Магазин
Мікросхема KA5Q1565RF ( 5Q1565RF ) оригінал
Немає в наявності
159,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | TO-3PF, 5 виводів |
| Напруга пробою BVDSS | 650 В (VGS=0 В, ID=50 мкА) |
| Струм стоку ID (Tc 25 °C) | 10.3 А |
| Струм стоку ID (Tc 100 °C) | 6.6 А |
| Імпульсний струм IDM | 60 А |
| Опір каналу RDS(on) | 0.5 Ом (тип.; VGS=10 В, ID=7,3 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл (тип.; VGS=10 В, ID=14,6 А, VDS=0,8·BVDSS) |
| Початкова частота | 20 кГц (тип.) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 95 % (тип.) |
| Піковий ліміт струму | 11.5 А (тип.) |
| Поріг запуску Vstart | 15 В (VFB=GND) |
| Поріг вимкнення Vstop | 9 В (VFB=GND) |
| Макс. напруга живлення Vcc | 40 В |
| Розсіювана потужність Pd | 98 Вт |
| Макс. температура переходу | 160 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема KA5M0365RN ( 5M0365R ) , DIP8
Немає в наявності
29,14 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер із вбудованим MOSFET |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга пробою BVDSS | 650 В (VGS=0 В, ID=50 мкА, Ta 25 °C) |
| Струм стоку ID | 0,42 А (Ta 25 °C); 0,28 А (Ta 100 °C) |
| Імпульсний струм IDM | 3 А |
| Опір RDS(on) | 3,6 Ом тип. (макс. 4,5 Ом; VGS=10 В, ID=0,5 А) |
| Частота перетворення | 67 кГц тип. (61–73 кГц; Ta 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 77 % тип. (72–82 %) |
| Піковий ліміт струму | 2,15 А тип. (1,89–2,41 А) |
| Потужність Pd | 1,56 Вт |
| Макс. температура переходу | 160 °C |
Мікросхема KA5M0265R , TO220-4
Немає в наявності
80,84 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер із вбудованим MOSFET |
| Корпус | TO220-4 |
| Напруга пробою BVDSS | 650 В (VGS=0 В, ID=50 мкА) |
| Струм стоку ID | 2,0 А (Tc 25 °C); 1,3 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм IDM | 8,0 А |
| Опір RDS(on) | 5,0 Ом тип. (макс. 6,0 Ом; VGS=10 В, ID=0,5 А) |
| Заряд затвора Qg | 35 нКл макс. (VGS=10 В, ID=1,0 А, VDS=0,5·BVDSS) |
| Частота перетворення | 67 кГц тип. (61–73 кГц) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 77 % тип. (72–82 %) |
| Піковий ліміт струму | 1,2 А тип. (1,05–1,34 А) |
| Потужність Pd | 42 Вт |
| Макс. температура переходу | 160 °C |
Мікросхема KA5L0365RN ( 5L0365R ) , DIP8
Немає в наявності
39,95 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер із вбудованим MOSFET |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга пробою BVDSS | 650 В (VGS=0 В, ID=50 мкА, Ta 25 °C) |
| Струм стоку ID | 0,42 А (Ta 25 °C); 0,28 А (Ta 100 °C) |
| Імпульсний струм IDM | 3 А |
| Опір RDS(on) | 3,6 Ом тип. (макс. 4,5 Ом; VGS=10 В, ID=0,5 А) |
| Частота перетворення | 50 кГц тип. (45–55 кГц; Ta 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 77 % тип. (72–82 %) |
| Піковий ліміт струму | 2,15 А тип. (1,89–2,41 А) |
| Потужність Pd | 1,56 Вт |
| Макс. температура переходу | 160 °C |
Демонтаж
Мікросхема KA5H0165R , TO220F демонтаж
Немає в наявності
42,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | TO-220F-4L |
| Напруга стік–витік BVDSS | 650 В (VGS=0 В, ID=50 мкА) |
| Постійний струм стоку (25 °C) | 1.0 А |
| Постійний струм стоку (100 °C) | 0.7 А |
| Імпульсний струм стоку | 4.0 А |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 8 Ом тип., 10 Ом макс. (VGS=10 В, ID=0.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 21 нКл макс. (VGS=10 В, ID=1.0 А, VDS=0.5·BVDSS) |
| Потужність розсіювання | 40 Вт |
| Напруга затвор–витік VGS | ±30 В |
| Макс. температура переходу | +160 °C |
| Частота генератора | 100 кГц тип. (Ta=25 °C) |
