності
27,26 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N (JFET) |
| Напруга Vgds | -40 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Idss | 2,6–20 мА (Vds=10 В, Vgs=0; GR 2,6–6,5, BL 6,0–12, V 10–20 мА) |
| Напруга відсічки Vgs(off) | -0,2…-1,5 В (Vds=10 В, Id=0,1 мкА) |
| Крутизна |Yfs| | 22 мСм (тип., Vds=10 В, Vgs=0, f=1 кГц) |
| Вхідна ємність Ciss | 30 пФ (тип., Vds=10 В, Vgs=0, f=1 МГц) |
| Прохідна ємність Crss | 6 пФ (тип., Vdg=10 В, Id=0, f=1 МГц) |
| Шум En | 0,95 нВ/√Гц (тип., Vds=10 В, Id=1 мА, f=1 кГц) |
| Струм витоку затвора Igss | -1,0 нА (макс., Vgs=-30 В, Vds=0) |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2N7002 , sot23
Немає в наявності
5,17 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 60 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±20 В (TA 25 °C) |
| Струм стоку Id | 300 мА (TA 25 °C); імпульсний 1200 мА |
| Потужність Pd | 350 мВт (TA 25 °C, на платі з оксиду алюмінію 10x8x0,6 мм) |
| Вхідна ємність Ciss | 18 пФ (тип., Vds 25 В, Vgs 0, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,1–2,35 В (Vds=Vgs, Id=250 мкА, TA 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | SOT-23 |
Демонтаж
Рядковий трансформатор FCK-14A033 ( FCK14A033 , FSV14A001 , FSV-14A001 , FSA38026S ) оригінал демонтаж
Немає в наявності
477,05 ₴
Транзистор TT2202 , TO-3PMLH
Немає в наявності
98,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, вбудований демпферний діод |
| Напруга колектор–база Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 10 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора Icp | 25 А (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 80 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE1 (мін.) | 15 (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 3 В макс. (Ic 7,2 А, Ib 1,44 А) |
| Час спаду tf | 0,3 мкс макс. (Ic 5 А, Ib1 1 А, Ib2 –2 А) |
| Корпус | TO-3PMLH |
Транзистор TT2170 оригінал , TO220F
Немає в наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, вбудований демпферний діод |
| Напруга колектор–база Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 5 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора Icp | 12 А (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE1 (мін.) | 10 (Vce 5 В, Ic 0,5 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 3 В макс. (Ic 2,7 А, Ib 0,54 А) |
| Час спаду tf | 0,3 мкс макс. (Ic 1,8 А, Ib1 0,36 А, Ib2 –0,72 А) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TIP107 , TO220
Немає в наявності
37,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP, Дарлінгтон |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 100 В (IB = 0) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 100 В (IE = 0) |
| Струм колектора Ic | 8 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 15 А |
| Потужність розсіювання Ptot | 80 Вт (Tcase 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE (мін.) | 1000 (Ic 3 А, Vce 4 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2 В макс. (Ic 3 А, Ib 6 мА) |
| Корпус | TO-220 |
Транзистор ST2001HI оригінал
Немає в наявності
81,78 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | ISOWATT218 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vceo | 600 В (Ib = 0) |
| Напруга Vcbo | 1500 В (Ie = 0) |
| Напруга Vebo | 7 В (Ic = 0) |
| Струм колектора Ic | 10 А |
| Імпульсний струм Icm | 20 А (tp < 5 мс) |
| Струм бази Ib | 7 А |
| Потужність Ptot | 55 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 1,5 В макс. (Ic = 5 А, Ib = 1,25 А) |
| Vbe(sat) | 1,2 В макс. (Ic = 5 А, Ib = 1,25 А) |
| Час спаду tf | 0,2 мкс тип. / 0,4 мкс макс. (Ic = 5 А) |
| Напруга ізоляції Visol | 2500 В |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SS8550C (SS8550D ) , to92
Немає в наявності
3,76 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Корпус | TO-92 |
| Виробник | onsemi |
| Напруга Vceo | -25 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vcbo | -40 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vebo | -6 В (TA 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -1,5 А (TA 25 °C) |
| Потужність Pd | 1 Вт (TA 25 °C, плата FR-4 76 x 114 x 1,57 мм) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE, клас C | 120 – 200 (Ic = -100 мА, Vce = -1 В) |