| Макс. напруга живлення VCC | 30 В |
| Робоча температура | –25 … +85 °C |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема KA5H0165R , TO220F
Немає в наявності
47,94 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | TO-220F-4L |
| Напруга стік–витік BVDSS | 650 В (VGS=0 В, ID=50 мкА) |
| Постійний струм стоку (25 °C) | 1.0 А |
| Постійний струм стоку (100 °C) | 0.7 А |
| Імпульсний струм стоку | 4.0 А |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 8 Ом тип., 10 Ом макс. (VGS=10 В, ID=0.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 21 нКл макс. (VGS=10 В, ID=1.0 А, VDS=0.5·BVDSS) |
| Потужність розсіювання | 40 Вт |
| Напруга затвор–витік VGS | ±30 В |
| Макс. температура переходу | +160 °C |
| Частота генератора | 100 кГц тип. (Ta=25 °C) |
| Макс. напруга живлення VCC | 30 В |
| Робоча температура | –25 … +85 °C |
Мікросхема KA3S0680R ( 3S0680R )
Немає в наявності
150,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга стік–витік BVDSS | 800 В (VGS=0 В, ID=50 мкА) |
| Постійний струм стоку (25 °C) | 6.0 А |
| Постійний струм стоку (100 °C) | 4.0 А |
| Імпульсний струм стоку | 24.0 А |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 1.6 Ом тип., 2.0 Ом макс. (VGS=10 В, ID=4.0 А) |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл тип. (VGS=10 В, ID=6.0 А, VDS=0.5·BVDSS) |
| Потужність розсіювання | 150 Вт (з радіатором) |
| Напруга затвор–витік VGS | ±30 В |
| Частота генератора | 20 кГц тип. (Ta=25 °C) |
| Макс. напруга живлення VCC | 30 В |
| Робоча температура | –25 … +85 °C |
Мікросхема KA2915 ( CD5151CP , AN5151N )
Немає в наявності
71,91 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | відео ПЧ (VIF), звукова ПЧ (SIF), кадрова і рядкова розгортка для чорно-білих ТВ |
| Напруга живлення | 8–12 В (типово 10 В) |
| Макс. напруга живлення VCC (V20-21) | 12 В (TA=25 °C) |
| Потужність розсіювання | 1100 мВт (Ta=70 °C) |
| Робоча температура | –20 … +70 °C |
| Температура зберігання | –55 … +150 °C |
| Корпус | DIP-28 (28-DIP-600A) |
Мікросхема KA2250
Немає в наявності
58,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | подвійний електронний регулятор гучності (CMOS) |
| Напруга живлення VDD | 6–12 В (резервне живлення можливе до 4 В) |
| Діапазон ослаблення | 0 … –66 дБ |
| Крок ослаблення | 2 дБ |
| Кількість каналів | 2 (L-CH і R-CH) |
| Робоча температура | –20 … +70 °C |
| Корпус | DIP16 |
Мікросхема KA22429 ( S1A0429A01-SOBO , TDA7021T ) , so-16
Немає в наявності
58,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга живлення | 1,8–6,0 В (типово 3,0 В) |
| Струм споживання | 6,3 мА типово (Vp = 3 В, Tamb 25 °C) |
| Вхідна частота ВЧ | 1,5–110 МГц |
| Проміжна частота | 76 кГц |
| Чутливість (ЕРС) при обмеженні –3 дБ | 4 мкВ типово (опір джерела 75 Ом) |
| Вихідна напруга НЧ | 90 мВ типово (опір джерела 75 Ом) |
| Робоча температура | –10…70 °C |
| Тепловий опір перехід–середовище | 300 К/Вт |
| Корпус | SO-16 |
Мікросхема KA2133
Немає в наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга живлення кадрової частини Vcc | 9,6–14,4 В (тип. 12 В) (TA 25 °C) |
| Струм живлення рядкової частини I10 | 6,5–18 мА (тип. 12 мА) |
| Частота кадрового генератора | 55–65 Гц (тип. 60 Гц) (Vcc 12 В, I10 12 мА, TA 25 °C) |
| Частота рядкового генератора | 15,0–16,5 кГц (тип. 15,75 кГц) (Vcc 12 В, I10 12 мА, TA 25 °C) |
| Розсіювана потужність | 1,3 Вт (TA 25 °C) |
| Корпус | 16-DIHP-300 (DIP-16 з тепловідводом) |
Демонтаж
Мікросхема KA1M0880 ( 1M0880 ) , TO3P-5 демонтаж
Немає в наявності
108,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Максимальна напруга стоку | 800 В (Tj 25–150 °C) |
| Струм стоку неперервний (TC 25 °C) | 8,0 А |
| Струм стоку неперервний (TC 100 °C) | 5,6 А |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 1,2 Ом (тип.), 1,5 Ом (макс.) (Vgs 10 В, Id 5,0 А, Ta 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 150 нКл (макс.) (Vgs 10 В, Id 8,0 А, Vds 0,5·BVDSS) |
| Повна розсіювана потужність | 190 Вт (зниження 1,54 Вт/°C) |
| Частота перетворення | 67 кГц (тип.), 61–73 кГц |
| Корпус | 5-вивідний TO-3P |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема KA1M0565R ( 1M0565R ) , TO220F-4
Немає в наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Максимальна напруга стоку | 650 В (Tj 25–150 °C) |
| Струм стоку неперервний (TC 25 °C) | 5,0 А |
| Струм стоку неперервний (TC 100 °C) | 3,5 А |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 1,76 Ом (тип.), 2,2 Ом (макс.) (Vgs 10 В, Id 2,5 А, Ta 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 56 нКл (макс.) (Vgs 10 В, Id 5,0 А, Vds 0,5·BVDSS) |
| Повна розсіювана потужність | 140 Вт (зниження 1,11 Вт/°C) |
| Частота перетворення | 67 кГц (тип.), 61–73 кГц (Ta 25 °C) |
| Корпус | TO-220F-4L |
Мікросхема IR4428
Немає в наявності
91,65 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Тип | Двоканальний низькосторонній драйвер MOSFET та IGBT |
| Напруга живлення Vs | 6–20 В (рекомендований робочий діапазон; абсолютний максимум 25 В) |
| Вихідний струм IO+ / IO– | 1,5 / 1,5 А (IO+ / IO–) |
| Час вмикання / вимикання | 85 / 65 нс (тип.) |
| Струм спокою Vs | 100 мкА (тип.), 200 мкА (макс.); Vs = 15 В, TA 25 °C |
| Робоча температура | -40…125 °C (TA) |
| Корпус | 8-pin SOIC, 8-pin PDIP |
Мікросхема IR4426 , DIP8
Немає в наявності
104,81 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Тип | Двоканальний драйвер нижнього ключа MOSFET та IGBT |
| Вихідний струм (відкриття) IO+ | 1,5 А |
| Вихідний струм (закриття) IO- | 1,5 А |
| Напруга живлення VS | 6–20 В (рекомендована) |
| Макс. напруга живлення VS | 25 В (абсолютний максимум) |
| Затримка вмикання ton | 85 нс (тип.) |
| Затримка вимикання toff | 65 нс (тип.) |
| Поріг логічного входу VIH | 2,7 В (мін.; VS 15 В, TA 25 °C) |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема IRS2184 ( S2184 ) оригінал (заміна для IR2184 ) , DIP8
Немає в наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Тип | Напівмостовий драйвер MOSFET та IGBT |
| Напруга верхнього плеча | 600 В (макс.) |
| Вихідний струм (відкриття) | 1,4 А |
| Вихідний струм (закриття) | 1,8 А |
| Напруга живлення VCC | 10–20 В |
| Затримка вмикання ton | 680 нс (тип.; макс. 900; VS 0 В) |
| Затримка вимикання toff | 270 нс (тип.; VS 0 В або 600 В) |
| Мертвий час | 400 нс (внутрішній, тип.; мін. 280, макс. 520) |
| Корпус | DIP8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема IR2161 , DIP8
Немає в наявності
128,31 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Корпус | DIP8 |
| Макс. напруга плаваючого живлення VB | 625 В (абсолютний максимум) |
| Макс. вихідний струм виходів | ±500 мА (абсолютний максимум) |
| Поріг увімкнення VCCUV+ | 12,1 В (тип.; VCC росте від 0 В) |
| Поріг вимкнення VCCUV- | 10,5 В (тип.; VCC падає з 14 В) |
| Струм старту | 250 мкА (тип.; VCC 11 В) |
| Обмеження VCC стабілітроном | 15,4 В (тип.; ICC 5 мА) |
Мікросхема IR2113 , DIP14
Немає в наявності
94,94 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | DIP14 |
| Напруга верхнього плеча VOFFSET | 600 В (макс.) |
| Вихідний струм (відкриття) IO+ | 2 А |
| Вихідний струм (закриття) IO- | 2 А |