| Vce(sat) | -0,50 В макс. (Ic = -800 мА, Ib = -80 мА) |
| Vbe(sat) | -1,20 В макс. (Ic = -800 мА, Ib = -80 мА) |
| Гранична частота fT | 100 МГц мін. (Vce = -10 В, Ic = -50 мА) |
Транзистор SS8050C ( SS8050S , ST8050D , 2SC8050 ) ,to92
Немає в наявності
3,76 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | TO-92 |
| Виробник | onsemi |
| Напруга Vceo | 25 В (Ic = 2 мА, Ib = 0, Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 40 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 1,5 А (Ta 25 °C) |
| Потужність Pd | 1 Вт (Ta 25 °C, плата FR-4 76 x 114 x 1,57 мм) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE, клас C | 120 – 200 (Ic = 100 мА, Vce = 1 В) |
| Vce(sat) | 0,5 В макс. (Ic = 800 мА, Ib = 80 мА) |
| Vbe(sat) | 1,2 В макс. (Ic = 800 мА, Ib = 80 мА) |
| Гранична частота fT | 100 МГц мін. (Vce = 10 В, Ic = 50 мА) |
Транзистор PDTA114TT smd
Немає в наявності
3,29 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP з вбудованим резистором |
| Вхідний резистор R1 | 7–13 кОм (тип. 10 кОм; Tamb 25 °C) |
| Напруга Vceo | -50 В (база відкрита) |
| Напруга Vcbo | -50 В (емітер відкритий) |
| Напруга Vebo | -5 В (колектор відкритий) |
| Вихідний струм Io | -100 мА |
| Потужність Ptot | 250 мВт (SOT23, Tamb ≤ 25 °C, плата FR4) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 200 (мін.; Vce -5 В, Ic -1 мА, Tamb 25 °C) |
| Корпус | SOT-23 |
| Корпус (докладно) | SOT23 (TO-236AB) |
Транзистор MPSA92 , to92
Немає в наявності
4,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -300 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | -300 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | -5,0 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -500 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | -0,5 В (макс.; Ic -20 мА, Ib -2,0 мА) |
| Гранична частота fT | 50 МГц (мін.; Vce -20 В, Ic -10 мА, f 100 МГц) |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор MMBT3904 , sot23
Немає в наявності
1,88 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 60 В (відкритий емітер) |
| Напруга Vceo | 40 В (відкрита база) |
| Напруга Vebo | 6 В (відкритий колектор) |
| Струм колектора Ic | 200 мА (DC) |
| Потужність Ptot | 250 мВт (Tamb 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 100–300 (VCE 1 В, IC 10 мА) |
| Гранична частота fT | 300 МГц (мін.; IC 10 мА, VCE 20 В, f 100 МГц) |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор FHA13009 оригінал ( заміна для MJE13009 , MJE13009L , J13009 , E13009L , KSH13009AL , KSE13009L , 3DD13009H , 3DD13009 , KSH13009H ), TO-3P
Немає в наявності
69,09 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vcbo | 700 В (IE = 0; Tc 25 °C) |
| Напруга Vceo | 400 В (IB = 0) |
| Напруга Vebo | 9 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 12 А (DC) |
| Потужність Pc | 100 Вт (Tc 25 °C) |
| hFE | 8–40 (VCE 5 В, IC 3 А) |
| Vce(sat) | 1.0 В макс. (IC 5 А, IB 1 А) |
| Гранична частота fT | 4 МГц (VCE 10 В, IC 0,5 А) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MJE13003 , to92
Немає в наявності
12,22 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 700 В |
| Напруга Vceo | 400 В |
| Напруга Vebo | 9 В |
| Струм колектора Ic | 1.5 А (DC) |
| Імпульсний струм колектора | 3 А |
| Струм бази Ib | 0.75 А |
| Потужність Pc | 20 Вт (Tc 25 °C) |
| hFE | 9–38 (VCE 2 В, IC 0,5 А) |
| Vce(sat) | 1 В макс. (IC 1 А, IB 0,25 А) |
| Гранична частота fT | 4 МГц мін. (VCE 10 В, IC 0,1 А) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
Транзистор MD2310FX оригінал ( ST2310HI )
Немає в наявності
78,96 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vces | 1500 В (VBE = 0) |
| Напруга Vceo | 700 В (IB = 0) |
| Напруга Vebo | 9 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 14 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 21 А (tp < 5 мс) |
| Струм бази Ib | 7 А |
| Потужність Ptot | 62 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 2.5 В макс. (IC 7 А, IB 1,75 А) |
| hFE | 6 мін. (IC 7 А, VCE 5 В) |
| Напруга ізоляції (RMS) | 2500 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3PF |
| Стан | Оригінал |