| Напруга живлення драйвера VOUT | 10–20 В |
| Напруга живлення логіки VDD | 3,3–20 В |
| Затримка вмикання ton | 120 нс (тип.) |
| Затримка вимикання toff | 94 нс (тип.) |
| Розсіювана потужність Pd | 1,6 Вт (DIP14, TA 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Мікросхема IR2112 , DIP14
Немає в наявності
78,49 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | DIP14 |
| Напруга верхнього плеча VOFFSET | 600 В (макс.) |
| Вихідний струм (відкриття) IO+ | 200 мА |
| Вихідний струм (закриття) IO- | 420 мА |
| Напруга живлення драйвера VOUT | 10–20 В |
| Напруга живлення логіки VDD | 3,3–20 В |
| Затримка вмикання ton | 125 нс (тип.; CL 1000 pF, VBIAS 15 В, TA 25 °C) |
| Затримка вимикання toff | 105 нс (тип.; CL 1000 pF, VBIAS 15 В, TA 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 1,6 Вт (DIP14, TA 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Мікросхема IR2111S , smd
Немає в наявності
65,33 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | SO-8 |
| Макс. напруга плаваючого каналу Voffset | 600 В |
| Напруга живлення драйвера затвора | 10–20 В (рекомендовані умови) |
| Вихідний струм Io+ (джерело) | 200 мА мін. / 250 мА тип. (імпульсний, VO = 0 В, VIN = Vcc) |
| Вихідний струм Io- (стік) | 420 мА мін. / 500 мА тип. (імпульсний, VO = 15 В, VIN = 0 В) |
| Затримка вмикання ton | 750 нс тип. / 950 нс макс. (VS = 0 В) |
| Затримка вимикання toff | 150 нс тип. / 180 нс макс. (VS = 600 В) |
| Мертвий час | 650 нс тип. |
| Потужність розсіювання Pd | 0,625 Вт (TA = +25 °C, 8-lead SOIC) |
Мікросхема IR2106S ( S2106 ) , so-8
Немає в наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | SO-8 |
| Макс. напруга плаваючого каналу Voffset | 600 В |
| Напруга живлення драйвера затвора | 10–20 В (рекомендовані умови) |
| Вихідний струм Io+ (джерело) | 120 мА мін. / 200 мА тип. (імпульсний, VO = 0 В) |
| Вихідний струм Io- (стік) | 250 мА мін. / 350 мА тип. (імпульсний, VO = 15 В) |
| Затримка вмикання ton | 220 нс тип. / 300 нс макс. (VS = 0 В) |
| Затримка вимикання toff | 200 нс тип. / 280 нс макс. (VS = 0 В або 600 В) |
| Сумісність входів | 3,3 В, 5 В, 15 В |
| Потужність розсіювання Pd | 0,625 Вт (TA = +25 °C, 8-lead SOIC) |
Мікросхема IR2104S оригінал ( заміна для IRS2104 , S2104 ) , so-8
Немає в наявності
95,88 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | SO-8 |
| Макс. напруга плаваючого каналу Voffset | 600 В |
| Напруга живлення драйвера затвора | 10–20 В (рекомендовані умови) |
| Вихідний струм Io+ (джерело) | 130 мА мін. / 210 мА тип. (імпульсний, VO = 0 В) |
| Вихідний струм Io- (стік) | 270 мА мін. / 360 мА тип. (імпульсний, VO = 15 В) |
| Затримка вмикання ton | 680 нс тип. / 820 нс макс. (Vbias = 15 В, CL = 1000 пФ, TA = 25 °C, VS = 0 В) |
| Затримка вимикання toff | 150 нс тип. / 220 нс макс. (Vbias = 15 В, CL = 1000 пФ, TA = 25 °C, VS = 600 В) |
| Мертвий час | 520 нс тип. |
| Сумісність входів | 3,3 В, 5 В, 15 В |
| Потужність розсіювання Pd | 0,625 Вт (TA = +25 °C, 8-lead SOIC) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема IR2101 , DIP8
Немає в наявності
55,46 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | 8-lead PDIP (IR2101); 8-lead SOIC (IR2101S) |
| Виробник | Infineon |
| Макс. напруга плаваючого каналу Voffset | 600 В |
| Вихідний струм Io+ (джерело) | 130 мА мін. / 210 мА тип. (імпульсний, VO = 0 В) |
| Вихідний струм Io- (стік) | 270 мА мін. / 360 мА тип. (імпульсний, VO = 15 В) |
| Напруга живлення драйвера затвора | 10–20 В (рекомендовані умови) |
| Затримка вмикання ton | 160 нс тип. / 220 нс макс. (Vbias = 15 В, CL = 1000 пФ, TA = 25 °C, VS = 0 В) |
| Затримка вимикання toff | 150 нс тип. / 220 нс макс. (Vbias = 15 В, CL = 1000 пФ, TA = 25 °C, VS = 600 В) |
| Час наростання tr | 100 нс тип. / 170 нс макс. (Vbias = 15 В, CL = 1000 пФ, TA = 25 °C) |
| Час спаду tf | 50 нс тип. / 90 нс макс. (Vbias = 15 В, CL = 1000 пФ, TA = 25 °C) |
| Струм споживання Vcc | 150 мкА тип. / 270 мкА макс. (VIN = 0 В або 5 В) |
| Поріг блокування по недонапрузі Vcc (UV+ / UV-) | 8,9 / 8,2 В (тип.) |
| Сумісність входів | 3,3 В, 5 В, 15 В |
| Потужність розсіювання Pd | 1,0 Вт (TA = +25 °C, 8-lead PDIP) |
| Напруга живлення Vcc, макс. | 25 В (абсолютний максимум) |
| Напруга живлення верхнього плеча Vb, макс. | 625 В (абсолютний максимум) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C (абсолютний максимум) |
Мікросхема ICL7660 , DIP
Немає в наявності
42,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | 8-pin Plastic DIP (також SO, µMAX) |
| Призначення | інвертор / подвоювач напруги на перемиканих конденсаторах |
| Діапазон напруги живлення V+ | 3,0–10,0 В (RL = 10 кОм, LV вільний) |
| Діапазон напруги живлення V+ (LV на GND) | 1,5–3,5 В (RL = 10 кОм, LV на GND) |
| Напруга живлення, абсолютний максимум | 10,5 В (V+ до GND) |
| Струм споживання без навантаження | 80 мкА тип. / 175 мкА макс. (V+ = 5 В, LV = 0 В, RL = ∞, TA = +25 °C) |
| Вихідний опір | 55 Ом тип. / 100 Ом макс. (IL = 20 мА, fOSC = 5 кГц, LV вільний, TA = +25 °C) |
| Частота генератора | 10 кГц тип. (V+ = 5 В, COSC = 1 пФ) |
| ККД перетворення потужності | 95 % мін. / 98 % тип. (RL = 5 кОм, TA = +25 °C, fOSC ≤ 5 кГц, LV вільний) |
| Ефективність перетворення напруги | 99,0 % мін. / 99,9 % тип. (RL = ∞, TA = +25 °C, LV вільний) |
| Вихідний струм | 10 мА (при падінні вихідної напруги 0,5 В) |
Мікросхема ICE3BR4765J оригінал ( заміна для ICE3BR4765JZ , ICE3RBR4765J ), DIP8
Немає в наявності
160,27 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vds (CoolMOS) | 650 В |
| Rds(on) вбудованого CoolMOS (тип.) | 4.70 Ом (Tj 25 °C) |
| Частота перемикання | 65 кГц (фіксована; з jitter 56.5–73.5 кГц, Tj 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 75 % |
| Макс. вихідна потужність, вхід 230 В AC ±15 % | 27 Вт (розрахункова, Ta 50 °C, Tj 125 °C, без мідного тепловідводу) |
| Імпульсний струм стоку | 2.32 А |
| Напруга живлення VCC (макс.) | 27 В |
| Тепловий опір перехід–середовище | 90 К/Вт (корпус PG-DIP-8) |
| Температура переходу (макс.) | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема ICE3BR1065JF демонтаж, TO220F-6
Немає в наявності
81,31 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | PG-TO220-6-247 (у назві товару TO220F-6) |
| Напруга Vds (CoolMOS) | 650 В (за таблицею типів) |
| Rds(on) вбудованого CoolMOS (тип.) | 1.0 Ом (Tj 25 °C) |
| Частота перемикання | 67 кГц (фіксована) |
| Макс. вихідна потужність, вхід 230 В AC ±15 % | 178 Вт (open frame, Ta 50 °C, Tj 125 °C, зовнішній радіатор RthSA 2.7 К/Вт) |
| Макс. вихідна потужність, вхід 85–265 В AC | 120 Вт (open frame, Ta 50 °C, Tj 125 °C, зовнішній радіатор RthSA 2.7 К/Вт) |
| Імпульсний струм стоку | 13 А (тривалість імпульсу обмежена Tj макс. 150 °C) |
| Напруга живлення VCC (макс.) | 27 В |
| Тепловий опір перехід–середовище | 82 К/Вт |
| Тепловий опір перехід–корпус | 4.4 К/Вт |
| Потужність розсіювання Pd | 28 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу (макс.) | 150 °C (мін. -40 °C) |
| Температура переходу контролера (макс.) | 130 °C (діапазон від -25 °C) |
| Споживання в режимі очікування | <100 мВт (без навантаження, Vin 270 В AC, Active Burst Mode) |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема ICE3BR0665J , DIP8 ( Заміна для ICE3BR0665JZ , DIP7 )
Немає в наявності
62,98 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Напруга Vds (CoolMOS) | 650 В |
| Rds(on) вбудованого CoolMOS (тип.) | 0.65 Ом (Tj 25 °C) |
| Частота перемикання | 65 кГц (фіксована; з jitter 56.5–73.5 кГц, Tj 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 75 % |
| Макс. вихідна потужність, вхід 230 В AC ±15 % | 74 Вт (розрахункова, Ta 50 °C, Tj 125 °C, без зовнішнього радіатора) |
| Імпульсний струм стоку | 15.75 А (обмежений максимальною Tj) |
| Напруга живлення VCC (макс.) | 27 В |
| Тепловий опір перехід–середовище | 90 К/Вт (корпус PG-DIP-8) |
| Температура переходу (макс.) | 150 °C (мін. -40 °C) |
| Споживання в режимі очікування | <50 мВт (Active Burst Mode) |
| Виробник | Infineon |
Мікросхема ICE3B0365J , DIP8
Немає в наявності
68,62 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Напруга Vds (CoolMOS) | 650 В (Tj 110 °C) |
| Rds(on) вбудованого CoolMOS (тип.) | 6.45 Ом (Tj 25 °C) |
| Частота перемикання | 67 кГц (фіксована; діапазон 58–76 кГц, Tj 25 °C) |
| Девіація частоти (jitter) | ±2.7 кГц (±4 % від 67 кГц) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 0.75 (мін. 0.70, макс. 0.80, CS = 1 В) |
| Імпульсний струм стоку | 1.6 А |
| Напруга живлення VCC (макс.) | 27 В |
| Поріг вмикання VCC | 18.0 В (мін. 17.0, макс. 19.0) |
| Тепловий опір перехід–середовище | 90 К/Вт (корпус PG-DIP-8) |
| Температура переходу контролера (макс.) | 130 °C (діапазон від -25 °C) |
| Температура переходу CoolMOS (макс.) | 150 °C (мін. -25 °C) |
| Споживання в режимі очікування | <100 мВт (без навантаження, Vin 270 В AC, Active Burst Mode) |
| Виробник | Infineon |
Мікросхема ICE3A0565 , DIP8
Немає в наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | ШІМ-контролер з вбудованим CoolMOS |
| Напруга Vds (CoolMOS) | 650 В (Tj 110 °C) |
| Rds(on) вбудованого CoolMOS (тип.) | 4.70 Ом (Tj 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 2.3 А (тривалість імпульсу обмежена Tj макс. 150 °C) |
| Частота перемикання | 100 кГц (мін. 92, макс. 108, Tj 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 0.72 (мін. 0.67, макс. 0.77) |
| Макс. вихідна потужність, вхід 230 В AC ±15 % | 25 Вт (розрахункова, за таблицею типів) |
| Макс. вихідна потужність, вхід 85–265 В AC | 12 Вт (розрахункова, за таблицею типів) |
| Напруга живлення VCC (макс.) | 22 В |
| Тепловий опір перехід–середовище | 90 К/Вт (корпус PG-DIP-8) |
| Температура переходу контролера (робоча, макс.) | 130 °C (мін. -25 °C) |
| Температура переходу CoolMOS (робоча, макс.) | 150 °C (мін. -25 °C) |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема ICE2QS01 , DIP8
Немає в наявності
50,29 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Квазірезонансний ШІМ-контролер |
| Макс. напруга живлення VCC | 27 В (абсолютний максимум) |
| Макс. напруга виводу HV | 500 В (абсолютний максимум) |
| Макс. напруга виходу OUT | 27 В (абсолютний максимум) |
| Температура переходу | від -40 до 125 °C (абсолютний максимум) |
| Вхідна потужність у режимі очікування | < 1 Вт (active burst mode) |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема ICE2PCS06 , so-8
Немає в наявності
68,62 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | PFC-контролер, режим CCM |
| Частота перетворення | 65 кГц (фіксована, +5 % при 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 95 % (25 °C) |
| Опорна напруга | 3 В (+2 %, 25 °C) |
| Поріг вмикання VCC | 11,8 В (тип., діапазон 11,4–12,7 В) |
| Поріг вимикання VCC (UVLO) | 11,0 В (тип., діапазон 10,4–11,7 В) |
| Струм споживання з активним виходом GATE | 10 мА (тип., макс. 13 мА, CL = 2,2 нФ) |
| Макс. напруга живлення VCC | 25 В (абсолютний максимум) |
| Температура переходу | від -40 до 150 °C (абсолютний максимум) |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема ICE2B165 , DIP8
Немає в наявності
85,07 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Серія | CoolSET-F2 |
| Корпус | DIP8 (PG-DIP-8, 8 виводів) |
| Напруга Vds (інтегрований CoolMOS) | 650 В (макс.) |
| Опір Rds(on) | 3,0 Ом (тип., Tj 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 3,8 А (абсолютний максимум, tp обмежено Tj max) |
| Частота перетворення | 67 кГц (VFB = 4 В, діапазон 62–72 кГц) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 0,72 (VFB = 4 В, діапазон 0,67–0,77) |
| Поріг вмикання VCC | 13,5 В (діапазон 13–14 В) |
| Поріг вимикання VCC | 8,5 В (тип.) |
| Поріг обмеження піку струму Vcsth | 1,0 В (діапазон 0,95–1,05 В) |
| Робоча температура переходу контролера | від -25 до 130 °C (CoolMOS: від -25 до 150 °C) |
| Макс. потужність у схемі | 31 Вт (230 В AC ±15 %, Ta 75 °C, Tj 125 °C, мідь на платі 6 см²) |
Мікросхема ICE2B0565 , DIP8
Немає в наявності
58,28 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Серія | CoolSET-F2 |
| Корпус | DIP8 (PG-DIP-8, 8 виводів) |
| Напруга Vds (інтегрований CoolMOS) | 650 В (макс.) |
| Опір Rds(on) | 4,7 Ом (тип., Tj 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 2,0 А (абсолютний максимум, tp обмежено Tj max) |
| Частота перетворення | 67 кГц (VFB = 4 В, діапазон 62–72 кГц) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 0,72 (VFB = 4 В, діапазон 0,67–0,77) |
| Поріг вмикання VCC | 13,5 В (діапазон 13–14 В) |
| Поріг вимикання VCC | 8,5 В (тип.) |
| Поріг обмеження піку струму Vcsth | 1,0 В (діапазон 0,95–1,05 В) |
| Робоча температура переходу контролера | від -25 до 130 °C (CoolMOS: від -25 до 150 °C) |
| Макс. потужність у схемі | 23 Вт (230 В AC ±15 %, Ta 75 °C, Tj 125 °C, мідь на платі 6 см²) |
Демонтаж
Мікросхема ICE2A265 демонтаж, DIP8
Немає в наявності
61,57 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Серія | CoolSET-F2 |
| Корпус | DIP8 (PG-DIP-8, 8 виводів) |
| Напруга Vds (інтегрований CoolMOS) | 650 В (макс.) |
| Опір Rds(on) | 0,9 Ом (тип., Tj 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 9,8 А (абсолютний максимум, tp обмежено Tj max) |
| Частота перетворення | 100 кГц (VFB = 4 В, діапазон 93–107 кГц) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 0,72 (VFB = 4 В, діапазон 0,67–0,77) |
| Поріг вмикання VCC | 13,5 В (діапазон 13–14 В) |
| Поріг вимикання VCC | 8,5 В (тип.) |
| Поріг обмеження піку струму Vcsth | 1,0 В (діапазон 0,95–1,05 В) |
| Робоча температура переходу контролера | від -25 до 130 °C (CoolMOS: від -25 до 150 °C) |
| Макс. потужність у схемі | 52 Вт (230 В AC ±15 %, Ta 75 °C, Tj 125 °C, мідь на платі 6 см²) |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема ICE2A180Z ( ICE 2A180Z , ICE2A180 ) оригінал, DIP7
Немає в наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Призначення | Off-line контролер струмового режиму з інтегрованим ключем CoolMOS |
| Напруга стік-витік ключа Vds | 800 В |
| Частота перетворення | 100 кГц |
| Опір відкритого ключа Rds(on) | 3.0 Ом (тип. при 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 4.1 А (обмежений Tj max; для ICE2A180Z) |
| Енергія лавини | 0.50 мДж (макс. Tj 150 °C) |
| Струм старту | 27 мкА тип. / 55 мкА макс. (VCC = VCCon – 0.1 В) |
| Температурний діапазон переходу | -25…+125 °C |
| Корпус | DIP7 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ICE1QS01G , smd
Немає в наявності
130,66 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Призначення | ШІМ-контролер квазірезонансних імпульсних блоків живлення |
| Поріг вмикання VCC | 15 В (14.1–15.5 В, -25 °C < Tj < 150 °C, VCC = 16 В) |
| Поріг вимикання VCC | 9 В (8.5–9.5 В, -25 °C < Tj < 150 °C) |
| Захист від перенапруги VCC | 20 В (19–21 В) |
| Струм старту | 60 мкА тип. / 100 мкА макс. (VCC = VCCon – 0.5 В) |
| Робочий струм живлення | 11 мА (8–12.5 мА, вихід у низькому стані) |
| Мінімальна частота у режимі очікування | 20 кГц |
| Робоча температура переходу | -25…+150 °C |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема HT4936A ( HT4936S ) , so-16
Немає в наявності
61,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HOTCHIP |
| Призначення | Заряд літієвої батареї і підвищувальний перетворювач для power bank |
| Струм заряду (макс.) | 1 А (лінійний режим, регулюється зовнішнім резистором IPROG) |
| Вихідна напруга підвищувача | 5.1 В (фіксована) |
| Вихідний струм підвищувача | 1 А (BTP = 3.6 В) |
| ККД підвищувача | понад 90 % (синхронне випрямлення) |
| Частота перемикання | 1 МГц (фіксована) |
| Струм виходу ліхтарика LED | 50 мА |
| Стійкість до ESD | 4 кВ |
| Корпус | SO-16 |
Мікросхема HCF4053 ( HEF4053BT ) , so-16
Немає в наявності
9,87 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | потрійний 2-канальний аналоговий мультиплексор/демультиплексор |
| Корпус | SO-16 |
| Напруга живлення VDD (робоча) | 3–20 В |
| Напруга живлення VDD (макс.) | 22 В |
| Опір каналу Ron при VDD 5 В | 470 Ом (typ.) |
| Опір каналу Ron при VDD 10 В | 180 Ом (typ.) |
| Опір каналу Ron при VDD 15 В | 125 Ом (typ.) |
| Струм витоку закритого каналу | 0.1 нА (typ., VDD – VEE = 18 В) |
| Споживана потужність у спокої | 0.2 мкВт (typ., VDD – VSS = VDD – VEE = 10 В) |
| Розсіювана потужність корпусу | 500 мВт (до 65 °C) |
| Робоча температура | –55…+125 °C |
Мікросхема HA13164A ( HA13164 , HA13164AH )
Немає в наявності
131,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | багатоканальний стабілізатор напруги для автомобільної аудіосистеми |
| Корпус | HSIP-15 (SP-15TGV), 15 виводів |
| Кількість виводів | 15 шт |
| Робоча напруга Vcc (макс.) | 18 В (Ta 25 °C; рекомендовано 10–16 В) |
| Напруга живлення DC (макс.) | 26 В (не довше 30 с) |
| Пікова напруга Vcc | 50 В (імпульс перенапруги) |
| Вихід VDD OUT | 5.7 В (Io = 80 мА, Vcc = 13.2 В, Ta 25 °C) |
| Вихід CD OUT | 8.0 В (Io = 1.0 А, Vcc = 13.2 В, Ta 25 °C) |
| Вихід AUDIO OUT | 9.0 В (Io = 400 мА, Vcc = 13.2 В, Ta 25 °C) |
| Вихід ILM OUT | 9.85 В (Io = 400 мА, Vcc = 13.2 В, Ta 25 °C) |
| Вихід SW5V OUT | 5.0 В (Io = 80 мА, Vcc = 13.2 В, Ta 25 °C) |
| Вихід ACC | 5.0 В (Io = 40 мА, Vcc = 13.2 В, Ta 25 °C) |
| Розсіювана потужність | 36 Вт (Ta 25 °C, радіатор необмеженої площі) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Робоча температура | –40…+85 °C |
Мікросхема FT232RL ( SSOP28 )
Немає в наявності
158,39 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | міст USB – асинхронний послідовний UART |
| Корпус | SSOP-28 |
| Інтерфейс USB | USB 2.0 Full Speed |
| Швидкість передачі | 300 бод – 3 Мбод (рівні TTL) |
| Буфери | прийом 128 байт, передача 256 байт |
| Вбудована EEPROM | 1024 біт |
| Напруга живлення VCC | 4,0–5,25 В (з внутрішнім генератором) |
| Напруга живлення портів VCCIO | 1,8–5,25 В |
| Робочий струм | 15 мА |
| Струм у режимі USB Suspend | 70 мкА |
| Робоча температура | –40…+85 °C |